MOSFET
-
Diodes芯片级双向MOSFET节省空间 有效提高锂电池容量
21ic电源网 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出双向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。DMN2023UCB4的低导通电阻可降低功耗，纤薄的芯片级
-
哪一个更简单，选择热插拔控制器，还是功率MOSFET？
我曾经遇到过节假日有客人上门，必须跑到商店，在关门前挑选几件物品的情况。我当时就意识到“跑”这个单词会有多少种意思呢。我听说单单作为动词，他就有645个意
-
Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET
其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点：高效率和高功率密度21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适
-
德州仪器推出NexFET N沟道功率MOSFET 可实现业界最低电阻
采用5 mm x 6 mm QFN封装并集成超低导通电阻的25 V和30 V器件21ic电源网讯 日前，德州仪器 (TI) 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有业界最低
-
让爱车如虎添翼：被动无钥门禁系统
被动无钥门禁概述：被动无钥门禁，可能好多业界的朋友多对此相对陌生，它的出现让车辆最大限度降低功耗，实现最高安全性，同时赋予高LF灵敏度和最大读取距离。最小化的钥匙FOB设计可通过高集成度实现，包括3D主动LF
-
封装寄生电感是否会影响MOSFET性能？
I.引言 高效率已成为开关电源(SMPS)设计的必需要求。为了达成这一要求，越来越多许多功率半导体研究人员开发了快速开关器件，举例来说，降低器件的寄生电容，并实现
-
高压电机控制系统的主要设计考虑因素
在现代机器人设计中，头部、颈部、四肢的任何活动都需要各种各样电机的支持，如传统的旋转电机、步进电机、直线电机和其它特殊电机，但这些电机的驱动和控制要求各有不同，如何实现各种电机的精确控制解决方案?如何以
-
Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET
21ic电源网讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N
-
IR的电池保护MOSFET系列 为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案
21ic电源网讯 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectF
-
意法半导体(ST)的新650V超结MOSFET提升能效和安全系数
21ic电源网讯 意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)的最新超结 (super-junction) 功率MOSFET满足家电、低能源照明系统以及太阳能微逆变器厂商对电源能效的要求，同时提
-
MOSFET(MOS场效应管)工作原理
场效应管是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS场效应管的工作原理。MOS场效应管也被称为MOS FET，即Metal Oxide SEMIconductor Field Effect Transistor(金属氧化物半导体场效应管)的缩写。
-
增强型N沟道场效应管(MOSFET）的电池反接保护电路
功率场效应管(MOSFET)典型应用电路1.电池反接保护电路电池反接保护电路如图9所示。一般防止电池接反损坏电路采用串接二极管的方法，在电池接反时，PN结反接无电压降，但在正常工 作时有0.6～0.7V的管压降。采用导通电
-
IR针对工业应用新推出具有超低导通电阻的表面贴装75V MOSFET
21ic讯 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机
-
IR针对工业应用推出具有超低导通电阻的75V MOSFET
21ic讯 国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 近日推出75V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器 (LEV) 、直
-
高效高可靠性LED驱动设计心得技巧分享
近日，小编采访了LED驱动电路设计方面的资深达人DougBailey，他总结了设计工作中需要注意的问题和亲身设计心得，为大家分享总结如下： 一、不要使用双极型功率器件
-
Vishay的SiZ340DT再度获奖
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其3mm x 3mm封装的SiZ340DT双片MOSFET在《今日电子》杂志的第十二届年度Top-10电源产品评奖中一举获得十佳电源产品奖和最佳应用奖等两项奖项。
-
Vishay发布新款12V芯片级MOSFET 可有效降低超便携产品的功耗
新的MICRO FOOT®器件首次在1.8V电压和±8V VGS下实现35mΩ导通电阻日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布有助于在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和
-
汽车车窗控制电路
汽车车窗控制电路
-
MOSFET选择策略详解
在70年代晚期推出MOSFET之前，晶闸管和双极结型晶体管(BJT)是仅有的功率开关。BJT是电流控制器件，而MOSFET是电压控制器件。在80年代，IGBT面市，它仍然是一种电压控制
-
Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
新器件具有E系列600V和650V MOSFET的相同优点，具有高效率和高功率密度21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，该
mxt93r
sunspnet
eagle0
fastar01
lidahai123456
linxi6414
zw60606019
wyaj
whuhustwit
bjstar
lydzzhx
森与海巷
shaoye7031
zhangcw321
j543211
jasom.D
yanhaijian
yuguangkuo
yingjielu86
ppxxjh
