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功率半导体采用新型材料 更能符合节能需求
市场研究机构IMSResearch预测，全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后，2012年将进一步成长5.0%，达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示，经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年，导
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功率半导体采用新型材料 更能符合节能需求
市场研究机构IMSResearch预测，全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后，2012年将进一步成长5.0%，达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示，经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年，导
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功率半导体采用新型材料，更能符合节能需求
市场研究机构IMSResearch预测，全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后，2012年将进一步成长5.0%，达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示，经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年，导
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组件小型化，满足混合动力汽车需求
值此石油价格及环保意识高涨之际，采用新能源的车辆开发备受关注，但是受限于技术进展及配套措施，中国大陆的混合动力汽车及纯电动汽车销量仍然偏少。根据中国大陆汽车工业协会的统计数据显示，今年一季度中国大陆国
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组件小型化，满足混合动力汽车需求
值此石油价格及环保意识高涨之际，采用新能源的车辆开发备受关注，但是受限于技术进展及配套措施，中国大陆的混合动力汽车及纯电动汽车销量仍然偏少。根据中国大陆汽车工业协会的统计数据显示，今年一季度中国大陆国
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GaN发展势头迅猛 提前达到10亿美元市场规模
虽然现在只是初期阶段，但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800万美元的资金（主要投向美国Transphorm公司）。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN发展势头迅猛 提前达到10亿美元市场规模
虽然现在只是初期阶段，但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800万美元的资金（主要投向美国Transphorm公司）。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT（信息通信）
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GaN发展将比预想更早形成10亿美元市场
即使目前只是初期阶段，但GaN却为功率器件厂商及LED提供了非常大的可能性。在2009年以后，至少吸引了8800万美元的资金(主要投向美国Transphorm公司)。使用GaN的器件能够给消费类电子产品、照明器具及IT(信息通信)设备
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Yole 预估2012年功率半导体规模将达200亿美元
市调机构 Yole Developpement 指出，包括分立式半导体、模块和IC在内的功率组件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用，以及从太阳能逆变器到照明、加热器等多种应用，产品范围从几
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Yole 预估2012年功率半导体规模将达200亿美元
市调机构 Yole Developpement 指出，包括分立式半导体、模块和IC在内的功率组件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用，以及从太阳能逆变器到照明、加热器等多种应用，产品范围从几
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潜力无限，GaN市场2013年起飞
导读：自2011年以来，50-250伏特(V)负载点(Point-of-load)及高阶功率元件的市场需求不断高涨，而目前新的GaN元件规格已能符合此一耐压区间，将借更优异的材料特性，快速在市场上崛起。虽然氮化镓(GaN)功率半导体(Pow
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Yole：2012年功率半导体市场200亿美元
市调机构YoleDeveloppement指出，包括分立式半导体、模组和IC在内的功率元件市场规模预估2012年将达到200亿美元。这些产品可满足新兴的混合动力车应用，以及从太阳能逆变器到照明、加热器等多种应用，产品范围从几伏
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日本铁路致力于高效节能 采用LED SiC新型半导体
受东日本大地震和少子老龄化等影响，日本铁路行业的业务环境正在发生巨变。本站将分两次介绍铁路技术第一线的情况。首先是为实现节能而采取的举措。 日本的铁路行业如今处在剧烈的环境变化之中。对节能要求严格是重大
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品牌DNA成就罗姆在半导体行业的影响力
在近期广东省计划三年内普及LED公共照明的利好政策下，6月的广州照明展无疑成为最大的关注话题。作为亚洲最大规模的照明展览会，为期4天的广州照明展吸引了国内外知名展商的踊跃报名。业界知名的半导体制造商罗姆(RO
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USB的芯片互连标准SSIC正式推出
USB的芯片互连标准SSIC正式推出
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英飞凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列
21ic讯 — 在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC（碳化硅）产品市场的领先地
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英飞凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列器件
21ic讯 在“2012年欧洲电力电子、智能运动、电能品质国际研讨会与展览会”上，英飞凌科技股份公司推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，该产品系列增强了英飞凌在SiC（碳化硅）产品市场的领先地位。这个
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装
21ic讯 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的
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罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装并开始量产
21IC讯 日本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗低，可靠性高，在各种应
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罗姆开发出SiC肖特基势垒二极管SCS210AG/AM
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路，开发出实现业界最小※正向电压（VF＝1.35V）的第二代SiC（Silicon Carbide：碳化硅）肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM&rdquo
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