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碳化硅（SiC）电源管理解决方案搭配 可配置数字栅极驱动技术助力实现万物电气化
绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用，尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。碳化硅（SiC）是引领这一趋势的核心技术，可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化，从而减少温室气体（GHG）排放。
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关于碳化硅，不可不知的10件事！
碳化硅的主要性能
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恭喜！山东天岳IPO获通过！客户A、客户B很神秘？！
资料显示，山东天岳成立于2010年11月，是一家国内宽禁带（第三代）半导体衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于电力电子、微波电子、光电子等领域。
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火灾的发生，让我们重新思考高效的电气化（1）
穴居人发现了火，而人类通过发明来进化这一发现，为我们照亮道路、烹饪食物并让我们保持温暖。但现在，我们都同意我们需要改变我们对能源的看法：它是如何产生、使用的，如何提高效率。近几十年来，许多进步包括来自可再生能源的清洁能源、以前依赖燃烧燃料的事物的电气化以及对能源效率的关注。随着我们向万物电气化迈进，人类与火的这种亲密关系将会消失，因为未来人类将看不到明火。这是一个相当大的偏离!当前这一代工程师将不再需要火。
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火灾的发生，让我们重新思考高效的电气化（2）
我们会在不久的将来看到镓的高压应用吗?或者我们可以在哪里做一些事情，比如通过氮化镓芯片运行列车级电压?
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Onsemi 庆祝新的 SiC 生产设施
onsemi 举办了剪彩活动，以纪念其在新罕布什尔州哈德逊的碳化硅工厂开业。以美国商务部长吉娜·雷蒙多为首的多位主宾见证了本次盛会和美国半导体制造业的意义。出席会议的还有 Sens. Jeanne Shaheen 和 Maggie Hassan、众议员 Chris Pappas (NH-01) 和 Annie Kuster (NH-02) 以及其他当地政府官员。
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安森美推出3款基于碳化硅、用于车载充电器的汽车功率模块
APM32系列模块助力所有类型的电动汽车实现更快充电和更远续航里程
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碳化硅与车载充电器(OBC)
RS瑞森碳化硅功率器件，助力OBC功率密度的提升和重量的降低
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安森美在捷克共和国扩建碳化硅工厂
该工厂将在未来两年内将其碳化硅 (SiC)晶圆产能提高16倍，以满足急剧增长的微芯片需求
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栅极驱动器的重要性，第一部分
碳化硅和氮化镓开关器件是所有电源电路中主要使用的元件。尽管它们在运行速度、高电压、处理电流和低功耗等固有特性方面取得了优异的成绩，但设计人员将所有注意力都集中在此类设备上，而常常忘记将自己的精力投入到相关的驱动器上。
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电力电子课程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN
基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势，碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用，电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。
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宽带隙材料满足 EV 功率和效率要求
碳化硅和氮化镓技术在过去几年中取得了巨大的发展，被证明是商业上可用的节能技术。来自领先半导体公司、大学和机构的讲师解释了宽带隙半导体如何实现清洁能源制造、高科技、创造就业和节能。
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湖南三安发布1200V碳化硅MOS系列新品
湖南长沙2022年9月5日 /美通社/ -- 助力低碳出行，用芯驱动未来。9月2日，湖南三安半导体主办的2022首届新能源汽车电驱动技术创新峰会在长沙圆满落幕。为提升汽车供应链韧性，加强汽车产业生态建设，了解多方需求强化产业合力，本次峰会以"聚焦芯动力，构建新生态&qu...
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安森美庆祝在新罕布什尔州扩张碳化硅工厂
该厂将使安森美的碳化硅 (SiC) 产能同比增加五倍，有助于确保对客户的关键器件的供应
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特斯拉加速碳化硅应用，产业链即将推动8寸碳化硅半导体量产
7月18日消息，近年来，在电动汽车大厂特斯拉(Tesla)的带动下，第三代半导体碳化硅(SiC)在电动汽车市场的应用正在加速。整体观察，全球碳
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天岳先进签订了6英寸导电型碳化硅衬底产品销售合同，碳化硅市场前景一片大好
7月21日，天岳先进(688234)发布公告，公司于近日与某客户签订了一份长期协议，约定2023年至2025年公司及上海天岳向合同对方销售6英寸导电型碳化硅衬底产品，按照合同约定年度基准单价测算(美元兑人民币汇率以6.7折算)，预计含税销售三年合计金额为人民币13.93亿元。
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赛米控与罗姆就碳化硅功率元器件展开新的合作
罗姆的碳化硅技术助力赛米控用于下一代电动汽车的 eMPack®功率模块
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老化测试提高了 SiC 和 GaN 的可靠性
新型宽带隙半导体(如碳化硅和氮化镓)在市场上的扩散对传统的老化和测试系统提出了挑战，因为裸片尺寸越来越小，并且组件可以承受更高的电压和温度。
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SiC 和 GaN：两种半导体的功率器件发展
在过去的几十年中，碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，工业部门现在有望超过 40 亿美元。
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说明 SiC MOSFET 在电力电子中的优势
电力设计是由市场需求驱动的，以提高效率和生产力，同时符合法规要求。最重要的最终用户需求几乎总是更小、更轻、更高效的系统，这得益于功率半导体设计的重大创新。在硅 MOSFET 和 IGBT 长期以来一直在功率半导体中占据主导地位的地方，宽带隙 (WBG) 技术，尤其是碳化硅 (SiC) 技术的最新进展正在为电力电子系统的设计人员带来额外的好处，提高效率和更高的电压能力，从而减少形式因素。
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