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SiC宽带功率放大器模块设计分析

引言　　随着现代技术的发展， 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅（ SiC） , 具有宽禁带、高热导率、高击穿场

美国Bridgelux公司募资达1.8亿美元

BridgELux是一家涉及led的生产和固态照明科技的研发领域的公司。根据美国证交会呈报，在第五轮募资中，Bridgelux筹集到6千万美元。迄今为止Bridgelux募资总数已达1.8亿美元，并且在新的一轮募资中Bridgelux或许还将募

2G/3G互操作的优化措施

目前，TD-SCDMA网络正处在逐步完善的阶段，存在一些覆盖空洞和覆盖边缘弱场强情况，这就必须引进2G/3G互操作的技术。若在TD网络覆盖空洞和覆盖边缘区域中现有的GSM网络覆盖良好，则可选择一些2G/3G互操作机制，使用

2G/3G互操作的优化措施

目前，TD-SCDMA网络正处在逐步完善的阶段，存在一些覆盖空洞和覆盖边缘弱场强情况，这就必须引进2G/3G互操作的技术。若在TD网络覆盖空洞和覆盖边缘区域中现有的GSM网络覆盖良好，则可选择一些2G/3G互操作机制，使用

美国在线为iPhone推出新版PLAY播放器

7月19日消息，据国外媒体报道，为更加满足大家对音乐播放的要求，最近又有两款新的音乐播放程序推出。其中一款是是由美国在线(以下简称AOL）专为iPhone设计的PLAY软件，通过它可以分享到在Facebook和Twitter上所听过

最新统计：2011年第一季全球晶圆厂产能利用率93.7%

美国半导体产业协会(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圆制造产能统计报告(SICAS)，相关显示大多数区域的晶圆厂产能利用率都在九成以上，整体半导体产能利用率为93.7%；事实上，半导体产业产能在第一季仍接近售罄的状

2011年Q1全球晶圆厂产能利用率93.7%

美国半导体产业协会(SIA)日前公布了 2011年第一季的晶圆制造产能统计报告(SICAS)，相关显示大多数区域的晶圆厂产能利用率都在九成以上，整体半导体产能利用率为93.7%；事实上，半导体产业产能在第一季仍接近售罄的状

探讨基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

探讨基于SiC集成技术的生物电信号采集方案

IGBT：新应用带动革新 国内仍处追赶阶段

前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车，中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下，大功率IGBT迎来了新的春天，而这些应用带来新的课题，与之相

科锐推出新型碳化硅肖特基二极管系列

碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec 碳化硅(SiC)肖特基二极管组成，不仅优化了价格和性能，还可提供多种额定电流和封装选择。通过推

星徽LSIB,LSIC型空调扇电路图

IBM开发出首款基于SiC晶圆的石墨烯集成电路

IBM研究中心公开了首款通过晶圆尺寸石墨烯制造出的集成电路，并展示了频率高达10GHz的宽带混频器。这款模拟集成电路有一个石墨烯晶体管和一对整合在碳化硅晶圆上的电感器构成，以无线通信应用为目标。该集成电路像宽

LED外延片介绍及辨别质量方法

外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(P极，N极)，接下来就用激

谷歌苹果出席参议院听证会为隐私政策辩护

新浪科技讯 北京时间5月11日凌晨消息，苹果和谷歌周二出席了美国参议院举行的听证会上，对各自的隐私政策进行了辩解。 苹果软件业务副总裁盖伊•特里布尔(Guy Tribble)说，“苹果致力于保护我们所有用户的

未来五年将会是LED产业的黄金增长期

led被称为第四代照明光源或绿色光源，是一种半导体固体发光器件。在1955年时，美国无线电公司的RubinBraunstein发现了砷化镓（GaAs）及其他半导体合金的红外线放射作用，1962年美国通用电气公司（GE）的NickHolonyak

LED外延片介绍及辨别质量方法

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新日铁与科锐签订SiC基板专利相互授权协议

2011年4月25日在东京都内召开了新闻发布会。（点击放大） 新日本制铁（新日铁）与美国科锐就新一代功率半导体等采用的SiC基板，签订了双方在全球所拥有专利的相互授权协议。双方可相互利用SiC块体基板和外延基板方

新日铁增加SiC基板产能，2011年内上市外延基板

新日铁的SiC基板产品群（点击放大） 基板质量出色（点击放大） 新日本制铁（新日铁）计划在2012年3月底之前，将新一代功率半导体用4英寸（100mm）以下口径的SiC基板产能增至目前约3倍的1000枚/月。为满足SiC基

飞兆半导体收购TranSiC公司 试水碳化硅领域

为了满足半导体应用提高效率和性能的需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor） 宣布收购碳化硅 （Silicon Carbide; SiC） 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术

飞兆收购TranSiC 引入碳化硅技术扩展产品创新

21ic讯 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 宣布收购碳化硅 (Silicon Carbide; SiC) 功率晶体管企业TranSiC公司，扩展其领先的技术能力。这项收购为飞兆半导体带来获经验证效率的业界领先双极SiC晶体管技术、