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全球半导体2009Q4的产能同比减少10.7%
按半导体国际产能统计(SICAS)公布的2009第四季有关产能及利用率的最新数据,摘錄部分数据并加以说明。从SICAS摘下的2009Q4最新数据与2008Q4比较,有以下诸点加以说明;1),总硅片产能09Q4与08Q4相比还是减少10,7%2),全球
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全球半导体2009 Q4的产能同比减少10.7%
按半导体国际产能统计(SICAS)公布的2009 第四季有关产能及利用率的最新数据,摘錄部分数据并加以说明。从SICAS摘下的2009 Q4最新数据与2008 Q4比较,有以下诸点加以说明;1),总硅片产能09 Q4与08 Q4相比还是减少10,7%2)
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西安明科公司将携新产品亮相PCIM 2010中国上海展
作为电力电子行业在中国的一大盛会，PCIM 2010中国上海展将为业界及学术专家奉上行业大餐，新产品也将在展会期间相继亮相，那就让我们先一堵为快吧。 作为新起之秀，西安明科微电子材料有限公司与西北工业大学合作开
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Sick-Stegmann：风力涡轮机设计中的旋转编码器
编码器技术是风能获取的关键旋转编码器在风能产业中起着非常重要的作用，它提供了使用当前涡轮机中非常动态灵活的控制系统所必不可少的高分辨率反馈。选择合适的编码器将能够极大地增强系统以最佳功率输出运行的能力
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昭和电工量产表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆
昭和电工宣布，成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC（碳化硅）外延晶圆（EpitaxialWafer）。该晶圆的平滑性为0.4nm，较原产品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圆是在SiC底板表面上实现单晶Si
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昭和电工量产表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆
昭和电工宣布，成功量产了表面平滑性达到全球最高水平的直径4英寸SiC（碳化硅）外延晶圆（Epitaxial Wafer）。该晶圆的平滑性为0.4nm，较原产品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圆是在SiC底板表面上实现
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Lasertec将上市SiC晶圆缺陷检查装置
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">Lasertec开始受理SiC晶圆缺陷检查装置“WASAVI系列CICA61”的订单。SiC晶圆正在功率元件领域普及。此次的产品主要用
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环球电信公司联手Sicap公司在菲律宾推出USSD服务菜单
菲律宾领先电信企业环球电信公司（Globe Telecom）和面向移动运营商提供解决方案的Sicap公司共同宣布，推出动态下拉式菜单内容服务，以便用户发现和使用服务。选择Sicap公司的USSD菜单浏览器（UMB）软件，意味着环球
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优化上料组合、提高生产率
随着SIPLACE SiCluster Professional优化软件的面世，西门子电子装配系统有限公司(SEAS)进一步扩大了其面向电子制造行业的智能设换线方案的产品组合范围。除了能够根据产品的特点进行分组生产，SIPLACE SiCluster Pr
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SICAS认为全球半导体业已停止出售工厂
芯片制造产能的下降及随着需求市场的增长芯片制造业开始停止出售工厂。按半导体国际产能统计（SICAS）组织的数据,在先进制程方面的产能利用率已上升到超过90%。全球fab的产能利用率在2009年第三季度的平均值己从第二
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垂直分层空时码系统信号检测算法的研究
主要介绍了基于多输入多输出(MIMO)传输方式的垂直分层空时码系统(V—BLAST)空时码系统的检测算法，并把它与传统的MIMO信号检测算法进行了分析和比较，仿真得出相关结论。
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SiC元件普及还需突破三大障碍
SiC元件普及还需突破三大障碍 SiC元件价格下降的前景虽然看到，但要确保SiC元件普及，还需解决三大课题。即①进一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品质；③开发可充分发挥SiC元件优点的周边技术。 在①的元件
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SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
使用国产6H—SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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新日铁开展SiC晶圆业务，“质量不输美国可瑞”
新日本制铁(新日铁)着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC(碳化硅)晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圆。此前新日铁一直提供试制用晶圆的样品，而此次
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天科合达将高质量碳化硅晶圆价格推向历史新低
目前，半导体产业的迅猛发展再次激发了现代技术的革新。作为第三代宽带隙半导体材料，SiC 在热学、电学、抗腐蚀等性能方面优越于常用的衬底材料，可广泛用于制造半导体照明、微电子、电力电子等半导体器件。 根据权
