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京瓷展示用于SiC功率元件的封装和基板
容许电流分别为15A（左）和50A（右）的封装（点击放大） 封装的解说板（点击放大） 可双芯片封装SiC功率元件的功率模块基板（点击放大） 降低了寄生电感成分的功率模块基板（点击放大） 解说板（点击放
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SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品
晶圆(基板)左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板厂商都在手开发口径6英寸(150mm)的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸(100mm)。将口径增大到6英寸，有利于提高SiC制功率元
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SiC基板厂商纷纷开发6英寸产品
晶圆(基板)左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板厂商都在手开发口径6英寸(150mm)的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸(100mm)。将口径增大到6英寸，有利于提高SiC制功率元
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设计驱动您的业务，业务驱动您的发展
以极具艺术气息的沙画表演作为开场白，达索析统SolidWorks公司2011年创新日活动拉开了序幕。在2011年9月20日到10月21日这一个月的时间里，中国的45家SolidWorks经销商，将在55个不同城市举办85场创新日发布会，向现
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SiC国际会议：从功率元件到传感器和集成电路
作为新一代功率半导体材料而备受关注的SiC国际会议“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(当地时间)在美国俄亥俄州克利夫兰举行。会上围绕着SiC基板(晶圆)、元件工艺、各种元件以及相关电路应用等题目进行了成果发表。虽
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SiC国际会议：从功率元件到传感器和集成电路
作为新一代功率半导体材料而备受关注的SiC国际会议“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(当地时间)在美国俄亥俄州克利夫兰举行。会上围绕着SiC基板(晶圆)、元件工艺、各种元件以及相关电路应用等题目进行了成
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京都大学：“250℃高温下工作，电流放大率依然高达127”
图1：使用SiC的Si面时，BJT的电流放大率（点击放大） 图2：使用SiC的C面时，BJT的电流放大率（点击放大） 日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“ICSCRM 2011”上公布了正在研发的SiC制BJT（bip
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【ICSCRM】SiC基板厂商纷纷宣布支持6英寸产品
SiC晶圆（基板）左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到，很多SiC基板厂商都在手开发口径6英寸（150mm）的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸（100mm）。将口径增大到6英寸，有利于提高S
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浪潮华光立足产学研 打造一流光电企业
今年，山东浪潮华光光电子有限公司（简称“浪潮华光”）喜讯频传：该公司承担的国家发改委信息产业振兴项目半导体照明用外延片、管芯、器件及应用产品研发项目通过国家验收；承担的国家863计划项目“激光显示”和山东
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基于TMS320C6416的语音净化系统
目前针对语音识别提出了很多算法,但是这些研究基本上都是基于较为纯净的语音环境,一旦待识别的环境中有噪声和干扰,语音识别就会受到严重影响.如果能实现噪声和语音的自动分离,即在识别前就获得较为纯净的语音,可以彻
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基于TMS320C6416的语音净化系统
基于TMS320C6416的语音净化系统
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普利司通试制出功率元件用5英寸SiC基板
试制的5英寸SiC基板（点击放大） 普利司通试制出了SiC功率半导体元件制造（以下称功率元件）用5英寸口径SiC基板。该公司此前已在投产功率元件用2～4英寸口径SiC基板。据称此次试制的5英寸品具有与传统产品“相同水
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台湾半导体产值成长率再次下调
台湾的半导体产业产值成长率近日再度下修成长率，预估今年半导体产业产值跌幅将继续扩大至-11.3％，其中又以晶圆代工和存储器的调降幅度较大。研院IEK系统IC与制程研究部经理杨瑞临指出，8月10日发表的数字是IEK协助
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富士电机拟扩增SiC功率半导体产线
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线，此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线，未来预计在2012年春季开始量产。富士电机将
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评测SiC功率模块封装材料的产学合作项目最新进展
开发的水冷式SiC功率模块的构造（点击放大） 评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目“KAMOME-PJ”的最新进展，在2011年9月6日于横滨信息文化中心举行的YJC（横滨高度封装技术联盟）成立5周年纪念研讨会上
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扩增SiC功率半导体产线 富士电机增大生产规模
富士电机于2011年会计年度（2010年4月~2011年3月）对功率半导体的投资额高达185亿日圆（约2.4亿美元），约占该公司总投资额的一半。士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野
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富士电机拟扩增SiC功率半导体产线
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线，此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线，未来预计在2012年春季开始量产。 富
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富士电机拟扩增SiC功率半导体产线 预计2012年春季开始量产
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线，此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线，未来预计在2012年春季开始量产。富士电机将
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HR:简历细节决定成败
为什么是你？为什么是我？ 经过这些年的思想灌输，大部分求职者都有这样一个意识：HR阅读每封简历的时间相当有限，花15秒进行简历的粗略浏览，而阅读感兴趣的简历不超过120秒。那么，在如此短的时间内HR评判简历&
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HR:简历细节决定成败
HR:简历细节决定成败
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