作为新一代功率半导体材料而备受关注的SiC国际会议“ICSCRM2011”于2011年9月11~16日(当地时间)在美国俄亥俄州克利夫兰举行。会上围绕着SiC基板(晶圆)、元件工艺、各种元件以及相关电路应用等题目进行了成
图1:使用SiC的Si面时,BJT的电流放大率(点击放大) 图2:使用SiC的C面时,BJT的电流放大率(点击放大) 日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“ICSCRM 2011”上公布了正在研发的SiC制BJT(bip
SiC晶圆(基板)左右着SiC功率元件的成本和性能。在ICSCRM上可以看到,很多SiC基板厂商都在手开发口径6英寸(150mm)的产品。现在生产的功率元件SiC基板的最大口径为4英寸(100mm)。将口径增大到6英寸,有利于提高S
今年,山东浪潮华光光电子有限公司(简称“浪潮华光”)喜讯频传:该公司承担的国家发改委信息产业振兴项目半导体照明用外延片、管芯、器件及应用产品研发项目通过国家验收;承担的国家863计划项目“激光显示”和山东
目前针对语音识别提出了很多算法,但是这些研究基本上都是基于较为纯净的语音环境,一旦待识别的环境中有噪声和干扰,语音识别就会受到严重影响.如果能实现噪声和语音的自动分离,即在识别前就获得较为纯净的语音,可以彻
基于TMS320C6416的语音净化系统
试制的5英寸SiC基板(点击放大) 普利司通试制出了SiC功率半导体元件制造(以下称功率元件)用5英寸口径SiC基板。该公司此前已在投产功率元件用2~4英寸口径SiC基板。据称此次试制的5英寸品具有与传统产品“相同水
台湾的半导体产业产值成长率近日再度下修成长率,预估今年半导体产业产值跌幅将继续扩大至-11.3%,其中又以晶圆代工和存储器的调降幅度较大。研院IEK系统IC与制程研究部经理杨瑞临指出,8月10日发表的数字是IEK协助
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线,此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线,未来预计在2012年春季开始量产。富士电机将
开发的水冷式SiC功率模块的构造(点击放大) 评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目“KAMOME-PJ”的最新进展,在2011年9月6日于横滨信息文化中心举行的YJC(横滨高度封装技术联盟)成立5周年纪念研讨会上
富士电机于2011年会计年度(2010年4月~2011年3月)对功率半导体的投资额高达185亿日圆(约2.4亿美元),约占该公司总投资额的一半。士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线,此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线,未来预计在2012年春季开始量产。 富
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体,并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线,此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线,未来预计在2012年春季开始量产。富士电机将
为什么是你?为什么是我? 经过这些年的思想灌输,大部分求职者都有这样一个意识:HR阅读每封简历的时间相当有限,花15秒进行简历的粗略浏览,而阅读感兴趣的简历不超过120秒。那么,在如此短的时间内HR评判简历&
HR:简历细节决定成败
引言 随着现代技术的发展, 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅( SiC) , 具有宽禁带、高热导率、高击穿场
BridgELux是一家涉及led的生产和固态照明科技的研发领域的公司。根据美国证交会呈报,在第五轮募资中,Bridgelux筹集到6千万美元。迄今为止Bridgelux募资总数已达1.8亿美元,并且在新的一轮募资中Bridgelux或许还将募
目前,TD-SCDMA网络正处在逐步完善的阶段,存在一些覆盖空洞和覆盖边缘弱场强情况,这就必须引进2G/3G互操作的技术。若在TD网络覆盖空洞和覆盖边缘区域中现有的GSM网络覆盖良好,则可选择一些2G/3G互操作机制,使用
目前,TD-SCDMA网络正处在逐步完善的阶段,存在一些覆盖空洞和覆盖边缘弱场强情况,这就必须引进2G/3G互操作的技术。若在TD网络覆盖空洞和覆盖边缘区域中现有的GSM网络覆盖良好,则可选择一些2G/3G互操作机制,使用
7月19日消息,据国外媒体报道,为更加满足大家对音乐播放的要求,最近又有两款新的音乐播放程序推出。其中一款是是由美国在线(以下简称AOL)专为iPhone设计的PLAY软件,通过它可以分享到在Facebook和Twitter上所听过