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碳化硅双脉冲测试中正向干扰、负向干扰你知道吗？
以下内容中，小编将对碳化硅的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对碳化硅的了解，和小编一起来看看吧。
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安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，显著提升高耗电应用的能效
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对碳化硅晶体生长行业微小缺陷检测
为了满足对碳化硅 (SiC) 晶体日益增长的需求，世界需要在不牺牲质量的情况下大幅提高产量。如今，SiC 晶体对于制造更小、更快、更高效的芯片和电力电子系统至关重要。然而，如果没有能够及时检测出微小瑕疵的先进计量工具，SiC 晶体生长行业基本上是盲目操作，导致不可接受的缺陷和昂贵的产品损失。
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碳化硅模块助力更可靠更高效的换电站快充电路设计
在电动车发展的过程当中，充电和换电是两个同时存在的方案。车载充电OBC可以通过两相或三相电给汽车充电，但其无法满足快充的需求。现在充电桩发展迅速，已经有600kW的超充出现，充电速度越来越逼近换电速度，但对电网压力很大，还需要时间普及。换电则采取另外的方式，古代加急文书传递时，士兵在驿站更换体力充沛的马匹继续前行就是这种理念。
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意法半导体携汽车、工业、个人电子和云基础设施创新技术和方案 亮相2024 年慕尼黑上海电子展
2024年7月5日，中国上海 -- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM) 即将亮相于2024年7月8-10日举办的2024年慕尼黑上海电子展 (E4.4600展台)。以“我们的科技始之于你”为主题，意法半导体将通过五十多个交互式应用演示，展示为满足客户和不断变化的市场需求而专门研发、设计的半导体创新解决方案，涵盖汽车、工业、个人电子产品和云基础设施几大领域。
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Nexperia将在汉堡投资2亿美元
扩大研发和生产能力，支持未来技术的发展
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何谓碳化硅
近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是因为，为了应对全球共通的 “节能化”和“小型化”课题，需要高效率高性能的功率元器件。
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碳化硅在电子领域中的应用
硅成为制造半导体产品的主要原材料，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但是，第一代半导体材料难以满足高功率及高频器件需求。
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安森美选址捷克共和国打造端到端碳化硅生产，供应先进功率半导体
这项棕地投资将为当地带来高能效芯片制造能力，助力电气化、可再生能源和人工智能的未来发展
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电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
摘要：本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该测温系统的验证方法是，根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。我们将从实验数据中提取一个数学模型，根据Vth 选择标准，预测当逆变器工作在电动汽车常用的电压和功率范围内时的热不平衡现象。此外，我们还能够延长测试时间，以便分析在电动汽车生命周期典型电流负荷下的芯片行为。测试结果表明，根据阈压为模块选择适合的裸片可以优化散热性能，减少热失衡现象。
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意法半导体在意大利打造世界首个一站式碳化硅产业园
ST将在意大利卡塔尼亚新建8英寸碳化硅功率器件和模块大规模制造及封测综合基地,在园区内完成从芯片研发到制造、从晶圆衬底到模块的碳化硅功率器件全部生产，赋能汽车和工业客户的电气化进程和高能效转型
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吉利汽车与意法半导体签署碳化硅长期供应协议，深化新能源汽车转型;成立创新联合实验室，推动双方创新合作
2024年6月4日，中国北京--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易所代码: HK0175)宣布，双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气(E/E)架构(如车载信息娱乐、智能座舱系统)、高级驾驶辅助(ADAS)和新能源汽车等相关领域的创新解决方案。
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Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产
该笔交易有利于高电压、高功率氮化镓技术的持续发展
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英飞凌为小米SU7智能电动汽车供应多款产品
【2024年5月6日，德国慕尼黑和中国上海讯】作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供应碳化硅（SiC）HybridPACKTM Drive G2 CoolSiCTM功率模块及芯片产品直至2027年。英飞凌的CoolSiC功率模块可适应更高的工作温度，从而实现一流的性能、驾驶动力和寿命。例如，基于该技术的牵引逆变器可进一步增加电动汽车续航里程。HybridPACK Drive是英飞凌市场领先的电动汽车功率模块系列，自2017年以来已累计出货近850万颗。
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安森美2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅和功率解决方案系列研讨会即将启动
5城巡回研讨会, 安森美全面解读碳化硅方案在汽车和工业领域的10+趋势性纵深应用
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仿真微调：提高电力电子电路的精度
在电力电子和电路仿真领域，精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器件所采用模型的准确性。无论是 IGBT、碳化硅 (SiC) 还是硅 MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的精度密切相关。老话说得好，“垃圾进，垃圾出”，即如果输入的是垃圾，那么输出的也是垃圾。
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Microchip推出集成作动电源解决方案旨在简化航空业向多电飞机转型
Microchip 推出可配置的配套驱动板系列，使用基于碳化硅(SiC)或硅 (Si)技术的混合功率驱动模块
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意法半导体碳化硅数位电源解决方案被肯微科技采用，用于高效率可靠的服务器电源供应器设计及应用
结合ST第三代碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管、STGAP隔离驱动器和STM32微控制器技术，此图腾柱无桥式功率因数修正器(PFC)解决方案为一个即插即用的解决方案，满足数据中心之高阶服务器和电信通讯电源设计的需求
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英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。
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