SIC

垂直分层空时码系统信号检测算法的研究

主要介绍了基于多输入多输出(MIMO)传输方式的垂直分层空时码系统(V—BLAST)空时码系统的检测算法，并把它与传统的MIMO信号检测算法进行了分析和比较，仿真得出相关结论。

SiC元件普及还需突破三大障碍

SiC元件普及还需突破三大障碍 SiC元件价格下降的前景虽然看到，但要确保SiC元件普及，还需解决三大课题。即①进一步提高SiC元件的性能；②改善SiC基板的品质；③开发可充分发挥SiC元件优点的周边技术。 在①的元件

SiC衬底X波段GaN MMIC的研究

使用国产6H—SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。

新日铁开展SiC晶圆业务，“质量不输美国可瑞”

新日本制铁(新日铁)着手开展作为新一代功率半导体底板材料的SiC(碳化硅)晶圆业务。将从2009年4月1日起通过子公司新日铁材料开始销售直径2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圆。此前新日铁一直提供试制用晶圆的样品，而此次

天科合达将高质量碳化硅晶圆价格推向历史新低

目前，半导体产业的迅猛发展再次激发了现代技术的革新。作为第三代宽带隙半导体材料，SiC 在热学、电学、抗腐蚀等性能方面优越于常用的衬底材料，可广泛用于制造半导体照明、微电子、电力电子等半导体器件。 根据权

第三代碳化硅肖特基二极管（英飞凌）

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界

第三代碳化硅肖特基二极管（英飞凌）

率先推出碳化硅（SiC）肖特基二极管的功率半导体供应商英飞凌科技股份有限公司近日在应用电源电子大会暨展览会（APEC）上推出第三代thinQ!™ SiC肖特基二极管。全新thinQ!二极管在任何额定电流条件下都具备业界

SICAS：第三季度半导体产能利用率降至86.9% 先进制程需求保持强劲

国际半导体产能统计组织（SICAS）发布的报告显示，第三季度半导体产业产能利用率继续走低。然而，不同类别产品之间的差异之大让人吃惊。 第三季度产能利用率从第二季度的88.5%降低至86.9%。这是近两年来的新低，2

埃及Orascom有意与奥地利电信合并

C114 9月10日消息（张月红编译）据报道，埃及电信运营商Orascom与奥地利电信公司正在谈判合并事宜，奥地利电信控股股东是国企OeIAG公司，但其最大的股东是其政府部门。OeIAG执有奥地利电信27.37%的股权，其余的在股票

山东规划半导体照明产业四大基地

山东《加快半导体照明产业发展的意见》近日出台。《意见》提出，根据山东半导体照明产业发展现状和产业分布，按照有利于发挥优势，突出特色，产业合理分工，市场资源合理配置，上、中、下游产业合理承接，促进产业聚

半导体产能比上年同期增长16.3％ 开工率提高

全球半导体产能统计协会（SICAS）日前宣布，2007年第三季度（7月～9月）全球半导体产能（MOS IC和双极IC的总和）比上年同期增长16.3％，达到210万2000枚/周（按200mm晶圆的投入量换算）。生产开工率为89.6％，高于上

Si整流器与SiC二极管：谁与争锋

车载SiC功率半导体前景光明 逆变器大幅实现小型化及低成本化

丰田汽车在“ICSCRM 2007”展会第一天的主题演讲中，谈到了对应用于车载的SiC功率半导体的期待。为了在“本世纪10年代”将其嵌入到混合动力车等所采用的马达控制用逆变器中，“希望业界广泛提供合作”。如果能嵌入Si

Si整流器与SiC二极管：谁与争锋

SICAS第二季度调查：存储芯片及微处理器需求强劲，产能利用率上升

第二季度全球半导体工厂产能利用率连续第二个季度上升，因为人们追求更轻、更薄和更小的电子产品，从而刺激了对于采用最先进工艺的存储芯片及微处理器的需求。 国际半导体产能统计协会(SICAS)日前表示，第二季度产能