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ROHM带来车载电源IC和SiC的技术革新
近几年，家庭购置家用车越来越多的会选择电动汽车，这其中固然有国家的支持和补贴政策的因素，更重要的是，电动汽车本身也有几个优点足以打动消费者的心：首先是环保，电动汽车的百公里耗电量为15-20kwh，算上发电厂
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浅谈第三代半导体产业发展现状
材料、信息、能源构筑的当代文明社会，缺一不可。半导体不仅具有极其丰富的物理内涵，而且其性能可以置于不断发展的精密工艺控制之下，可谓是“最有料”的材料。在不久的将来，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料的应用，无论是在军用领域还是在民用市场，都是世界各国争夺的战略阵地。
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QORVO新推GAN-ON-SIC晶体管，提高战术和公共安全电台的效率和带宽
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶体管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，该晶体管系列可以提高性能、增强功能，并加快任务关键型战术和公共安全电台的开发速度。这些晶体管针对宽带应用进行过输入匹配处理，并且尺寸小巧，可以实现尺寸更小的新一代通信设备。
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ROHM全SiC功率模块的产品阵容更强大!
——支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001)，有助于大功率应用的高效化与小型化全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出
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新材料江湖博弈之局，第三代半导体材料大势所趋
继第一代元素半导体材料(si)和第二代化合物半导体材料后，第三代禁带宽度半导体材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已经在获得了众多半导体厂商的认可。第三代半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速
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SiC/GaN功率半导体产值 2020年破10亿美元
市场研究机构IHS最新统计报告指出，随着愈来愈多供应商推出产品，2015年碳化矽(SiC)功率半导体平均销售价格已明显下滑，有望刺激市场加速采用;与此同时，氮化镓(GaN)功率半
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高交会系列之ROHM：电源之外亦有新天地
2015年11月16日～11月21日，中国国际高新技术成果交易会(简称高交会)在深圳会展中心隆重举行。高交会集成果交易、产品展示、高层论坛、项目招商、合作交流于一体，是目前中国规模最大、最具影响力的科技类展会，有&
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纪念Intel 4004处理器44周年：感谢没眼光的日本人
Intel的成功始于44年前的4004处理器，这是世界首款商用处理器，原本做存储器的Intel公司自此踏上了处理器领域，背后的根源则是日本电子公司的短视。
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更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的应用
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品，拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V SiC使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。该系列产品
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Qorvo在升级DOCSIS3.1中结合GaN on SiC及先进的封装技术从而降低成本，增加带宽并节省电路板空间
移动设备、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo，Inc.(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布推出一系列创新产品，旨在加速高速有线电视 (CATV) DOCSIS 3.
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性价比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一点点
Si MOSFET管因为其输入阻抗高，随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。世
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业界首款全SiC功率模块问世：开关效率提升10倍
集LED照明解决方案、化合物半导体材料、功率器件和射频于一体的全球著名制造商和行业领先者CREE公司于近日推出一款全碳化硅半桥功率模块 CAS300M17BM2。业界首款全碳化硅1.7kV功率模块的诞生更加确立了CREE公司在碳
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日立推出车新型SiC逆变器，电力损耗减少60%
日立制作所和日立汽车系统公司2015年9月28日宣布，面向混合动力车和纯电动汽车开发出了高效率、高功率的逆变器。与日立的原产品相比，新产品的电力损耗削减60%，相同体积下
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变频器重点技术的开发现状
1 概述安川电机公司自1974 年对电动机控制用的晶体管变频器实现产品化以来，一直推动着电力电子技术与微电子技术的进展，为变频器驱动领域提供了配置最新技术的先进产品。近
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不断发展的ROHM最新功率元器件
用于功率转换的半导体功率元器件，由于对所有设备的节能化贡献巨大，其未来的技术发展动向受到业界广泛关注。ROHM针对这种节能化要求日益高涨的历史潮流，致力将在使分立半
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业界首款900V SiC MOSFET,导通电阻65 mΩ
SiC市场领导者Cree(科锐公司)近期推出了首款能够突破业界SiC功率器件技术的900V MOSFET平台。该款升级版平台，基于Cree的SiC平面技术从而扩展了产品组合，能够应对市场更新的设计挑战，可用于更高直流母线电压。且领
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SiC功率模块关键在价格，核心在技术
21ic讯，日前，碳化硅（SiC）技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 m?半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱
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2015 ROHM科技展，尽显“罗姆对智能生活的贡献”
在物联网潮流的推动下，围绕家居以及生活的智能化成为了全球科技企业争相投入重兵的领域。据Juniper Research最新研究，到2018年，智能家居市场总规模将达到710亿美元，中国智能家居市场规模将达到1396亿人民币，约
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2015 ROHM科技展，尽显“罗姆对智能生活的贡献”
在物联网潮流的推动下，围绕家居以及生活的智能化成为了全球科技企业争相投入重兵的领域。据Juniper Research最新研究，到2018年，智能家居市场总规模将达到710亿美元，中国智能家居市场规模将达到1396亿人民币，约占全球总规模的32%。其实，智能家居还只是智能生活的一小部分，包括智能建筑、智能交通、智能医疗等跟我们的生活息息相关的方方面面，都属于智能生活的范畴。可以预见，未来智能生活的市场容量可谓空前，这也为智能设备的基础--电子元器件提供了巨大商机。基于此背景，ROHM于2015年6月~8月在全国5个城市举办了以 “罗姆对智能生活的贡献”为主题的“2015 ROHM科技展”。
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探讨基于SiC集成技术的生物电信号采集方案
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体
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