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宽带隙材料满足 EV 功率和效率要求
碳化硅和氮化镓技术在过去几年中取得了巨大的发展，被证明是商业上可用的节能技术。来自领先半导体公司、大学和机构的讲师解释了宽带隙半导体如何实现清洁能源制造、高科技、创造就业和节能。
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湖南三安发布1200V碳化硅MOS系列新品
湖南长沙2022年9月5日 /美通社/ -- 助力低碳出行，用芯驱动未来。9月2日，湖南三安半导体主办的2022首届新能源汽车电驱动技术创新峰会在长沙圆满落幕。为提升汽车供应链韧性，加强汽车产业生态建设，了解多方需求强化产业合力，本次峰会以"聚焦芯动力，构建新生态&qu...
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安森美庆祝在新罕布什尔州扩张碳化硅工厂
该厂将使安森美的碳化硅 (SiC) 产能同比增加五倍，有助于确保对客户的关键器件的供应
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特斯拉加速碳化硅应用，产业链即将推动8寸碳化硅半导体量产
7月18日消息，近年来，在电动汽车大厂特斯拉(Tesla)的带动下，第三代半导体碳化硅(SiC)在电动汽车市场的应用正在加速。整体观察，全球碳
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天岳先进签订了6英寸导电型碳化硅衬底产品销售合同，碳化硅市场前景一片大好
7月21日，天岳先进(688234)发布公告，公司于近日与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品，按照合同约定年度基准单价测算(美元兑人民币汇率以6.7折算)，预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。
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赛米控与罗姆就碳化硅功率元器件展开新的合作
罗姆的碳化硅技术助力赛米控用于下一代电动汽车的 eMPack®功率模块
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老化测试提高了 SiC 和 GaN 的可靠性
新型宽带隙半导体(如碳化硅和氮化镓)在市场上的扩散对传统的老化和测试系统提出了挑战，因为裸片尺寸越来越小，并且组件可以承受更高的电压和温度。
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SiC 和 GaN：两种半导体的功率器件发展
在过去的几十年中，碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，工业部门现在有望超过 40 亿美元。
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说明 SiC MOSFET 在电力电子中的优势
电力设计是由市场需求驱动的，以提高效率和生产力，同时符合法规要求。最重要的最终用户需求几乎总是更小、更轻、更高效的系统，这得益于功率半导体设计的重大创新。在硅 MOSFET 和 IGBT 长期以来一直在功率半导体中占据主导地位的地方，宽带隙 (WBG) 技术，尤其是碳化硅 (SiC) 技术的最新进展正在为电力电子系统的设计人员带来额外的好处，提高效率和更高的电压能力，从而减少形式因素。
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CISSOID与依思普林达成战略合作协议，携手推动电动汽车动力总成的全面优化和深度集成
比利时蒙-圣吉贝尔和中国深圳 – 2022年06月20日 – 提供基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)的耐高温、长寿命的高效、紧凑电机驱动和智能功率模块解决方案的领先供应商CISSOID S. A.(CISSOID)，和中国先进电动汽车动力总成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司(依思普林)今日共同宣布：双方已达成战略合作伙伴关系，将共同开展研发项目，使碳化硅功率器件的优良性能在电动汽车动力总成领域得以充分发挥，从而实现电动汽车动力总成的全面优化和深度集成。
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PCIM Europe欧洲电力电子系统及元器件展-碳化硅部分
德国纽伦堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大开幕，PCIM Europe即欧洲电力电子系统及元器件展,是电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理领域最具影响力的博览会,也是全球最大的功率半导体展会,继连续两年举办线上展会后,于今年终于回归线下。
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碳化硅头部企业基本半导体完成C2轮融资，广汽资本、润峡招赢、蓝海华腾联合投资
6月7日，国内第三代半导体碳化硅功率器件头部企业——基本半导体在公司成立六周年之际宣布完成C2轮融资，由广汽资本、润峡招赢、蓝海华腾等机构联合投资。本轮融资将用于进一步推动碳化硅功率器件的研发进度以及制造基地的建设，着力加强在新能源汽车及光伏发电领域的市场拓展，确保基本半导体在国产碳化硅器件领域的领先地位。
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国际碳化硅专利布局报告出炉，MOSFET量产公司派恩杰受关注
在几家造车新势力高调推出搭载碳化硅芯片模组的主驱逆变器大功率平台电动汽车后，中国功率半导体上车进程开始进入白热化，电车厂纷纷加快碳化硅模块的研发及布局。
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正式合作！纬湃科技与英飞凌签署碳化硅合作协议
5月 31 日，动力总成驱动技术及电气化解决方案供应商纬湃科技与英飞凌科技公司签署了碳化硅合作协议，共同优化碳化硅组件，加快产能提升，以满足强劲增长的电动市场需求。
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意法半导体与赛米控合作，在下一代电动汽车驱动系统中集成碳化硅功率技术
与ST的长期工程和零件供货合作助力赛米控新eMPack®电源模块系列赢得首张10亿欧元大单
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使用碳化硅提高工业应用的能源效率
工业应用程序，如服务器电源、不间断电源(UPS)和电机驱动器，消耗了世界上的很大一部分电力。因此，工业电力供应效率的任何提高都将大大降低公司的运营成本。结合更大的功率密度和更好的热性能，对高效电源的需求呈指数级增长。 有几个因素推动了这种增长。第一个是全球对能源意识的提高，以及更明智和更有效地使用能源。第二个是物联网(IoT)，它导致各种新技术和服务引入工业应用。
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UnitedSiC(现已被 Qorvo收购)宣布推出行业先进的高性能 1200 V 第四代 SiC FET
中国北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码：QRVO)今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅 (SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器、焊接机、不间断电源和感应加热等应用。
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安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
新器件缩小封装尺寸60%，增强性能并减少损耗
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UnitedSiC(现名Qorvo)宣布推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
2022年5月11日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®(纳斯达克代码：QRVO)今日宣布推出新一代1200V碳化硅(SiC)场效应晶体管(FET)系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
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新型 SiC 基板提升功率器件
电动汽车、电信和工业应用对技术的需求不断增长，这促使 Soitec 和应用材料公司共同制定了用于功率器件的下一代碳化硅 (SiC)衬底的联合开发计划。该计划旨在提供技术和产品，以提高下一代电动汽车的 SiC 器件的性能和可用性。
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