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碳化硅肖特基二极管在电源中的应用
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10月
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
12月5日消息，据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各
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全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（Semiconductor Industry Association，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10月
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10月
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科瑞在SiC基片市场占有较高份额
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐(Cree)在SiC基片市场上占有较高份额，从该公
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SiC基片结晶质量提高 SiC基片市场科锐占有较高份额
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圆）的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸（100mm）的产品，6英寸（150mm）产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐（CREE）在SiC基片市场上占有较高份额
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科锐：SiC基片的结晶质量逐年提高
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圆）的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸（100mm）的产品，6英寸（150mm）产品的结晶缺陷也越来越少。 美国Cree在SiC基片市场上占有较高份额，从该公
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TeliaSonera新增18400公里光纤骨干网络
瑞典和芬兰领先运营商TeliaSonera服务美国市场的批发子公司——TeliaSonera International Carrier(TSIC)宣布它已经完成了主要的北美网络扩张，其全球光纤骨干网络新增了18400公里。TSIC截止到2014年12月3
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美国科锐在SiC基片市场上占有较高份额
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。美国科锐(Cree)在SiC基片市场上占有较高份额，从该公司在SiC国际学会
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SiC基片结晶质量提高 6英寸微管密度降至0.01个/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐(Cree)在SiC基片市场上占有较高份额，从该公司在SiC国际学会
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SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻渐成趋势
通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成
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SiC基片结晶质量提高，6英寸微管密度降至0.01个/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圆）的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸（100mm）的产品，6英寸（150mm）产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐（Cree）在SiC基片市场上占有较高份额，从该公司在Si
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SiC半导体元件“真命天子” 沟道MOSFET即将实用化
LED半导体照明网讯 高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产“沟道型”SiC MOSFET’（电装解说员）。在2013年10月举办的‘CEATEC JAPAN 2013’上，电装展示了SiC的相关技术（图
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“可将SiC基片的制造成本至少减半”，日企提出新制造方法
日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法，主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍，采用新方法后，可将制造成本降至原来的1/2以下。 制造方法如下。首先，将单晶S
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揭秘IGBT市场成长的动力来源
据市场研究机构Yole的最新报告，IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后，今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言，市场预估将从今年的36亿美元，在5年后达到60亿美元。IGBT将在电动车/动力混合汽车(EV/HEV)、再生能
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揭秘IGBT市场成长的动力来源
21ic讯 据市场研究机构Yole的最新报告，IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后，今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言，市场预估将从今年的36亿美元，在5年后达到60亿美
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PEC电力电子西安站蓄势待发
由爱戴爱集团主办，《Bodo's功率系统》杂志协办的PEC-电力电子峰会苏州站于10月25-26号苏州会议中心落下帷幕。继PEC电力电子苏州站圆满结束后，PEC电力电子西安站蓄势待发。据PEC组委会工作人员表示：PEC电力电子苏州
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Microsemi 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列 推出全新的650V解决方案产品系列
新器件以紧凑的占位面积实现系统效率提升21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄
徐俊成123
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