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【基板开发最前沿（二）】科锐及罗姆展现的SiC基板的未来
图：科锐的SiC基板。左为功率元件用4英寸品，右侧为LED用6英寸品（点击放大） “基板开发最前沿”的第二篇介绍SiC基板厂商的举措。目前使用SiC的功率半导体元件（以下称功率元件）比IGBT等Si制功率元件更有望使逆
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预估台积电2011年营收4811亿元，毛利率48.39%，税后EPS 6.59元
1.台积电对1Q11合并营收预估1,050~1,070亿元，QoQ-2.8~-4.6%；毛利率47~49%；营业利益率35~37%。IBTSIC预估台积电1Q11营收1,063亿元，QoQ-3.45%，毛利率48.17%，税后净利374.96亿元，税后EPS 1.45元。 2.IBTSIC预
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阿丽亚娜公司将为法意发射军事通信卫星
欧洲阿丽亚娜空间公司6日宣布，该公司将为意大利特莱斯帕齐奥电信公司发射一颗军事通信卫星。这颗名为Sicral-2的卫星重达4.4吨，由泰雷兹阿莱尼亚宇航公司为意大利国防部和法国武器装备总署设计制造。根据已签署的协
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罗姆丰富产品线亮相高交会
在第12届高交会电子展上，罗姆（ROHM）展出了通过自身研发、收购整合等途径不断变宽的产品线，及适用于汽车电子、LED、白色家电、IPC、手机等领域的系统解决方案。其中ROHM和OKI 半导体共同开发完成的面向Intel Atom
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罗姆加强中国布局，积累三大产品线优势
上个世纪五十年代创立初期，ROHM（罗姆）生产销售的产品只有电阻，六十年代末七十年代初，ROHM开始进入晶体管、二极管和集成电路等半导体领域，并成为了第一家进入美国硅谷的日本企业，在硅谷开设了IC设计中心。而今
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TriQuint在第10届IEEE国际固态集成电路技术会议 (ICSICT) 上发表讲演
全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商 TriQuint 半导体公司（纳斯达克：TQNT）今日宣布，TriQuint半导体公司的高级射频设计工程师 Wen Chen 女士将应邀在2010年11月4日在上海举行的第10届IEEE国际固
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富士电机开发出SiC功率元件用小型封装
富士电机开发完成了用于SiC功率半导体元件（以下：功率元件）的新封装。据富士电机介绍，体积约为原来Si功率元件封装的1/4。另外，通过采用无需引线键合的布线技术、低热电阻的绝缘底板及耐热性较高的封装树脂等，实
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Cree推出口径为6英?的SiC底板
美国LED芯片龙头Cree发?了口径为6英?，约150mm的SiC底板，6英?产品的微管密度不超过10个/cm2，主要用于LED、高频元件及功率半导体元件。 Cree目前SiC底板口径以4英?为主，6英?底板不但可以提高生产效率，还可削减
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Keil C51对标准ANSIC的扩展的学习
Keil C51对标准ANSIC的扩展的学习
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SICAS：2010年Q2的半导体生产线整体开工率达95.6％
日前，国际半导体产能统计（SICAS）2010年第二季度(4～6月)的半导体产能公布。虽然部分半导体厂商已经开始了增产投资，但因老生产线废弃，晶圆处理能力未能大幅提高。在这种情况下，由于晶圆投入量增加，半导体的整体
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解读SICAS 2010 Q1全球半导体硅片产能
SICAS(一家国际半导体数据统计机构)统计的数据中，表示采用MOS工艺以8英寸等值硅片计，另一类工艺为双极工艺，通常用在模拟电路中。除了标有300mm硅片MOS之外，双极数据以5英寸等值硅片计，而分立器件以6英寸等值硅片
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解读SICAS 2010Q1全球半导体硅片产能
SICAS是一家国际半导体数据统计机构。它统计的数据中，表示采用MOS工艺以8英寸等值硅片计，另一类工艺为双极工艺，通常用在模拟电路中。除了标有300mm硅片MOS之外，双极数据以5英寸等值硅片计，而分立器件以6英寸等值
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日本SiC业务开始启动，罗姆量产二极管
日本的SiC功率半导体元件（以下简称功率元件）业务开始全面启动。集结产官学力量，使日本获得该领域主导权的举动越来越活跃。SiC是继现有硅之后的新一代功率半导体的一种。特点是与硅功率元件相比，可以大幅削减逆变
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瞄准GaN及SiC功率半导体检测标准—安捷伦开发新型测试装置
目前，功率半导体受到越来越多的关注。这是因为在实现CO2减排及环保对策时，功率半导体起到的作用极大。比如在日本国内，“变频器家电（空调、洗衣机、冰箱）”已变得相当普遍。采用变频器可使电力效率获得飞跃性提高
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第二代SiC肖特基二极管（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离
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第二代SiC肖特基二极管（英飞凌）
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离
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基于SiC414设计的6A降压电源稳压技术
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降压电源稳压器,开关频率高达1MHz,全部采用陶瓷电容.连续输出电流达6A,效率大于95%,内部软起动和软关断,主要用在笔记本电脑,台式电脑和服务器,数字HDTV和消费类电子,网络和通信设备,打印
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基于SiC414设计的6A降压电源稳压技术
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降压电源稳压器,开关频率高达1MHz,全部采用陶瓷电容.连续输出电流达6A,效率大于95%,内部软起动和软关断,主要用在笔记本电脑,台式电脑和服务器,数字HDTV和消费类电子,网络和通信设备,打印
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基于SiC414设计的6A降压电源稳压技术
SiC414集成了5V/200mA LDO的6A降压电源稳压器,开关频率高达1MHz,全部采用陶瓷电容.连续输出电流达6A,效率大于95%,内部软起动和软关断,主要用在笔记本电脑,台式电脑和服务器,数字HDTV和消费类电子,网络和通信设备,打印
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东工大硅量子点太阳能电池取得新进展
东京工业大学教授小长井诚研究小组，大幅提高了利用硅量子点的太阳能电池的开放电压（Voc）及I-V特性形状因子（FF）数值。2010年3月10日，该消息是在应用物理学会举行的2010年春季应用物理学会学术演讲会的会前新闻发
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