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挑战下一代印刷电路板封装 阵列组态基板崭露头角
业界已逐渐考虑摆脱传统的引线封装，接受结构更为复杂的阵列组态基板封装技术，却也面临先天性散热、高密度等挑战，若能克服困难，这个下一世代的封装技术可望提升众多应用元件的整体效能，展现封装技术新契机。 电
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探讨新型微电子封装技术
1 前言 本文试图综述自二十世纪九十年代以来迅速发展的新型微电子封装技术，包括焊球阵列封装(BGA)、芯片尺寸封装(CSP)、圆片级封装(WLP)、三维封装(3D)和系统封装(SIP)等项技术。介绍它们的发展状况和技术特点
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面板、被动组件厂扩产不断 万润2Q营收优于首季
设备厂万润表示，由于面板厂扩产集中于下半年装机，预估第3季将会是营收高峰，带动整体下半年营收走高，目前来看，第2季由于被动组件厂扩产，带动订单涌入，预期第2季营收将优于首季。 万润指出，第1季受惠于被动
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DRAM封测制程沿革
李洵颖 DRAM的世代交替带动了先进封装技术的发展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM产品，其封装型态均为超薄小型晶粒承载封装(TSOP)，自DDR2产品封装型态已改变为闸球阵列封装(BGA)，延续至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代
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中国LED发展需突破封装难题
近年来LED产业开始逐渐从喧嚣的照明革命中冷静下来，中国LED产业发展日趋成熟和理智。发光二极管(LED)的发光效能也在过往的十年间已大幅提升，从过去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦，当前高功率LED已达到适用于
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中国LED照明革命实质上就是“封装大战”
近年来LED产业开始逐渐从喧嚣的照明革命中冷静下来，中国LED产业发展日趋成熟和理智。发光二极管（LED）的发光效能也在过往的十年间已大幅提升，从过去的20流明每瓦增加到最近的150流明每瓦，当前高功率LED已达到适用
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2010年全球半导体封装产业盘点
2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月，SEMI公布了关于铜引线
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LED照明进入快速发展
LED照明将成为第二个带动LED行业迅速成长的应用产品。LED行业的爆发性成长源于多年来的市场培养和技术累计，根据DIGITIMESResearch最新统计，高亮度LED市场规模将由2010年82.5亿美元，成长至2011年的126亿美元，年成
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2010年半导体封装年度总结
2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月，SEMI公布了关于铜
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2010年半导体封装盘点
2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV(硅贯通孔)的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月，SEMI公布了关于铜引线键
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2010年半导体封装盘点：低成本的铜引线键合引人注目
2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。2010年1月，SEMI公布了关于铜引线
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2种新型的芯片封装技术介绍
在计算机内存产品工艺中，内存的封装技术是内存制造工艺中最关键一步，采用不同封装技术的内存条，在性能上存在较大差距。只有高品质的封装技术才能生产出完美的内存产品。本文就主要介绍两种新型封装技术--BLP和Tin
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半导体封装篇：低成本的铜引线键合引人注目
2010年，半导体封装业界，以铜引线键合为代表的低成本封装技术吸引了众多目光。虽然将来有望出现基于TSV（硅贯通孔）的三维积层等创新技术，但目前的通货紧缩对策成为最重要的课题。 2010年1月，SEMI公布了关于铜
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金、铜线封装价差拉大 低阶产品快速往铜制程靠拢
黄金期货价格续攀新高，一度挑战历史新高价位，而铜价则处于档震温格局。对封装业而言，铜价相对稳定，金价持续飙升，将影响封装毛利，预期金线和铜线封装价格差异幅度拉大，从过去15%将拉大到25%；同时，金涨铜稳的
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功率型白光LED封装技术发展的四个趋势
1996年，Nichia公司的Nakamura等首次使用蓝光led结合黄色荧光粉转化合成了白光LED。他所采用的黄色荧光粉为Y3Al5O12:Ce3+(简称YAG:Ce3+)，这种荧光粉在470nm波段附近有较强的宽带吸收，然后激发出540nm附近的黄光，L
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传富士通半导体将先端封装技术移往大陆
据日经新闻报导，富士通(FujitsuLtd.)集团旗下半导体子公司富士通半导体(FujitsuSemiconductor;原名为富士通微电子)计划于今(2010)年内将采用先端半导体封装技术的日本三重工厂部份生产设备移至中国大陆相关公司&ldq
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富士通半导体传拟将先端封装技术移往大陆
日经新闻27日报导，富士通(Fujitsu Ltd.)集团旗下半导体子公司富士通半导体(Fujitsu Semiconductor；原名为富士通微电子)计划于今(2010)年内将采用先端半导体封装技术的日本三重工厂部份生产设备移至中国大陆相关公
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台封装大厂决战制程
台系一线封测厂不仅致力于铜制程竞赛，亦兼顾高阶封装技术，由于电子产品大吹轻薄风，功能益趋多元复杂，半导体高阶制程备受青睐，使得高密度封装技术包括晶圆级封装(WLP)、层迭式封装(PoP)、多芯片封装(MCP)等，成为
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台封装大厂决战制程 铸造抢市利器
台系一线封测厂不仅致力于铜制程竞赛，亦兼顾高阶封装技术，由于电子产品大吹轻薄风，功能益趋多元复杂，半导体高阶制程备受青睐，使得高密度封装技术包括晶圆级封装(WLP)、层迭式封装(PoP)、多芯片封装(MCP)等，成为
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封装技术进入3D IC时代 台湾硅穿孔市场潜力足
随着封装技术未来将进入3D IC时代，半导体封装专利授权厂商Tessera认为，若台湾厂商可掌握3D IC趋势，并结合台湾集中的IC产业链，3D IC技术将有机会领先全球。其中硅穿孔(TSV)挟着成本便宜等优势，未来成长潜力十足，
