【2023年11月29日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅(SiC)MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用,而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块,其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。
随着科技的不断发展,半导体材料在电子、通信、航空航天等领域的应用越来越广泛。其中,碳化硅(SiC)作为一种具有优异性能的半导体材料,已经成为了全球半导体产业的研究热点。本文将对碳化硅半导体及其产业链进行概述,以期为读者提供一个全面的了解。
近日,在成功举办的2023意法半导体工业峰会上,意法半导体展示了作为工业上游的领军半导体企业,对当下第三代半导体技术、落地方案和生态战略等方面的布局。换句话来说,意法半导体正在捕捉国内工业数智化深度变革的一次机遇,并为各产业未来发展提供坚实的全方位支持。
此次合作将利用双方的协同优势进一步提升碳化硅(SiC)技术
【2023 年 11 月7日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)与现代汽车和起亚签署了碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半导体长期供货协议。英飞凌将建设并保留向现代/起亚供应碳化硅及硅功率模块和芯片的产能直至 2030 年。现代/起亚将出资支持这一产能建设和产能储备。
双方就SiC模块的合作进一步提升了模块紧凑度和功率密度
2023年11月1日,中国 —— 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)将于11月2日在台北文创举办首届ST Taiwan Tech Day。该活动旨在为客户和合作伙伴提供创新和成功所需之产品和解决方案的相关资讯。
2023 年 10 月 30日,中国– 意法半导体发布了ACEPACK DMT-32系列车规碳化硅(SiC)功率模块,新系列产品采用便捷的 32 引脚双列直插通孔塑料封装,目标应用是车载充电机(OBC)、 DC/DC直流变压器、油液泵、空调等汽车系统,产品优点包括高功率密度、设计高度紧凑和装配简易等,提供四管全桥、三相六管全桥和图腾柱三种封装配置,增强了系统设计灵活性。
该中心占地 24,000平方英尺,内部设施包括新建的高压和电动汽车实验室,以及供汽车客户开发和优化设计的技术培训工作室
计划落户科学园设立研发中心 实行自主研发及生产第三代半导体芯片
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)将于8月29日~31日参加在上海新国际博览中心举办的2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下简称PCIM Asia)(展位号:W2馆2D03)。届时,将聚焦碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带半导体,展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。同时,罗姆工程师还将在现场举办的“第三代半导体论坛”以及“电力电子应用技术论坛”等同期论坛上发表演讲,分享罗姆最新的功率电子技术成果。
第二季度销售额为24.4亿欧元(去年同期:21.7亿欧元);2023年上半年销售额达47.6亿欧元 (去年同期:44.2亿欧元) 第二季度调整后息税前利润为7,630万欧元(去年同期:3,490万欧元),调整后息税前利润率为3.1%(去年同期:1.6%);上半年调整后息...
【2023年8月8日,德国慕尼黑讯】低碳化趋势将推动功率半导体市场强劲增长,尤其是基于宽禁带材料的功率半导体。全球功率系统领域的领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)正向构建新的市场格局迈出又一决定性的一步——英飞凌将大幅扩建居林晶圆厂,在2022年2月宣布的原始投资基础之上,打造全球最大的200毫米碳化硅(SiC)功率半导体晶圆厂。这项扩建计划得到了客户的支持,包括汽车和工业应用领域约50亿欧元的新设计订单以及约10亿欧元的预付款。
【2023 年 7 月 3 日,德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能够实现双向充电功能,并显著降低了车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。
6月7日,知名半导体公司意法半导体(ST)通过官网宣布,将与A股上市公司三安光电(600703)成立一家合资制造厂,进行8英寸碳化硅(SiC)器件大规模量产。
近年来,为了更好地实现自然资源可持续利用,需要更多节能产品,因此,关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装,其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。
【2023 年 5 月 12 日,德国慕尼黑讯】为了实现全球气候目标,交通运输必须转用更加环保的车辆,比如节能的电气化列车。然而,列车运行有苛刻的运行条件,需要频繁加速和制动,且要在相当长的使用寿命内可靠运行。因此,它们需要采用具备高功率密度、高可靠性和高质量的节能牵引应用。
【2023 年 5 月 10 日,德国慕尼黑讯】全球车用半导体领导厂商英飞凌科技股份公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 与全球最大的科技制造与服务商鸿海科技集团 (TWSE:2317) 近日宣布已签订一份合作备忘录,双方将在电动汽车领域建立长期的合作关系,共同致力于开发具备高能效与先进智能功能的电动汽车。