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SiC二极管 通过基片薄型化降低导通电阻渐成趋势
通过减薄SiC二极管的基片厚度来减小导通电阻的研发日趋活跃。这一趋势在耐压1.2kV以下的低中耐压产品中最为突出。其背景在于，越是低耐压产品，基片上层积的漂移层就越薄，因此在SiC二极管的导通电阻中，基片的电阻成
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SiC基片结晶质量提高，6英寸微管密度降至0.01个/平方厘米
制造SiC功率元件不可缺少的SiC基片（晶圆）的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸（100mm）的产品，6英寸（150mm）产品的结晶缺陷也越来越少。 美国科锐（Cree）在SiC基片市场上占有较高份额，从该公司在Si
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SiC半导体元件“真命天子” 沟道MOSFET即将实用化
LED半导体照明网讯 高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产“沟道型”SiC MOSFET’（电装解说员）。在2013年10月举办的‘CEATEC JAPAN 2013’上，电装展示了SiC的相关技术（图
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“可将SiC基片的制造成本至少减半”，日企提出新制造方法
日本风险企业Sicoxs开发出了低成本生产制作SiC功率元件使用的SiC单晶基片的新方法，主要是通过减小SiC单晶体的厚度来削减成本。据介绍，采用新方法后，可将制造成本降至原来的1/2以下。 制造方法如下。首先，将单晶S
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揭秘IGBT市场成长的动力来源
据市场研究机构Yole的最新报告，IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后，今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言，市场预估将从今年的36亿美元，在5年后达到60亿美元。IGBT将在电动车/动力混合汽车(EV/HEV)、再生能
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揭秘IGBT市场成长的动力来源
21ic讯 据市场研究机构Yole的最新报告，IGBT市场在2011~2012年少许反常性的下跌后，今年市场已回归稳定成长脚步。具体而言，市场预估将从今年的36亿美元，在5年后达到60亿美
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PEC电力电子西安站蓄势待发
由爱戴爱集团主办，《Bodo's功率系统》杂志协办的PEC-电力电子峰会苏州站于10月25-26号苏州会议中心落下帷幕。继PEC电力电子苏州站圆满结束后，PEC电力电子西安站蓄势待发。据PEC组委会工作人员表示：PEC电力电子苏州
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Microsemi 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列 推出全新的650V解决方案产品系列
新器件以紧凑的占位面积实现系统效率提升21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列，推出全新的650V解决方案产品系列，新型二极管产品瞄
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SiC功率半导体元件的“真命天子”，沟道MOSFET即将实用化
“高品质的150mm口径SiC基板已经实现。我们将利用这种基板，在2015年投产‘沟道型’SiC MOSFET”（电装解说员）。 在2013年10月举办的“CEATEC JAPAN 2013”上，电装展示了SiC的相关技术（图1）。其中包括了两大“惊
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利用低功耗SiC电源制备SiC晶体 日新技研展示高频加热电源
生产和销售制造设备用高频电源等产品的日新技研试制出了利用SiC功率元件的高频加热电源，并在SiC相关国际学会“ICSCRM 2013”并设的展会上进行了展示。该公司表示，与利用Si功率元件时相比，利用SiC功率元
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日本萨姆肯公司推出新型SiC加工处理生产刻蚀系统
LED半导体照明网讯 日本上市公司萨姆肯（Samco）发布了新型晶片盒生产蚀刻系统 ，处理SiC加工，型号为RIE-600iPC。系统主要应用在碳化硅功率仪器平面加工、SiC MOS结构槽刻蚀形成晶圆刻蚀SiC和SiO2掩膜刻蚀
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磨刀霍霍：各企业纷纷瞄准6英寸SiC晶圆
近日，关于SiC功率半导体的国际学会“ICSCRM 2013”于日本宫崎县举行。在展场内，多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸（150mm）的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸（75mm～100mm）晶圆的下一代产品。科锐已率先
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多家LED巨头纷纷瞄准6英寸SiC晶圆市场
近日，关于SiC功率半导体的国际学会“ICSCRM 2013”于日本宫崎县举行。在展场内，多家SiC基板厂商展示了直径为6英寸(150mm)的晶圆。这种晶圆是现行3～4英寸(75mm～100mm)晶圆的下一代产品。科锐已率先供货6
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”(日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013&rdq
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”（日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM2013”（日本宫
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山东天岳及韩国SK集团等亚洲企业全面涉足SiC晶圆业务
在SiC及GaN等新一代功率半导体领域，以韩国和中国为代表的亚洲企业的实力不断增强。不仅是元件及模块，零部件领域也显著呈现出这种趋势。在2013年9月29日～10月4日举行的SiC功率半导体国际学会“ICSCRM 2013”（日本
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工2013年9月30日宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成
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昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆
昭和电工日前宣布确立了6英寸SiC外延晶圆的量产化技术。该公司从2013年年初就开始提供该晶圆的样品，此次确立了量产化技术，从10月份开始设定产品性能参数、正式展开销售。据介绍，6英寸产品适于降低元件成本，也适合
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