碳化硅

Microchip推出首款完全可配置的碳化硅MOSFET数字栅极驱动器，可将开关损耗降低50%，同时加快产品上市时间，现已投入生产

新技术使电动公共汽车等电动交通动力系统能够满足并超出严格的环境条件要求，同时 最大限度地提高效率

英飞凌在奥地利新建300毫米晶圆厂，实现功率半导体产能提升和灵活调度

根据Semi保守预测，从2020到2024，芯片行业将增加至少38个新的 300毫米量产晶圆厂，在300毫米晶圆厂上的投入将在2030年达到700亿美元历史新高。

碳化硅第一股来了！曾获得华为注资

近日，科创板上市委2021年第65次审议会议结果公告显示，山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“山东天岳”）符合发行条件、上市条件和信息披露要求。山东天岳招股书披露，本次公开发行不超过42，971，105股（不考虑超额配售选择权），且发行完成后公开发行股份数占发行后总股数的比例...

东芝推出新款碳化硅MOSFET模块，有助于提升工业设备效率和小型化

点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产。为达到17...

第三代半导体热潮“带货”沉积设备需求，供应链与服务本地化成关键考量

新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基势垒二极管提供更快的开关和更高的效率

极快和低损耗的开关非常适合数据中心、楼宇自动化和其他高功率电子应用

东芝的碳化硅功率模块新技术提高了可靠性的同时减小了尺寸

点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，开发了用于碳化硅（SiC）功率模块的封装技术，能够使产品的可靠性提升一倍[1]，同时减少20%的封装尺寸[2]。与硅相比，碳化硅可以实现更高的电压和更低的损耗，且被广泛视为功率器件的新一代材料...

东芝新款高压MOSFET，碳化硅功不可没

点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）众所周知，硅元素因其独特的稳定性成为功率MOS中最常用的材料。然而随着半导体材料的不断发展，越来越多的化合物半导体材料走上历史舞台。近年来，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等第三代半导体材料正凭借其优越的性能...

科普｜碳化硅芯片怎么制造？

芯片是如何制造的？网络热议的碳化硅芯片与传统硅基芯片有什么区别？为大家解开谜团，走进神秘的芯片世界。科创中心先进半导体研究院特别推出的一支科普宣传片，让你四分钟，做个芯片通！碳化硅来了！宽禁带半导体材料开启新时代以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，突破原有半导体材料在大功率...

碳化硅如何为电机驱动赋能

点击蓝字 关注我们请私信我们添加白名单如果您喜欢本篇文章，欢迎转载！前言近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG功率器件已经对从普通的电源和充电器到太...

东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET

点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），将于今日开始出货。该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的...

碳化硅迈入新时代ST 25年研发突破技术挑战

1996年，ST开始与卡塔尼亚大学合作研发碳化硅(SiC)，今天，SiC正在彻底改变电动汽车。

极端温度半导体解决方案供应商CISSOID授权世强硬创电商，提供车规级碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模块等产品

7月，来自比利时的高温半导体解决方案供应商CISSOID正式与世强硬创电商签署授权代理协议，授权其代理旗下智能功率模块IPM、集成电路、分立器件等产品。

UnitedSiC 推出第二版FET-Jet Calculator

该在线电源设计工具的增强型功能使确定最优SiC FET设计解决方案更加容易

吉利汽车集团与罗姆半导体集团缔结以碳化硅为核心的战略合作伙伴关系

加速汽车领域的技术创新，助力实现可持续发展社会

Microchip推出业界耐固性最强的碳化硅功率解决方案，取代硅IGBT，现已提供1700V版本

1700V MOSFET裸片、分立器件和功率模块器件等碳化硅产品阵容扩大了设计人员对效率和功率密度的选择范围

扩产能，降成本！意法半导体制造首批200mm碳化硅晶圆

晶圆升级到200mm标志着扩大产能，以及支持汽车和工业市场实现系统和产品电气化的计划取得阶段性成功！

意法半导体制造首批200mm碳化硅晶圆

晶圆升级到 200mm标志着扩大产能，以及支持汽车和工业市场实现系统和产品电气化的计划取得阶段性成功

快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”，落地这一领域可每年省电40亿度

众所周知，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体，相较传统的硅材料半导体，具备许多非常优异的特性，如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。

华为哈勃投资天域半导体：发力第三代半导体材料碳化硅

除了投资“芯片之母”EDA企业，企查查工商资料显示，华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司，后