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瑞萨推出在单一封装中集成电源转换电路的SiC功率器件系列
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组
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瑞萨推出低损耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款
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瑞萨推出在单一封装中集成电源转换电路的SiC功率器件系列
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组
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瑞萨推出低损耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款
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国内首款数字高清解码系统芯片在北部诞生
日前，北部新区高新科技企业重庆四联微电子有限公司，成功研发出国内第一款高清数字电视机顶盒系统主芯片SIC 8008，标志着我国第一款高清数字电视机顶盒系统主芯片在重庆北部新区诞生。由北部新区国资创业投资公司--
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摩根大通：Leap和MetroPCS或成AT&T收购目标
北京时间12月30日下午消息（艾斯）根据彭博社报道，摩根大通公司表示，随着AT&T 390亿美元收购T-Mobile美国宣告失败，美国移动运营商Leap Wireless和MetroPCS Communications或许将成为AT&T或T-Mobile的收购目标。摩
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在日企中是首次—新日铁开发出用于功率元件的6英寸SiC基板
6英寸SiC基板（点击放大） 发布会上（点击放大） 新日本制铁（新日铁）开发出了用于SiC功率元件的6英寸（150mm）直径SiC基板。6英寸产品的开发成果仅次于在SiC基板业务中份额居首的美国科锐（Cree）公司，在日
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罗姆与APEI联合开发出SiC沟槽MOS模块
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC
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罗姆与APEI联合开发出高速、大电流的SiC沟槽MOS模块
21ic讯 罗姆株式会社日前面向EV、HEV车（电动汽车、混合动力车）及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块&l
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罗姆开发出可在高温条件下工作的压铸模类型SiC功率模块
21ic讯 罗姆株式会社日前面向EV/HEV车（电动汽车/混合动力车）和工业设备的变频驱动，开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂，世界首家实现了压铸模类型、225℃
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全球晶圆制造产能统计报告出炉
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告 (wafermanufacturingcapacitystatistics)显示，2011年第二季全球晶片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会(SI
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晶圆代工大厂退出 SICAS产能统计代表性不再
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告(wafer manufacturing capacity statistics)显示， 2011年第二季全球芯片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会
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晶圆代工大厂退出 SICAS产能统计代表性不再？
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告(wafermanufacturingcapacitystatistics)显示，2011年第二季全球晶片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会(SIC
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晶圆代工大厂退出 SICAS产能统计代表性不再？
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告(wafermanufacturingcapacitystatistics)显示，2011年第二季全球芯片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会(SIC
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晶圆代工大厂退出 SICAS产能统计代表性不再？
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告(wafer manufacturing capacity statistics)显示， 2011年第二季全球晶片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会
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京瓷展示用于SiC功率元件的封装和基板
容许电流分别为15A（左）和50A（右）的封装（点击放大） 封装的解说板（点击放大） 可双芯片封装SiC功率元件的功率模块基板（点击放大） 降低了寄生电感成分的功率模块基板（点击放大） 解说板（点击放
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SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品
晶圆(基板)左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板厂商都在手开发口径6英寸(150mm)的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸(100mm)。将口径增大到6英寸，有利于提高SiC制功率元
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SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品
晶圆(基板)左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板厂商都在手开发口径6英寸(150mm)的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸(100mm)。将口径增大到6英寸，有利于提高SiC制功率元
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设计驱动您的业务，业务驱动您的发展
以极具艺术气息的沙画表演作为开场白，达索析统SolidWorks公司2011年创新日活动拉开了序幕。在2011年9月20日到10月21日这一个月的时间里，中国的45家SolidWorks经销商，将在55个不同城市举办85场创新日发布会，向现
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SiC国际会议：从功率元件到传感器和集成电路
作为新一代功率半导体材料而备受关注的SiC国际会议“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(当地时间)在美国俄亥俄州克利夫兰举行。会上围绕着SiC基板(晶圆)、元件工艺、各种元件以及相关电路应用等题目进行了成果发表。虽
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