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三菱电机携最新SiC功率模块亮相PCIM亚洲展
自去年7月以来，三菱电机发布了一系列碳化硅(SiC)功率模块，这些产品将于今年6月18日至20日在上海世博展览馆举行的PCIM亚洲展 2013(展位号：402)中隆重亮相。 众所周知，目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用
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2012年全球功率半导体市场规模比上年减少11.5％
日本市场调查公司矢野经济研究所的调查显示，按照厂商的供货金额计算，2012年全球功率半导体市场规模为135.12亿美元，比上年减少11.5％。功率半导体市场在2009年迅速下滑后，曾在2010年和2011年连续两年出现复苏，但
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重新应用 BJT：在光伏逆变器中运用新型SiC BJT 可实现更低的系统成本
最近，碳化硅 (SiC) 的使用为 BJT 赋予了新的生命，生产出一款可实现更高功率密度、更低系统成本且设计更简易的器件。SiC BJT 运用在光伏电源转换器中时，可实现良好效率，并且（也许更重要的是）能够使用更小、更便宜的元件，从而在系统级别上显著降低成本。
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GaN和SiC功率半导体将以18%的速度稳增
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿
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科技部征集2014年863和支撑计划项目
科技部日前开始了2014年国家高技术研究发展计划(863计划)和国家科技支撑计划的项目申报工作。申报项目将通过视频答辩、专家咨询、方案论证、项目查重等程序，从中择优确定2014年度计划备选项目，并根据国家科技计划预
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未来十年GaN和SiC功率半导体市场将以18%的速度稳增
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的全球销售额将从2012年的1.43亿
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东京大学研究小组利用Dressed光子使SiC及GaP成功发光
东京大学研究生院工学系研究专业教授、纳米光子研究中心主任大津元一的研究小组继2011年让硅实现高效率发光之后，又再次让SiC及GaP成功发光。这些半导体均具有间接迁移型能带构造。也就是说，导带的电子向价带迁移时
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未来十年将是GaN和SiC功率半导体市场 将以18%速度增长
在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称，至2022年SiC和Ga
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SiC集成技术在生物电信号采集设计
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体
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罗姆：SiC功率元器件可优先用于汽车充电桩
萦绕在北京上空持续时间超过一个月的雾霾天气刚刚过去，新春必来的沙尘暴也如期光临京城。史无前例的环境污染再次激起了人们对于PM2.5的关注。如何破解环境难题，唯一的出路就是节能减排。罗姆2013慕尼黑上海电子展
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TeliaSonera建成泛欧洲和北美100G网络
北京时间3月20日下午消息（艾斯）据国外媒体报道，在TeliaSonera升级了其泛欧洲网络之后，TeliaSonera International Carrier(TSIC)表示，该公司已成为“全球首个建成横跨欧洲和北美100Gbps网络的运营商&rdquo
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德州仪器栅极驱动器旨在满足 IGBT 与 SiC FET 设计需求
21ic讯 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出业界首款面向绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 与碳化硅 (SiC) FET 的 35 V 单通道输出级电源管理栅极驱动器。TI 支持拆分输出的最新 UCC27531
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关于PIC24的DISI禁止中断指令
PIC24的DISI指令是禁止中断指令,这条指令可以把1-6优先级中断禁止一个固定的时间,用于一些对时间特性要求严格的代码段执行前关闭中断.禁止中断指令最大可以禁止中断时间为16384 个指令周期.这条指令的执行的时候,1-6
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Cadence发布USB3.0 VIP 可部署最新USB3.0协议扩展设计
近日，Cadence设计公司发布了用于新型USB SuperSpeed Inter-Chip规格的经过生产验证的VIP，使用户可以充分验证部署最新的USB3.0协议扩展的设计。这种SSIC规格结合MIPI联盟物理界面(M-PHY)和适应USB3.0的USB协议上层，
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2012年度高交会电子展上的日本新型电子元器件
2012年11月，一年一度的深圳高交会电子展如期举办，来自日本的数家知名电子企业集体亮相，这也是他们向中国推介最新型电子元器件的重要契机。接下来，笔者就精选出由TDK、罗姆(ROHM)和村田制作所带给大家的创新型电子
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一次切出40片——三菱电机开发出SiC用放电线切割机
三菱电机于2013年2月6日宣布，开发出了能够一次将一块多晶碳化硅（SiC）锭切割成40片SiC晶片的“多点放电线切割技术”。该技术有望提高SiC晶片加工的生产效率，降低加工成本。 多点放电线切割技术是将直径为
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聚焦“SiC”与“GaN”—新一代功率元器件的前沿
前言 在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里，在“将基本元件晶体管的尺寸缩小到1/k，同时将电压也降低到1/k，力争更低功
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电装等展出世界最高品质的6英寸SiC基板
电装、丰田中央研究所、昭和电工在于东京有明国际会展中心举行的“nano tech 2013”（第12届国际纳米技术综合展）上，展出了共同开发的口径为6英寸的SiC基板。该基板的特点在于位错（缺陷）密度为数千个/cm2，“比市
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美高森美扩展碳化硅(SiC)功率模块产品系列
21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布提供新一代工业温度碳化硅(silicon carbide，SiC)标准功率模块，它们是用于要求高性能和高可靠性的大功率开关电源、马达驱动器、不间断电源、太阳能逆变器、石油勘
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SiC和GaN来到身边
2013年1份月已过去大半，笔者想在此介绍一个2013年将受关注的领域。虽然这样的领域很多，但笔者此次要说的是SiC及GaN等新一代功率半导体的动向。该领域之所以会受到关注，是因为在2013年，新一代功率半导体的使用范围
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