-
PV逆变器应用市场需求升温 推动SiC功率元件发展
【导读】SiC功率元件具高频和耐高温特性，不仅可较传统硅功率半导体，提供更高的电源转换效率，更可减少所需的电容和感测器数量，已吸引愈来愈多太阳能逆变器制造商青睐。 摘要： SiC功率元件具高频和耐高温特性
-
GaN和SiC技术将成太阳能逆变器竞争优势
【导读】随着GaN和SiC器件进入市场，将为小型系统带来最大的竞争优势，如用于住宅和商业太阳能设施的微型逆变器和小型串式逆变器。这些强大的优势包括：更低的均化电力成本，提升通过租赁和电力购买协议而销售的电能
-
SiC和GaN生产普及 不再是“下一代”
【导读】住友电工也参战 日本企业中也有首次展出SiC器件的新军住友电工。该公司展出的全SiC功率模块不仅使用了SiC MOSFET，还使用了SiC肖特基势垒二极管（SBD） 摘要： 住友电工也参战 日本企业中也有首次展出S
-
美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列
致力于提供功率、安全、可靠与高性能半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(MicrosemiCorporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC)推出全新碳化硅(SiliconCarbide,SiC)MOSFET产品系列─1200V解决方案。这系列创新S
-
美高森美发布用于高压工业应用的创新SiC MOSFET系列
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件与SiC功率模块相辅相成，显着提升高压应用的系统效率，并提供最大功效，帮助客户开发更轻、更小、更可靠的系统设计21ic讯 美高森美公司(Micros
-
GTAT专利技术Merlin助力光伏产业前行
多晶硅市场的发展与整个光伏产业的发展息息相关。在过去的几年里，整个光伏产业链都遇到了很多的问题，产能利用率并不是很高，很多中国的公司也受到了产业不景气的影响，几乎没有公司进行产能扩张。但是最近我们注意
-
丰田用SiC开发出高效率功率半导体
丰田汽车公司与电装株式会社、丰田中央研究所株式会社合作，利用新材料SiC开发出了一种功率半导体。这种SiC功率半导体预计将用于控制混合动力车等的电动机驱动力的动力控制单元上，今后1年之内将会在公共道路上开始进
-
CISSOID公司与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售CISSOID产品的经销协议
【导读】中国北京与比利时 Mont-Saint-Guibert，2014 年 5 月 5 日——高温及长寿命半导体解决方案方面的领先供应商 CISSOID 公司，宣布与上海诺卫卡电子科技有限公司签订在华销售其产品的重大经销协议。诺卫卡公司现
-
安捷伦推出支持 SSIC、CSI-3 接口的协议分析仪
21ic讯 安捷伦科技公司日前宣布，用于下一代移动计算应用的 U4431A MIPI® M-PHY® 协议分析仪增加了 SSIC 和 CSI-3 支持。新增支持能够帮助研发和制造工程师深入分析 MIPI M-PHY 设计。CSI-3(数字相机串行接
-
新型SiC功率器件在Boost电路中的应用分析
摘要：分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性，以升压斩波电路为载体，通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响，以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时，以SiC MOSFET功率器件为核心搭建
-
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
-
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
-
新一代功率半导体加速导入 元器件厂商拼杀
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
-
新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
-
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
-
新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
-
新一代功率半导体：元件开发竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业
徐俊成123
徐俊成123
hyrzwwy
hyrzwwy
hyrzwwy
c126
393994856
DianGongN
美思电子
adofu2008
Name_006
lzhj881506
Davy楷
1122徐
gck_2009
之一知足
之一知足
之一知足
之一知足
之一知足
