MOSFET
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世界首家※！ROHM开始量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM近日于世界首家※开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET，并已建立起了完备的量产体制。与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%，这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。 另外，此次开发的SiC-MOSFET计划将推出功率模块及分立封装产品，目前已建立起了完备的功率模块产品的量产体制。前期工序的生产基地为ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福冈县)，后期工序的生产基地为R
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Diodes优化互补式MOSFET 提升降压转换器功率密度
21ic电源网讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互补式双 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流转换器的功率密度。新产品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到单一DFN2020封装。器件设计针对负载点转换器，为专用集成电路提供从3.3V下降到1V的核心电压。目标应用包括以太网络控制器、路由器、网络接口控制器、交换机、数字用户线路适配器、以及服务器和机顶盒等设备的处理器。
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SiC Mosfet管特性及其专用驱动电源
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。
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壮大中压MOSFET产品阵容 英飞凌推出OptiMOS 300 V
21ic电源网讯 英飞凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壮大中压MOSFET产品阵容，树立功率场效应管市场新标准。300V OptiMOS 的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不
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东芝推出用于USB Type-C负载开关的MOSFET
东芝已推出了SSM6J507NU，这是一个P沟道MOSFET产品，是适用于USB Type-C接口(符合USB PD*1规范)的负载开关。USB PD是指一项技术，它允许电源高达100W(20V/5A)，同时要求USB Type-C接口和电池充电器IC之间的负载开关
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Vishay超薄IGBT/MOSFET驱动器 在小尺寸逆变器中有效节省空间
21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的SMD封装的超薄2.5A IGBT和MOSFET驱动器---VOL3120。Vishay Semiconductors 这款器件占位小，高度为2.5mm
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英飞凌新一代CoolMOS 可减少50%的开关损耗
21ic电源网讯 英飞凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™ C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS™ CP可减少50%的开关损耗，在PFC、TTF和其他硬切换拓
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Vishay 发布3颗新的600V 快恢复二极管N沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布3颗新的600V EF系列快恢复二极管N沟道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的这三款器件
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安森美推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
经优化用于减少开关、导通及驱动器功耗以提升能效安森美半导体(ON Semiconductor)，针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广
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安森美推出全新的中压N沟道MOSFET阵容
经优化用于减少开关、导通及驱动器功耗以提升能效安森美半导体(ON Semiconductor)，针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广
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IR推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品
北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品
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基于MOSFET的焦耳小偷电路可提升电压设计
简单的间歇振荡器电路可以用来借助线圈电感的属性提升电压(V=L di/dt)。这种电路如图1所示，它更常见的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)电路。上述电路的输出是电压脉冲，可以
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大功率电源中MOSFET功率计算
也许，今天的便携式电源设计者所面临的最严峻挑战就是为当今的高性能CPU提供电源。CPU的电源电流最近每两年就翻一番。事实上，今天的便携式核电源电流需求会高达60A或更多，
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8种噪声测试技术的实现，包括模块电源、MOSFET等
噪声通常指任意的随机干扰。热噪声又称白噪声或约翰逊噪声，是由处在一定温度下的各种物质内部微粒作无规律的随机热运动而产生的，常用统计数学的方法进行研究。热噪声普遍存在于电子元件、器件、网络和系统中，因此
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Vishay新款40V TrenchFET 功率MOSFET为汽车应用提供更小且更节能的解决方案
器件是业内首颗通过AEC-Q101认证的完全无铅的MOSFET，占位面积8mm x 8mm日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V
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Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175° C 适合超高功率密度应用
30V至150V漏源击穿电压的19款新MOSFET可将功率密度提高达85%可靠性比额定结温为150° C业内标准值的MOSFET高三倍21ic电源网讯 Fairchild 正在利用其扩展温度(ET)中压MOS
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Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列
全新的 SuperFET MOSET 系列将最低的导通电阻 (Rdson)、最低的输出电容 (Coss) 和广泛的可选封装相结合，为设计师提高灵活性Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II M
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e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS™与OptiMOS™系列功率MOSFET， 支持亚太区电子产品设计
英飞凌功率MOSFET是电信、太阳能、照明及汽车电子等工业应用的理想选择e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOS™与OptiMOS™系
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Diodes MOSFET H桥节省50%占位面积
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对MOSFET H桥，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积，简化电机驱动和电感无线充电电路
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意法半导体(ST)扩大碳化硅MOSFET产品系列
意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所代码：STM) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势
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