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最新统计：2011年第一季全球晶圆厂产能利用率93.7%

美国半导体产业协会(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圆制造产能统计报告(SICAS)，相关显示大多数区域的晶圆厂产能利用率都在九成以上，整体半导体产能利用率为93.7%；事实上，半导体产业产能在第一季仍接近售罄的状

2011年Q1全球晶圆厂产能利用率93.7%

美国半导体产业协会(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圆制造产能统计报告(SICAS)，相关显示大多数区域的晶圆厂产能利用率都在九成以上，整体半导体产能利用率为93.7%；事实上，半导体产业产能在第一季仍接近售罄的状

探讨基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

探讨基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

IGBT：新应用带动革新 国内仍处追赶阶段

前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车，中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下，大功率IGBT迎来了新的春天，而这些应用带来新的课题，与之相

科锐推出新型碳化硅肖特基二极管系列

碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推

星徽LSIB,LSIC型空调扇电路图

IBM开发出首款基于SiC晶圆的石墨烯集成电路

IBM研究中心公开了首款通过晶圆尺寸石墨烯制造出的集成电路，并展示了频率高达10GHz的宽带混频器。这款模拟集成电路有一个石墨烯晶体管和一对整合在碳化硅晶圆上的电感器构成，以无线通信应用为目标。该集成电路像宽

LED外延片介绍及辨别质量方法

外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激

谷歌苹果出席参议院听证会为隐私政策辩护

新浪科技讯 北京时间5月11日凌晨消息，苹果和谷歌周二出席了美国参议院举行的听证会上，对各自的隐私政策进行了辩解。 苹果软件业务副总裁盖伊•特里布尔(Guy Tribble)说，“苹果致力于保护我们所有用户的

未来五年将会是LED产业的黄金增长期

led被称为第四代照明光源或绿色光源，是一种半导体固体发光器件。在1955年时，美国无线电公司的RubinBraunstein发现了砷化镓（GaAs）及其他半导体合金的红外线放射作用，1962年美国通用电气公司（GE）的NickHolonyak

LED外延片介绍及辨别质量方法

外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激

新日铁与科锐签订SiC基板专利相互授权协议

2011年4月25日在东京都内召开了新闻发布会。（点击放大） 新日本制铁（新日铁）与美国科锐就新一代功率半导体等采用的SiC基板，签订了双方在全球所拥有专利的相互授权协议。双方可相互利用SiC块体基板和外延基板方

新日铁增加SiC基板产能，2011年内上市外延基板

新日铁的SiC基板产品群（点击放大） 基板质量出色（点击放大） 新日本制铁（新日铁）计划在2012年3月底之前，将新一代功率半导体用4英寸（100mm）以下口径的SiC基板产能增至目前约3倍的1000枚/月。为满足SiC基

飞兆半导体收购TranSiC公司 试水碳化硅领域

为了满足半导体应用提高效率和性能的需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor） 宣布收购碳化硅 （Silicon Carbide; SiC） 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术

飞兆收购TranSiC 引入碳化硅技术扩展产品创新

21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。这项收购为飞兆半导体带来获经验证效率的业界领先双极SiC晶体管技术、

飞兆收购TranSiC 引入碳化硅技术扩展产品创新

21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。这项收购为飞兆半导体带来获经验证效率的业界领先双极SiC晶体管技术、

飞兆半导体收购SiC公司TranSiC

飞兆半导体公司日前发布声明，称已收购了碳化硅功率二极管公司TranSiC，但交易金额并没有透露。 飞兆半导体董事会主席、CEO兼总裁Mark Thompson在一份声明中指出：“碳化硅技术可以与飞兆半导体现有的MOS

SiC基板专利综合实力前三位为电装、科锐、新日本制铁”

Patent Result的分析结果。（点击放大） 从事专利分析等业务的日本Patent Result，公布了用于制造SiC功率半导体元件的SiC基板相关专利的调查结果。结果显示，日本电装在“综合实力排名”中位居首位，第二位是美国

飞兆半导体收购SiC公司TranSiC

飞兆半导体公司日前发布声明，称已收购了碳化硅功率二极管公司TranSiC，但交易金额并没有透露。 飞兆半导体董事会主席、CEO兼总裁Mark Thompson在一份声明中指出：“碳化硅技术可以与飞兆半导体现有的MOS

瑞萨将上市SiC功率半导体

瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因