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硅衬底，跻身主流待何时？
衬底作为半导体照明产业的核心技术，是产业发展的基石，衬底材料的选用直接决定了LED芯片的制造路线。日前，普瑞光电宣布明年将量产8英寸硅衬底的消息引起了业界的格外关注。随后，Cree也发布消息称，其白光功率型LE
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技术讲座：用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件
与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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抢攻节能商机日本产官学合组SiC晶片研发团队
日本产业技术总合研究所(产总研)27日发布新闻稿宣布，携手富士电机(FujiElectric)、住友电工(SumitomoElectricIndustries)、ALVAC等16家日本企业设立的电源控制晶片共同研发团队「TsukubaPower-ElectronicsConstella
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技术讲座：用氧化镓能制造出比SiC性价比更高的功率元件
与SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐压且低损失的功率半导体元件，因而引起了极大关注。契机源于日本信息通信研究机构等的研究小组开发出的β-Ga2O3晶体管。下面请这些研究小组的技术人员，以论
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适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准
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适合各种电源应用的碳化硅肖特基二极管
功率因数校正(PFC)市场主要受与降低谐波失真有关的全球性规定影响。欧洲的EN61000-3-2是交直流供电市场的基本规定之一，在英国、日本和中国也存在类似的标准。EN61000-3-2规定了所有功耗超过75W的离线设备的谐波标准
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LED外延片介绍及辨别质量方法介绍
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激
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LED外延片介绍及辨别质量方法介绍
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激
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罗姆：依靠高品质赢得市场
日本企业最令人称道的地方就是对于产品品质无止境的追求，而罗姆更是其中的佼佼者。在21ic记者访问慕尼黑上海电子展罗姆展台的时候，展台工程师使用频率最多的一个词就是“品质”。 在本次展会上，罗姆以
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罗姆（ROHM）四大战略重装上阵
经过50多年的发展，罗姆（ROHM）已经成为大型的跨国集团公司，在全球拥有多家开发、生产、销售分支机构。在其产品销售额中，包括IC和分立元器件在内的半导体产品占80%以上。以系统IC为首，罗姆拥有丰富多彩的半导体产
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LED外延片基础知识
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激
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直流开关电源的新技术应用与发展
摘要：随着电子技术和通信业的快速发展，高频开关电源的应用越来越广，开关频率的持续提高使开关电源的性能也得以进一步优化，集成度更高，功耗更低，电路更加简单，工作更加可靠，是开关电源发展的方向。目前，高频
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LED外延片基础知识
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激
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采用IMEC的SiC技术完成生物电信号采集
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积
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罗姆“全SiC”功率模块开始量产
21ic讯 罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块（额定1200V/100A）开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构成。 此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力
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世界首家“全SiC”功率模块开始量产
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)推出的“全SiC”功率模块(额定1200V/100A)开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC(Silicon Carbide：碳化硅)构成。此产品安装在工业设备
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TSic系列高精度温度传感器的应用
摘要：数字温度传感器因其低成本、易使用、无需校准等特点近年来得到广泛应用，其中以DS18B20为代表。目前常用的数字温度传感器与传统的铂温度传感器相比，测量精度还不够高。本文介绍的TSic系列的精度可达到±
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罗姆“全SiC”功率模块开始量产
21ic讯 罗姆株式会社推出的“全SiC”功率模块（额定1200V/100A）开始投入量产。该产品的内置功率半导体元件全部采用SiC（Silicon Carbide：碳化硅）构成。 此产品安装在工业设备和太阳能电池等中负责电力
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SiC/GaN功率半导体面临测试新挑战
半导体材料最近引来不少关注。在功率半导体领域，硅对于设备生产商的运行性能已经逼近极限。功率半导体用户需要更高效的、切换时损失电力不那么多的设备。 因此功率半导体厂商开始转向替代材料，更具体地说是碳化硅
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国际局势扑朔迷离，国内厂商应抓住新能源机遇
欧债危机让欧洲各国自顾不暇，对外需求大降；美国失业率居高不下，又面临大选，政策摇摆不定；中东局势紧张，随时可能开火。整体感觉，2012年经济形势不太淡定，从去年下半年开始，传统行业需求开始降低，新能源产业
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