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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体加速导入 元器件厂商拼杀
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体：元件开发竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业
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碳化硅肖特基二极管在电源中的应用
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10月
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
12月5日消息，据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各
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全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（Semiconductor Industry Association，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10月
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SIC：全球半导体收益较上月减少11%
据外媒EETimes报道，SIC（SemiconductorIndustryAssociation，半导体产业协会）公布调查数据，全球半导体收益为261亿元，较上月减少11%，但总体超过减少13%的季节性预测。SIC表示除闪存外的半导体行业各领域高于10月
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科瑞在SiC基片市场占有较高份额
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐(Cree)在SiC基片市场上占有较高份额，从该公
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SiC基片结晶质量提高 SiC基片市场科锐占有较高份额
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圆）的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸（100mm）的产品，6英寸（150mm）产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐（CREE）在SiC基片市场上占有较高份额
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科锐：SiC基片的结晶质量逐年提高
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圆）的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸（100mm）的产品，6英寸（150mm）产品的结晶缺陷也越来越少。 美国Cree在SiC基片市场上占有较高份额，从该公
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TeliaSonera新增18400公里光纤骨干网络
瑞典和芬兰领先运营商TeliaSonera服务美国市场的批发子公司——TeliaSonera International Carrier(TSIC)宣布它已经完成了主要的北美网络扩张，其全球光纤骨干网络新增了18400公里。TSIC截止到2014年12月3
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美国科锐在SiC基片市场上占有较高份额
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。美国科锐(Cree)在SiC基片市场上占有较高份额，从该公司在SiC国际学会
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SiC基片结晶质量提高 6英寸微管密度降至0.01个/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐(Cree)在SiC基片市场上占有较高份额，从该公司在SiC国际学会
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