2024年9月27日,中国– 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 推出第四代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET 技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时,意法半导体还针对电动汽车电驱系统的关键部件逆变器特别优化了第四代技术。公司计划在 2027 年前推出更多先进的 SiC 技术创新成果,履行创新承诺。
数据中心是数字世界的支柱,容纳了为互联网、云计算和其他数据驱动服务提供动力的大型服务器。随着对这些服务的需求增加,他们消耗的能源也会增加。
过去几十年来,一直都是由内燃机为超级跑车提供充沛动力,并搭配精心调校的底盘,从而打造出独一无二的驾乘感受。而在电气化时代,像迈凯伦应用技术公司这样的企业都面临着一个巨大的挑战,那就是如何利用电气化技术制造出一辆血统纯正的超级跑车。
马来西亚总理、吉打州州务大臣与英飞凌管理层共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。 新晶圆厂将进一步巩固和增强英飞凌在全球功率半导体市场的领导地位。 强有力的客户支持与承诺以及重要的设计订单为持续扩建提供了支撑。 居林晶圆厂100%使用绿电并在运营实践中采...
•马来西亚总理、吉打州州务大臣与英飞凌管理层共同出席了新晶圆厂一期项目的生产运营启动仪式。 •新晶圆厂将进一步巩固和增强英飞凌在全球功率半导体市场的领导地位。 •强有力的客户支持与承诺以及重要的设计订单为持续扩建提供了支撑。 •居林晶圆厂100%使用绿电并在运营实践中采取先进的节能和可持续举措。
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)将于8月28日~30日参加在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下简称PCIM Asia)(展位号:11号馆D14)。届时,将聚焦碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体,展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“宽禁带半导体器件— 氮化镓及碳化硅论坛”以及“电动汽车论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的功率电子技术成果。
自由现金流同比增长约 2.5亿美元
旭化成微电子株式会社(以下简称“旭化成微电子”)和欧洲的电子与软件系统研究机构Silicon Austria Labs GmbH(以下简称“SAL”)联手,在使用碳化硅(SiC)功率器件的高压应用中,成功验证了电子保险丝(eFuse)技术。获得的验证结果显示,该eFuse技术有望大幅提升车载充电器(On Board Charger:OBC)等的系统安全性,可减少元件数量并降低维护成本。
安森美凭借其最新一代EliteSiC M3e平台,成为全优化电源系统解决方案的主要供应商
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推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET,显著提升高耗电应用的能效
为了满足对碳化硅 (SiC) 晶体日益增长的需求,世界需要在不牺牲质量的情况下大幅提高产量。如今,SiC 晶体对于制造更小、更快、更高效的芯片和电力电子系统至关重要。然而,如果没有能够及时检测出微小瑕疵的先进计量工具,SiC 晶体生长行业基本上是盲目操作,导致不可接受的缺陷和昂贵的产品损失。
在电动车发展的过程当中,充电和换电是两个同时存在的方案。车载充电OBC可以通过两相或三相电给汽车充电,但其无法满足快充的需求。现在充电桩发展迅速,已经有600kW的超充出现,充电速度越来越逼近换电速度,但对电网压力很大,还需要时间普及。换电则采取另外的方式,古代加急文书传递时,士兵在驿站更换体力充沛的马匹继续前行就是这种理念。
2024年7月5日,中国上海 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 即将亮相于2024年7月8-10日举办的2024年慕尼黑上海电子展 (E4.4600展台)。以“我们的科技始之于你”为主题,意法半导体将通过五十多个交互式应用演示,展示为满足客户和不断变化的市场需求而专门研发、设计的半导体创新解决方案,涵盖汽车、工业、个人电子产品和云基础设施几大领域。
扩大研发和生产能力,支持未来技术的发展
近年来,使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法,以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是因为,为了应对全球共通的 “节能化”和“小型化”课题,需要高效率高性能的功率元器件。
硅成为制造半导体产品的主要原材料,广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但是,第一代半导体材料难以满足高功率及高频器件需求。
这项棕地投资将为当地带来高能效芯片制造能力,助力电气化、可再生能源和人工智能的未来发展
摘要:本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案,该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度,分析两个电驱逆变模块验证,该测温系统的验证方法是,根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。我们将从实验数据中提取一个数学模型,根据Vth 选择标准,预测当逆变器工作在电动汽车常用的电压和功率范围内时的热不平衡现象。此外,我们还能够延长测试时间,以便分析在电动汽车生命周期典型电流负荷下的芯片行为。测试结果表明,根据阈压为模块选择适合的裸片可以优化散热性能,减少热失衡现象。
ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地,在园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产,赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型