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SiC功率半导体元件的“真命天子”，沟道MOSFET即将实用化
“高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET”（电装解说员）。 在2013年10月举办的“CEATEC JAPAN 2013”上，电装展示了SiC的相关技术（图1）。其中包括了两大“惊
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利用低功耗SiC电源制备SiC晶体 日新技研展示高频加热电源
生产和销售制造设备用高频电源等产品的日新技研试制出了利用SiC功率元件的高频加热电源，并在SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”并设的展会上进行了展示。该公司表示，与利用Si功率元件时相比，利用SiC功率元
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日本萨姆肯公司推出新型SiC加工处理生产刻蚀系统
LED半导体照明网讯 日本上市公司萨姆肯（Samco）发布了新型晶片盒生产蚀刻系统 ，处理SiC加工，型号为RIE-600iPC。系统主要应用在碳化硅功率仪器平面加工、SiC MOS结构槽刻蚀形成晶圆刻蚀SiC和SiO2掩膜刻蚀
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磨刀霍霍：各企业纷纷瞄准6英寸SiC晶圆
近日，关于SiC功率半导体的国际学会“ICSCRM 2013”于日本宫崎县举行。在展场内，多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸（150mm）的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸（75mm～100mm）晶圆的下一代产品。科锐已率先
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多家LED巨头纷纷瞄准6英寸SiC晶圆市场
近日，关于SiC功率半导体的国际学会“ICSCRM 2013”于日本宫崎县举行。在展场内，多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸(75mm～100mm)晶圆的下一代产品。科锐已率先供货6
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013&rdq
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”（日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”（日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM 2013”（日本
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工2013年9月30日宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工日前宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成本，也适合
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6英寸SiC晶圆接连出现，各公司纷纷公布供货时间
在关于SiC功率半导体的国际学会“ICSCRM 2013”（2013年9月29日～10月4日，日本宫崎县Phoenix Seagaia Resort）的展示会场内，多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸（150mm）的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸（75mm～100
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工2013年9月30日宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成
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美高森美750W GaN on SiC RF功率晶体管 为航空应用提供无与伦比的高功率性能
新器件适用于商用和军事、地面和机载、二次监视雷达，以及防撞空中交通管制设备21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶体管扩展其基于碳化硅(silic
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利用SiC和GaN实现AC-AC转换器薄型化
最近，采用可大幅削减电力损耗的新一代功率元件的试制示例接连出现。此次邀请了安川电机，针对采用SiC功率元件的AC-AC转换器以及采用GaN功率元件的功率调节器，介绍有关技术
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【技术讲座】利用SiC和GaN大幅削减电力转换装置的体积
最近，采用可大幅削减电力损耗的新一代功率元件的试制示例接连出现。《日经电子》此次邀请了安川电机，针对采用SiC功率元件的AC-AC转换器以及采用GaN功率元件的功率调节器，介绍有关技术和取得的效果。（《日经电子》
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异质结国际学会“TWHM” GaN
LED半导体照明网讯 9月2~5日“Topical Workshopon Heterostructure Microelectronics（TWHM 2013）”在日本函馆举行。据了解，该会议每隔一年举办一次，2013年迎来了第十届。此次会议是讨论采用不同材料的构
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全球第三代半导体材料研发部署重点及方向分析
在首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会上，Transphorm公司的技术营销高级经理黄赞先生对第三代半导体材料各国研发部署重点及方向进行了主题报告，系统阐述了美国、日本等国的第三代半导体材料研发相关项目、进
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全球第三代半导体材料研发部署重点及方向分析
在首届第三代半导体材料及应用发展国际研讨会上，Transphorm公司的技术营销高级经理黄赞先生对第三代半导体材料各国研发部署重点及方向进行了主题报告，系统阐述了美国、日本等国的第三代半导体材料研发相关项目、进
徐俊成123
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