MOSFET
-
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
-
安世半导体推出采用LFPAK56封装的0.57 mΩ产品，籍此扩展市场领先的低RDS(on) MOSFET性能
同时优化了安全工作区、漏极电流和栅极电荷
-
Vishay高效80 V MOSFET，优值系数达到最佳
日前，Vishay Intertechnology, Inc. （NYSE股市代号：VSH）宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的---SiR680ADP，它是80 V TrenchFET® 第四代n沟道功率MOSFET。
-
Vishay推出采用PowerPAK® 1212 8S封装的-30 V P沟道MOSFET，RDS(ON)达到业内最低水平，提高功率密度，降低便携式电子设备功耗
器件占位面积10.89 mm2，RDS（ON）降至3.5 m，FOM降至172 m*nC，均为业内最佳水平
-
Vishay推出高效80V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平
器件采用PowerPAK®SO-8单体封装，导通电阻降至2.35mW，栅极电荷为55nC，COSS为614pF
-
Vishay推出高效80 V MOSFET，导通电阻与栅极电荷乘积即优值系数达到同类产品最佳水平
器件采用PowerPAK® SO-8单体封装，导通电阻降至2.35 mΩ，栅极电荷为55 nC，COSS为614 pF。
-
智能电源方案用于数据中心，减小尺寸、增强可靠性并降低运营成本
身处社会，我们每天都在创建、使用和分享前所未有的数据，无论是在我们的个人生活中还是在我们工作的时候。
-
CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为Wolfspeed的快速开关碳化硅(SiC)功率模块提供支持
比利时·蒙-圣吉贝尔，2020年1月14日–各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。
-
东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
东芝今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。
-
除了业界最小RDSon之外，与硅器件相同的驱动特性才是United SiC FET的杀手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共栅的方式将其烧结在一起，是United SiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压，从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的业界最低Rds(on)将SiC器件的性能提升到了新的高度，面对电动汽车和5G等全新应用需求，United SiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。
-
Vishay新款共漏极双N沟道60 V MOSFET
为节省PCB空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用优化封装结构，两个单片集成TrenchFET® 第四代n沟道MOSFET采用共漏极配置。SiSF20DN源极触点并排排列，加大连接提高PCB接触面积，与传统双封装型器件相比进一步减小电阻率。这种设计使MOSFET适合用于24 V系统和工业应用双向开关
-
Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封装的新款同步降压稳压器具有高效率、高功率密度和优异的热设计等优点
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件
-
Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET，提高功率密度和效率
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。
-
Vishay推出采用小型5x5 PowerPAK封装的新款同步降压稳压器具有高效率、高功率密度和优异的热设计等优点
通用器件输入电压范围宽达4.5V至60V，内部补偿功能减少外部元器件。
-
恒流源电路基础介绍
恒流源由信号源和电压控制电流源(VCCS)两部分组成。正弦信号源采用直接数字频率合成(DDS)技术，即以一定频率连续从EPROM中读取正弦采样数据，经D/A转换并滤波后产生EIT所需的正弦信号。本系统采用DDS集成芯片AD9830，其内部有两个12位相位寄存器和两个32位频率寄存器。在单片机的控制下对相应的寄存器置数就可以方便得到2MHz以下的任意频率和相位的输出，其中频率精度为1/ 2 32，相位分辨率为2π/2 12，输出幅度也可以在一定的范围内调节，因此能满足系统多频激励(10kHz～1MHz)的要求。
-
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。
-
LED灯具驱动电源技术
繁华的城市离不开LED灯的装饰，相信大家都见过LED，它的身影已经出现在了我们的生活的各个地方，也照亮着我们的生活。要普及LED灯具，不但需要大幅度降低成本，更需要解决技术性的问题。
-
LED驱动设计注意事项
随着科学技术的发展，LED技术也在不断发展，为我们的生活带来各种便利，为我们提供各种各样生活信息，造福着我们人类。对于新手来讲LED驱动设计其实并不是一件容易的事儿，针对这方面问题小编特别总结了设计达人的一些在工作中需要注意的问题和亲身的设计心得进行分享。
-
新的功率MOSFET-SQJQ402E
在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。日前，Vishay Intertechnology，Inc.(NYSE股市代号：VSH)宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封装40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E，目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装，实现大电流，并能节省空间和功耗的方案。
-
国产芯片真金质!基本半导体挑战极限高温测试“火”力全开
挑战骄阳火焰山，何须芭蕉借又还。 国产芯片真金质，不惧火炼过楼兰。
qsddqsdd3
Ragnarok
LED2013
bd7qwmcu
21ic-09
squallner
fjhome654
桃花运
ljhtj
826318230
keigo2008
xiahuan1130
雪山飞狐D
yygdzjs
mxt93r
sunspnet
eagle0
fastar01
lidahai123456
linxi6414
