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Microchip与贸泽合作推出新电子书探索未来的汽车设计与制造
2021年7月8日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子宣布与Microchip Technology合作推出一本新电子书Enabling the Future of Mobility。
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雷诺集团与意法半导体达成电力电子战略合作
2021 年 6 月 30 日——雷诺集团和意法半导体宣布战略合作，意法半导体为雷诺集团设计、开发、制造和供应纯电动汽车和混动汽车电力电子系统所用芯片和相关封装解决方案。
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UnitedSiC宣布推出六款新型D2PAK-7L碳化硅FET
2021年5月20日，美国新泽西州普林斯顿 --- 全球领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布继续扩展FET产品组合，并推出六款全新的650V和1200V产品。
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碳化硅在下一代工业电机驱动器中的作用
国际能源署(IEA)估计，电机功耗占世界总电力的45%以上。
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积极布局碳化硅广阔应用前景，基本半导体亮相慕尼黑电子展
当前碳化硅的推动力需求很足，5G和数据激增带来了数据中心的电源功率密度高度提升的要求；碳中和和新基建推动了新能源汽车的市场扩大；消费端自然地往下走的用户体验升级，同样也来自碳化硅和GaN等新材料功率器件对于方案功率密度的提升。碳化硅的应用前景蔚然广阔...
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碳化硅技术如何变革汽车车载充电
日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车(EV)的发展。
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碳化硅技术如何变革汽车车载充电
日趋严格的CO2排放标准以及不断变化的公众和企业意见在加速全球电动汽车(EV)的发展。这为车载充电器(OBC)带来在未来几年巨大的增长空间，根据最近的趋势，到2024年的复合年增长率(CAGR(TAM))估计将达到37.6%或更高。对于全球OBC模块正在设计中的汽车，提高系统能效或定义一种高度可靠的新拓扑结构已成为迫在眉睫的挑战。
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对于电源管理来说，碳化硅到底比硅强了多少？
诸如太阳能和风力发电之类的创新技术正在加速取代传统燃料为基础的电厂，并且由于储能和收集方法的改善，从而节省了大量成本，已经超过了昂贵的“发电厂”。
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意法半导体发布隔离式栅极驱动器，可安全控制碳化硅MOSFET
STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品，可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET，工作电源电压高达1200V。
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碳化硅半导体2021年技术展望
随着宽禁带技术不断渗透到传统和新兴的电力电子应用中，半导体厂商一直在以惊人的速度开发其产品系列。其中一些已发布了多代技术产品。安森美半导体凭借其经证实的碳化硅(SiC)MOSFET器件性能和对客户一流的支持，是该领域的一个领袖。
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碳化硅、氮化镓有什么差别？
人工智能（AI）、边缘运算与万物联网趋势，带来无所不在的感测、通讯与功率解决方案需求，化合物半导体的重要性也随之暴增。从资料中心里的服务器、网通设备，到手机上的 RF 功率放大器，以及为所有电子元件供应电力的功率元件，都将因化合物半导体的普遍运用，在性能上出现重大突破。
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宽禁带生态系统：碳化硅功率MOSFET模型的部分特性
宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。它们的大带隙导致较高的介电击穿，从而降低了导通电阻(RSP)。更高的电子饱和速度支持高频设计和工作，降低的漏电流和更好的导热性有助于高温下的工作。安森美半导体提供围绕宽禁带方案的独一无二的生态系统，包含从旨在提高强固性和速度的碳化硅(SiC)...
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英飞凌通过与GT Advanced Technologies合作扩大碳化硅供应基础
GT Advanced Technologies与英飞凌科技（Infineon Technologies AG）联合新闻稿德国慕尼黑和新罕布什尔州哈德逊, Nov. 13, 2020 (GLOBE
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基本半导体完成数亿元B轮融资，打造行业领先的碳化硅IDM企业
2020年12月31日，致力于碳化硅功率器件研发及产业化的国内第三代半导体行业领军企业基本半导体宣布完成数亿元人民币B轮融资，由闻泰科技领投，深圳市投控资本、民和资本、屹唐长厚、四海新材料等机构跟投，原股东力合资本追加投资。
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台积电想再称霸20年，就得靠这种新材料！
第三代半导体虽然发展已经有一段时间，不过，其实今年以来，才逐渐开始广为人知，尤其是中国大陆在今年发布的「十四五规划」，将第三代半导体纳入其中，再度引起市场对第三代半导体的关注。
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国内首家!打通碳化硅全产业链，三安集成完成量产平台打造
中国化合物半导体全产业链制造平台——三安集成日前宣布，已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。
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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑战已被攻克
作为第三代半导体，SiC凭借着多方面更优异的性能正在向更多应用领域扩展，但不容回避，成本、易用性方面，传统的SiC器件在某些方面仍然稍逊于硅器件，这也让碳化硅器件取代硅器件的发展之路面临挑战。
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最全！解析碳化硅外延材料产业链
与传统硅功率器件制作工艺不同的是，碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。
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碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估
臻驱科技(上海)有限公司(以下简称“臻驱科技”)是一家以研发、生产和销售新能源车动力总成及其功率半导体模块为核心业务的高科技公司。
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一款62mm器件半桥拓扑设计的CoolSiC™模块
在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的CoolSiC™ MOSFET模吗?
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