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吉利汽车与意法半导体签署碳化硅长期供应协议，深化新能源汽车转型;成立创新联合实验室，推动双方创新合作
2024年6月4日，中国北京--服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)与全球汽车及新能源汽车龙头制造商吉利汽车集团(香港交易所代码: HK0175)宣布，双方签署碳化硅(SiC)器件长期供应协议，在原有合作基础上进一步加速碳化硅器件的合作。按照协议规定，意法半导体将为吉利汽车旗下多个品牌的中高端纯电动汽车提供SiC功率器件，帮助吉利提高电动车性能，加快充电速度，延长续航里程，深化新能源汽车转型。此外，吉利和ST还在多个汽车应用领域的长期合作基础上，建立创新联合实验室，交流与探索在汽车电子/电气(E/E)架构(如车载信息娱乐、智能座舱系统)、高级驾驶辅助(ADAS)和新能源汽车等相关领域的创新解决方案。
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Power Integrations收购Odyssey Semiconductor资产
该笔交易有利于高电压、高功率氮化镓技术的持续发展
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英飞凌为小米SU7智能电动汽车供应多款产品
【2024年5月6日，德国慕尼黑和中国上海讯】作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）宣布将为小米汽车最新发布的SU7智能电动汽车供应碳化硅（SiC）HybridPACKTM Drive G2 CoolSiCTM功率模块及芯片产品直至2027年。英飞凌的CoolSiC功率模块可适应更高的工作温度，从而实现一流的性能、驾驶动力和寿命。例如，基于该技术的牵引逆变器可进一步增加电动汽车续航里程。HybridPACK Drive是英飞凌市场领先的电动汽车功率模块系列，自2017年以来已累计出货近850万颗。
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安森美2024“碳”路先锋技术日暨碳化硅和功率解决方案系列研讨会即将启动
5城巡回研讨会, 安森美全面解读碳化硅方案在汽车和工业领域的10+趋势性纵深应用
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仿真微调：提高电力电子电路的精度
在电力电子和电路仿真领域，精度至关重要。仿真结果的真实性取决于各个器件所采用模型的准确性。无论是 IGBT、碳化硅 (SiC) 还是硅 MOSFET，仿真预测的可靠性与模型的精度密切相关。老话说得好，“垃圾进，垃圾出”，即如果输入的是垃圾，那么输出的也是垃圾。
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Microchip推出集成作动电源解决方案旨在简化航空业向多电飞机转型
Microchip 推出可配置的配套驱动板系列，使用基于碳化硅(SiC)或硅 (Si)技术的混合功率驱动模块
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意法半导体碳化硅数位电源解决方案被肯微科技采用，用于高效率可靠的服务器电源供应器设计及应用
结合ST第三代碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管、STGAP隔离驱动器和STM32微控制器技术，此图腾柱无桥式功率因数修正器(PFC)解决方案为一个即插即用的解决方案，满足数据中心之高阶服务器和电信通讯电源设计的需求
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英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。
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如何利用碳化硅打造下一代固态断路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在电动汽车 (EV) 和太阳能光伏 (PV) 应用中带来的性能优势已经得到了广泛认可。不过，SiC 的材料优势还可能用在其他应用中，其中包括电路保护领域。本文将回顾该领域的发展，同时比较机械保护和使用不同半导体器件实现的固态断路器 (SSCB) 的优缺点。最后，本文还将讨论为什么 SiC 固态断路器日益受到人们青睐。
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意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣
STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性
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安森美公布2023年第四季度及全年业绩
2023年汽车业务收入创纪录，同比增长29%
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英飞凌与Wolfspeed扩展并延长多年期 150mm 碳化硅晶圆供应协议
【2024年1月26日，德国慕尼黑和美国北卡罗来纳州达勒姆讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）与全球碳化硅技术领域的领导者Wolfspeed（NYSE代码：WOLF）近日宣布扩展并延长双方最初于2018年2月签署的150mm碳化硅晶圆长期供应协议。经过此次扩展，双方的合作又新增了一项多年期产能预订协议。这不仅有助于提升英飞凌总体供应链的稳定性，还能帮助满足汽车、太阳能和电动汽车应用以及储能系统对碳化硅半导体产品日益增长的需求。
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致瞻科技采用意法半导体碳化硅技术，提高新能源汽车电动空调压缩机控制器能效
提升电动汽车夏冬续航里程，降低整车拥有成本
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意法半导体碳化硅助力理想汽车加速进军高压纯电动车市场
2023年12月22日，中国北京-服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)，与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车(纽约证券交易所代码: LI) 签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
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碳化硅在电子器件中的应用如何？有何特点？
在这篇文章中，小编将对碳化硅材料的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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碳化硅材料具有哪些特点？未来发展如何？
一直以来，碳化硅材料都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来碳化硅材料的相关介绍，详细内容请看下文。
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碳化硅MOS/超结MOS在直流充电桩上的应用-REASUNOS瑞森半导体
MOS管在直流充电桩上的应用：推荐瑞森半导体-650V/1200V碳化硅MOS系列，600V/650V超结MOS系列
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Microchip推出压接式端子电源模块SP1F和SP3F 实现自动化安装过程，为大批量生产提供免焊接解决方案
SP1F和SP3F电源模块采用碳化硅(SiC)或硅 (Si)技术，可配置性高并适配压接式端子
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碳化硅电子熔丝演示器为设计人员提供电动汽车电路保护解决方案
早在十多年前，电动汽车就已经引入400V电池系统，现在我们看到行业正在向800V系统迁移，主要是为了支持直流快速充电。随着电压的提高和从400V系统中学到的经验教训，设计人员现在正专注于增强高压保护电路的性能并提高可靠性。他们正在重新评估使用熔丝、接触器或继电器的现有解决方案，以寻找响应速度更快、稳健性更强且可靠性更高的解决方案，如热熔丝和电子熔丝（即E-Fuse）。
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