晶圆
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得可DirEKt植球技术推进微型化能力
得可进一步扩展高速的植球能力，已获认可的DirEKt Ball Placement™ 工艺现能以300微米细距精准地置放直径仅为200微米的焊球。凭借以高于99.99% 的首次通过良率实现这一精确性和精密度的能力，DirEKt植球为现代
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美光新加坡厂年底导入40纳米 为明年大战暖身
2009、2010年对美光而言，最大的挑战是从目前的68纳米和华亚科的70纳米制程，大量转进50纳米制程，就技术角度而言相当艰钜，且同时也需要庞大的资金挹注，才能完成整个转换过程。 美光分析，在50纳米制程上，预计每
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日本开发出大量生产晶圆状大型单晶金刚石技术
日本产业技术综合研究所（产综研）钻石研究中心单结晶底板开发小组开发出了大型单结晶钻石晶圆制造技术。该技术结合运用了两种技术：由籽晶直接制造薄板状钻石单结晶的“直接晶圆化技术”，以及通过依次改变生长方向
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薄晶圆系统提高批量制造超薄晶圆处理能力
基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供杰出的稳定性、工艺能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并拥有先进的速度和加速控制，确保强健地处理当今
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尔必达：计划明年转向40nm制程技术
据透露，为了防止在与韩国对手的竞争中落在后面，日本尔必达内存公司计划明年内转向使用40nm制程技术，而在40nm制程技术完全成熟之前，尔必达将采 用50nm制程技术作为过渡性的制程技术。目前，尔必达公司刚刚在65nm制
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得可提升DirEKt Coat技术高度
预见到未来对大批量晶圆粘合剂和涂层应用的需求，得可已三倍增强其获奖DirEKt Coat 技术的工艺能力。DirEKt Coat晶圆涂层工艺达到Cp>2@+/- 12.5µm和7微米的总厚度差 (TTV)，有效地满足了薄晶圆产品目前和未来的
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得可Galaxy薄晶圆系统 提高大批量制造超薄晶圆的处理能力
style=" padding-left:8px; padding-right:8px; margin-top:5px; line-height: 24px; clear:both;">基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供
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得可Galaxy薄晶圆系统提高大批量制造超薄晶圆的处理能力
基于极其成功的Galaxy印刷设备，得可已利用卓越的精准技术开发了专门处理超薄晶圆的系统。新的Galaxy薄晶圆系统提供杰出的稳定性、工艺能力提高到Cp>2 @ +/- 12.5µm、并拥有先进的速度和加速控制，确保强健地处
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浪潮将接盘奇梦达西安研发中心
“我们将接盘奇梦达西安研发中心， 8月中旬将宣布收购消息。”8月6日，浪潮集团一位内部人士向本报记者透露，浪潮集团将在宣布上述消息的同时，公布自己的芯片战略。 此前一天，奇梦达宣布在go-dove.com网站上进行资
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中国大陆8月1日起禁止半导体废晶圆、头尾料进口 恐引发价格上扬
依据大陆环境保护部公告「调整进口废物管理目录公告」修正从8月1日起，不符合限制「进口类可用作原料的固体废物」目录，海关将不予放行且依法令进口者或承运人实施退运，其中遭到限制进口的包括半导体的废晶圆、头尾
