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正式合作！纬湃科技与英飞凌签署碳化硅合作协议
5月 31 日，动力总成驱动技术及电气化解决方案供应商纬湃科技与英飞凌科技公司签署了碳化硅合作协议，共同优化碳化硅组件，加快产能提升，以满足强劲增长的电动市场需求。
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意法半导体与赛米控合作，在下一代电动汽车驱动系统中集成碳化硅功率技术
与ST的长期工程和零件供货合作助力赛米控新eMPack®电源模块系列赢得首张10亿欧元大单
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使用碳化硅提高工业应用的能源效率
工业应用程序，如服务器电源、不间断电源(UPS)和电机驱动器，消耗了世界上的很大一部分电力。因此，工业电力供应效率的任何提高都将大大降低公司的运营成本。结合更大的功率密度和更好的热性能，对高效电源的需求呈指数级增长。 有几个因素推动了这种增长。第一个是全球对能源意识的提高，以及更明智和更有效地使用能源。第二个是物联网(IoT)，它导致各种新技术和服务引入工业应用。
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UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中国北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码：QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗
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UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
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新型 SiC 基板提升功率器件
电动汽车、电信和工业应用对技术的需求不断增长，这促使 Soitec 和应用材料公司共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅 (SiC)衬底的联合开发计划。该计划旨在提供技术和产品，以提高下一代电动汽车的 SiC 器件的性能和可用性。
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Soitec 发布首款 200mm SmartSiC™ 碳化硅优化衬底
基于独家专利技术 SmartSiC™ 打造，助力提升电力电子设备的性能与电动汽车的能效
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贸泽电子开售Qorvo旗下UnitedSiC的UF3N170400B7S 1700V SiC JFET
2022年4月29日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货 UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF3N170400B7S JFET。UF3N170400B7S是一款高性能的第三代碳化硅 (SiC) 常开JFET，为过流保护电路、DC-AC逆变器、开关电源 、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等应用提供了理想解决方案。
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碳化硅的成本和EV 应用的性能提升之间的衡量，成本问题可能影响碳化硅使用
电力电子仍然主要基于标准硅器件。虽然三电平和其他硅电路拓扑正在出现以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 设计正在出现，以满足电动汽车不断增长的高功率要求。 三菱电机美国公司的功率器件经理强调了碳化硅与标准硅实现相比的前景。他们表示，可以通过将硅与碳化硅相结合的混合技术来提高效率。例如，具有碳化硅肖特基势垒二极管的硅基绝缘栅双极晶体管 (IBGT) 以相对较小的成本增加实现了效率提高。对于许多应用来说，这代表了成本和性能之间的折衷。
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Microchip推出业界领先的3.3 kV碳化硅(SiC)功率器件，实现更高的效率与可靠性
3.3 kV碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管(SBD)扩大了设计人员对交通、能源和工业系统中的高压电力电子产品的选择范围
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SiC碳化硅功率器件SBD特性
碳化硅和氮化镓是目前商业前景最明朗的半导体材料，堪称半导体产业内新一代“黄金赛道”。 历史上人类第一次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。在经历了百年的探索之后，特别是进入21世纪以后，人类终于理清了碳化硅的优点和特性，并利用碳化硅特性，做出各种新器件，碳化硅行业得到较快发展。
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绿色出行：英飞凌CoolSiC™功率模块可将有轨电车的能耗降低10%
【2022年3月7日，德国慕尼黑讯】全球逐步淘汰化石燃料这一趋势给包括交通运输在内的许多行业都带来了挑战。举例来说，整个社会向绿色出行方式转型，就需要减少短途航班及驾车出行，而这势必会促进轨道交通的发展。政府发布的减碳措施也印证了这一点：例如欧洲计划提供高达数十亿欧元的补贴来支持轨道交通的发展。随着传统的内燃机车、轨道车逐步被环保的电力机车所取代，交通运输行业的变革也即将来临。
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Ampleon发布增强性能的第3代碳化硅基氮化镓晶体管
频率覆盖范围广并且具有高效率和高线性度
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PI全新汽车级开关电源IC，不止降耗增效这么简单！
近日全球领先的高压集成电路供应商Power Integrations扩充了旗下InnoSwitch™3-AQ产品系列阵容，研发并推出了两款符合AEC-Q100标准、额定电压1700V的汽车级开关电源IC，其“高输入电压，高输出精度”的优势将为业界树立全新性能标杆！
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英飞凌将投资逾20亿欧元在马来西亚居林前道工厂扩大宽禁带半导体的产能，进一步增强市场领导地位
【2022年2月21日，德国慕尼黑和马来西亚居林讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)将显著扩大宽禁带(碳化硅和氮化镓)半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。公司将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区。建成之后，新厂区将用于生产碳化硅和氮化镓功率半导体产品，每年可为英飞凌创造20亿欧元的收入。
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意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路
2022年2月15日，中国---意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
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2022年开工第一天，派恩杰半导体在全球首推PD 快充的碳化硅应用方案
随着第三代半导体的普及，及对功率密度的高需求，第三代半导体在一些高功率应用领域逐渐取代硅功率器件。而在USB PD 快充产品上为了降低了开关损耗并提高开关频率此前普遍使用氮化镓功率器件。事实上，不仅氮化镓可以用在USB PD快充上，新能源汽车热门功率器件碳化硅MOSFET也很有应用优势。
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三安集成：碳化硅车规产品“上车”，湖南基地实现规模交付
（全球TMT2022年1月25日讯）2021年6月，历时仅一年就完成建设并顺利点亮投产的“湖南三安”一期项目，在半年后取得新的重大突破。从“碳化硅晶体生长”到”器件封测”的量产线全线贯通，并于11月量产下线碳化硅肖特基二极管全系列产品。近日，从客户处得知，“长沙造”碳化硅二极管...
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三安集成：碳化硅车规产品“上车”，湖南基地实现规模交付
长沙2022年1月24日 /美通社/ -- 新年第一个月，中国首条碳化硅全产业链垂直整合制造平台 -- 湖南三安“喜提”多个好消息。长沙制造碳化硅二极管量产出货并顺利通过客户验证，车规级二极管接连获得汽车行业客户订单。
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