-
世界首家“全SiC”功率模块开始量产
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)构成。此产品安装在工业设备
-
TSic系列高精度温度传感器的应用
摘要：数字温度传感器因其低成本、易使用、无需校准等特点近年来得到广泛应用，其中以DS18B20为代表。目前常用的数字温度传感器与传统的铂温度传感器相比，测量精度还不够高。本文介绍的TSic系列的精度可达到±
-
罗姆“全SiC”功率模块开始量产
21ic讯 罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块（额定1200V/100A）开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构成。 此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力
-
SiC/GaN功率半导体面临测试新挑战
半导体材料最近引来不少关注。在功率半导体领域，硅对于设备生产商的运行性能已经逼近极限。功率半导体用户需要更高效的、切换时损失电力不那么多的设备。 因此功率半导体厂商开始转向替代材料，更具体地说是碳化硅
-
国际局势扑朔迷离，国内厂商应抓住新能源机遇
欧债危机让欧洲各国自顾不暇，对外需求大降；美国失业率居高不下，又面临大选，政策摇摆不定；中东局势紧张，随时可能开火。整体感觉，2012年经济形势不太淡定，从去年下半年开始，传统行业需求开始降低，新能源产业
-
瑞萨推出在单一封装中集成电源转换电路的SiC功率器件系列
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组
-
瑞萨推出低损耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款
-
瑞萨推出在单一封装中集成电源转换电路的SiC功率器件系列
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨电子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）复合功率器件，它们是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款产品在单一封装中结合了多个碳化硅二极管和多个功率晶体管，组
-
瑞萨推出低损耗碳化硅功率器件RJS6005TDPP
21ic讯 瑞萨电子株式会社（以下简称“瑞萨”）宣布开发出了肖特基势垒二极管（SBD）RJS6005TDPP，该器件采用了碳化硅材料（SiC，注1）——这种材料被认为具有用于功率半导体器件的巨大潜力。这款
-
国内首款数字高清解码系统芯片在北部诞生
日前，北部新区高新科技企业重庆四联微电子有限公司，成功研发出国内第一款高清数字电视机顶盒系统主芯片SIC 8008，标志着我国第一款高清数字电视机顶盒系统主芯片在重庆北部新区诞生。由北部新区国资创业投资公司--
-
摩根大通：Leap和MetroPCS或成AT&T收购目标
北京时间12月30日下午消息（艾斯）根据彭博社报道，摩根大通公司表示，随着AT&T 390亿美元收购T-Mobile美国宣告失败，美国移动运营商Leap Wireless和MetroPCS Communications或许将成为AT&T或T-Mobile的收购目标。摩
-
在日企中是首次—新日铁开发出用于功率元件的6英寸SiC基板
6英寸SiC基板（点击放大） 发布会上（点击放大） 新日本制铁（新日铁）开发出了用于SiC功率元件的6英寸（150mm）直径SiC基板。6英寸产品的开发成果仅次于在SiC基板业务中份额居首的美国科锐（Cree）公司，在日
-
罗姆与APEI联合开发出SiC沟槽MOS模块
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC
-
罗姆与APEI联合开发出高速、大电流的SiC沟槽MOS模块
21ic讯 罗姆株式会社日前面向EV、HEV车（电动汽车、混合动力车）及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块&l
-
罗姆开发出可在高温条件下工作的压铸模类型SiC功率模块
21ic讯 罗姆株式会社日前面向EV/HEV车（电动汽车/混合动力车）和工业设备的变频驱动，开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂，世界首家实现了压铸模类型、225℃
-
全球晶圆制造产能统计报告出炉
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告 (wafermanufacturingcapacitystatistics)显示，2011年第二季全球晶片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会(SI
-
晶圆代工大厂退出 SICAS产能统计代表性不再
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告(wafer manufacturing capacity statistics)显示， 2011年第二季全球芯片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会
-
晶圆代工大厂退出 SICAS产能统计代表性不再？
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告(wafermanufacturingcapacitystatistics)显示，2011年第二季全球晶片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会(SIC
-
晶圆代工大厂退出 SICAS产能统计代表性不再？
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告(wafermanufacturingcapacitystatistics)显示，2011年第二季全球芯片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会(SIC
-
晶圆代工大厂退出 SICAS产能统计代表性不再？
美国半导体产业协会(SIA)最新公布的全球晶圆制造产能统计报告(wafer manufacturing capacity statistics)显示， 2011年第二季全球晶片制造产能比第一季减少了14%；不过该报告也强调，与过去的国际半导体产能统计协会
liy1979
oy706659037
kickfox
iwqt1983
ding526637566
qinzhengxiang
godfarmer76
xcopy001
george_91
haorui2020
Steven767
zbhcqu
zbhcqu
xiaoqihuaihuai
wml30
carl521
a19930615
oo020200220
鑫越电子
chenARM
