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全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器可最大程度提高效率及安全性

碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能，能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过，SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护，这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。

安森美半导体推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET，补足成长的生态系统，并为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出了两款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工业级NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽车级NVHL080N120SC1把宽禁带技术的使能、广泛性能优势带到重要的高增长终端应用领域如汽车DC-DC、电动汽车车载充电机、太阳能、不间断电源及服务器电源。

安森美推出新的工业级和符合车规的SiC MOSFET，为迅速增长的应用带来宽禁带性能的优势

安森美半导体新的SiC MOSFET另一独特的优势是具有专利的终端结构，增加了可靠性和强固性，并增强了工作稳定性。NVHL080N120SC1设计用于承受高浪涌电流，并提供高的雪崩能力和强固的短路保护。

显著节约能耗，德州仪器推出首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器

新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率德州仪器(TI) (纳斯达克代码: TXN)近日推出多款新型隔离式栅极驱动器。它们不仅能够提供出色的监控能力，还可为高压系统构筑

TI首款适用于IGBT和SiC MOSFET且集成传感功能的隔离式栅极驱动器，可显著节约能耗，并为高压系统构筑坚强屏障

新型TI栅极驱动器提供先进的监控和保护功能，同时还能提升汽车和工业应用中的总体系统效率

飞兆半导体收购SiC公司TranSiC

SiC和GaN并不是终点，功率半导体氧化镓到底是什么

SiC和GaN并不是终点，最近，氧化镓(Ga2O3)再一次走入了人们的视野，凭借其比SiC和GaN更宽的禁带，该种化合物半导体在更高功率的应用方面具有独特优势。因此，近几年关于氧化镓的研究又热了起来。

新的电源转换标杆：英飞凌CoolGaN可圈可点

未来十年，基于氮化镓的器件市场总值有望超过10亿美元，从市场的分布来说，电源类产品大概占到整个市场的40%左右。在汽车类的应用可能起步得比较晚，但是它的成长非常快，未来汽车关于氮化镓的应用是一个非常大的应用。

厦门第三代半导体SiC生产线投产稳定，每月可产30万颗

厦门芯光润泽科技有限公司自主研发的国内首条碳化硅智能功率模块(SiC IPM)生产线，于9月18日正式投产。据报道，两个月来，该生产线投产稳定，每月生产规模可达30万颗，每年可达360万颗。

大力推广Littelfuse SiC MOSFET、SiC二极管等产品，世强获其“最佳市场开发奖”

2018年，本土十大分销商，Littelfuse官方授权一级代理商——世强，对Littelfuse的SiC MOSFET、SiC二极管等最新产品，进行了充分的市场推展，将这些产品带入了车载OBC、车载DC-DC、光伏等领域，并取得了喜人的成绩。由此，在Littelfuse 2018年度优秀供应商表彰大会中，世强斩获“Littelfuse最佳市场开发代理商大奖”。

领先的SiC/GaN功率转换器的驱动

目前，功率转换器市场快速演进，将来也会快速发展，从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现，比如，生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。这也意味着，要用更高的工作电压来管理更高的功率，却不能增加重量和尺寸，比如，太阳能串式逆变器和电动汽车牵引电机等应用场合。

凭借对SiC MOSFET的大力推广 世强获Littelfuse最佳市场开发代理商

近日，全球排名第一的电路保护品牌Littelfuse向世强颁发了“最佳市场开发代理商奖”，以表彰其2018年在产品推广与市场开发方面所作出的杰出贡献。

第三代半导体材料盛行，GaN与SiC如何撬动新型功率器件

1.GaN功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、G

美高森美发布创新SiC MOSFET系列

新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成，显着提升高压应用的系统效率，并提供最大功效，帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计致力于提供功率、安全、可靠

性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点

Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击

领先的SiC/GaN功率转换器的驱动

目前，功率转换器市场快速演进，将来也会快速发展，从简单的高性价比设计模式走向更为广泛、更具持续性的创新模式。新的挑战不断涌现，比如，生产能供小型伺服驱动使用或者能集成到分布式存能单元功率转换器中的更小、更高效的功率转换器。

罗姆携多款车载元器件新品，亮相“2018北京国际智能网联汽车产业展览会”

全球知名半导体制造商罗姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中国国际展览中心举办的“2018北京国际汽车制造业暨工业装配博览会”(展位号：2展馆T213)。以“用半导体为汽车的未来做贡献”为理念

低功耗SiC二极管实现最高功率密度

相较于硅，碳化硅(SiC)肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。

我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

SiC单晶是第三代半导体材料，以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性， 成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想材料，是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要领域的核心材料，具有重要的应用价值和广阔的应用前景。

美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET样品和700 V肖特基势垒二极管器件

21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初扩大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二极管产品组合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的样品，及下一代700 V、50 A 肖特基势垒二极