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CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为 Wolfspeed的快速开关碳化硅（SiC）功率模块提供支持
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。
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新型IGBT诞生，made in China
当前，碳化硅基功率器件面临着严峻的挑战，现有的碳化硅基肖特基二极管，MOSFET等器件并不能有效地满足实际应用需要，对IGBT器件的需求日益迫切，必须突破碳化硅基IGBT研究中的瓶颈问题，增加器件耐压强度
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除了业界最小RDSon之外，与硅器件相同的驱动特性才是United SiC FET的杀手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共栅的方式将其烧结在一起，是United SiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压，从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的业界最低Rds(on)将SiC器件的性能提升到了新的高度，面对电动汽车和5G等全新应用需求，United SiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。
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为什么超低阻抗SiC FET受欢迎？
与包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在内的其他可用功率晶体管相比，常开型SiC JFET的单位芯片面积具有更低的导通阻抗。如图1a所示，当低压MOSFET堆叠在JFET上时，为了实现图1b的共源共栅架构，就形成了低阻抗常关断型开关
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UnitedSiC新款SiC FET
新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布将推出四种新型SiC FET――UF3SC。据介绍，该产品的RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车（EV）逆变器、高功率DC/DC转换器
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意法半导体完成对碳化硅晶圆厂商Norstel AB的并购
从材料专业知识和工艺工程，到SiC MOSFET和二极管设计制造，意法半导体加强内部SiC生态系统建设
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科锐与意法半导体扩大并延伸现有SiC晶圆供应协议
科锐与意法半导体宣布扩大并延伸现有多年长期碳化硅(SiC)晶圆供应协议至5亿多美元。意法半导体是全球领先的半导体供应商，横跨多重电子应用领域。这一延伸协议是原先协议价值的双倍，科锐将在未来数年向意法半导体提供先进的150mm SiC裸晶圆和外延片。这一提升的晶圆供应，帮助意法半导体应对在全球范围内快速增长的SiC功率器件需求，特别是在汽车应用和工业应用。
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SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著
摘要：传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。
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1200V 450A全SiC半桥功率模块问世
根据Wolfspeed的说法，该半桥模块利用了公司优化的第三代MOSFET技术。XM3的SiC封装最高支持175°C。 Wolfspeed表示，XM3功率模块平台可最大限度地发挥SiC的优势，同时保持模块和系统设计的稳健，简单和经济高效等特性。
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关于SiC在电动车市场的应用
电源设计的工程师已经意识到SiC晶体管确实是新开关模式设计的最佳选择，虽然它们可能比替代品贵一点，但它们提供了更多优势。以下是SiC与MOSFET和IGBT相比的优势：
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科锐将在美国建造全球最大SiC制造厂
这一新制造工厂是先前所宣布计划的一部分，旨在显著提升用于Wolfspeed碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）业务的产能，将建设成为一座规模更大、高度自动化和更高生产能力的工厂。
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意法半导体提供先进的碳化硅功率电子器件，助力雷诺-日产-三菱联盟下一代电动汽车快充技术研发
·碳化硅(SiC)是一种性能极高的功率半导体技术，使可持续发展的智慧出行模式前景可期 ·意法半导体SiC器件的高能效、耐高温表现、高可靠性和小尺寸让电动汽车更具吸引力
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贺利氏铂电阻温度传感器亮相2019中国(上海)传感器技术与应用展
近年来，由于市场对传感器技术的需求不断增长，贺利氏凭借适用于各类应用的温度传感器产品取得了强劲的增长。贺利氏温度传感器能够精确测量高达1050°C的温度，强大的技术优势让贺利氏在铂电阻传感器市场不断扩大市场份额。
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SiC等新一代材料的功率器件开发
在科学技术飞速发展的今天，离不开我们科研人员的辛勤付出，制造出如此多的电子产品，然而大家只关注这些产品的使用，只有研究人员会关注内部结构，这其中就要数功率器件了。从诞生之日起，市场对功率器件的需求都是一致的，即追求更快的开关速度、更高的耐压、更大的电流、更强的耐冲击性能、更好的高频性能、更低的驱动损耗等。
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减少功率转换损耗的SiC功率器件
在现代能源基础设施中，电力电子技术仍以过去几十年的陈旧技术为基础。随着社会的不断进步，技术的不断发展，科技产品也日新月异，产品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的设计者来设计，功率器件对电子产品是功不可没的。硅材料在很多方面已经接近其理论性能极限，因此业界在不断寻找新的半导体元器件材料，以期从根本上提升转化和利用电力的效率。
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安森美的SiC及GaN产品
在日常生活中，电子产品处处可见，大家都知道如何使用，但是都不会去了解电子产品里面有什么，其实里面很重要的是功率器件。更为严格的行业标准和政府法规的变迁是更高能效产品的关键驱动因素。例如数据中心正呈指数级增长以跟上需求，其耗电量约占全球总电力供应量(+ 400TWh)的3%，也占总温室气体排放量的2%，与航空业的碳排放量相同。
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美高森美的SiC解决方案的开发工作
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率模块的极低电感封装。
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为啥说SiC在功率器件领域更具有竞争力？
如今在需求庞大的功率半导体市场上，来自工艺材料方面的竞争十分激烈，传统硅材料和新兴的SiC、GaN工艺各有拥趸。不过，在当前的时间节点，SiC的综合优势似乎更具有竞争力。SiC是一种基于硅和碳的复合半
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SiC产业化，多项第三代半导体标准通过评审
6月27日，中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟（以下简称“宽禁带联盟”）第三批团体标准初审稿评审会举行，对6项团体标准初审稿进行评审。据宽禁带半导体技术创新联盟消息，与会专家一致同意以下6项团体标准初
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电动汽车上的“全SiC”功率器件，系关键要素
作为半导体界公认的“一种未来的材料”，在沉寂了一段时间之后，SiC功率元器件终于在汽车市场迎来了爆发，尤其是在有着巨大增长机会的电动汽车领域。据了解，基于SiC的功率半导体先前主要用于电动汽车的车载充
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