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Imec发布EUV掩膜缺陷评估方面的成果
Imec联合合作伙伴发布两份EUV掩膜评估结果，结果显示EUV供应商须在检测掩膜缺陷能力方面进行改善。并与Zeiss SMS合作通过实验演示了一项消除缺陷的补偿技术。
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EUV掩膜版清洗技术遭遇资金危机
本周在奥斯汀由美国半导体制造技术战略联盟(Sematech)牵头举办的表面制备与清洁技术大会(SPCC:Surface Preparation and Cleaning Conference)上,与会者纷纷表示EUV光刻技术的发展对EUV有关的量测技术以及掩膜清洁技术
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光刻世界的期待与沮丧
数十年来，光刻一直是关键的芯片生产技术。今天它仍然很重要。不过，在最近的SPIE先进光刻技术大会中，一些迹象显示，光刻界及其客户需要的微缩──字面上的微缩──事实上几乎已经有点像心理安慰了。 焦虑、紧张
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微影世界的蓝色忧郁
数十年来，微影一直是关键的晶片生产技术。今天它仍然很重要。不过，在最近的 SPIE 先进微影大会中，一些迹象显示，微影社群及其客户需要的微缩──字面上的微缩──事实上几乎已经有点像心理安慰了。焦虑、紧张和忧
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英特尔10nm设计规则初定 EUV技术恐错过良机
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微影技
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英特尔10nm设计规则初定 EUV技术恐错失良机
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微影技
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英特尔10nm设计规则初定 EUV技术恐错过良机
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微影技
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英特尔10nm设计规则初定，EUV技术恐错过良机
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微影技
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英特尔10nm设计规则初定，EUV技术恐错过良机
英特尔公司正在计划将目前的193nm浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家芯片业巨头也希望能在2015年下半年于10nm逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。 但英特尔微
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EUV又迟到 专家看好“定向自组装”
几年前，定向自组装技术(Directed self-assembly, DSA)还是一出实验室大门，就几乎无人知晓的名词，但未来，它将成为半导体制造业中的一种合法竞争技术。“你绝对不能忽视定向自组装，”应用材料公司(Applied Materi
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英特尔：EUV技术恐赶不上10nm节点进度
英特尔公司正在计划将目前的 193nm 浸入式微影技术扩展到14nm逻辑节点，此一计划预计在2013下半年实现。同时，这家晶片业巨擘也希望能在2015年下半年于 10nm 逻辑节点使用超紫外光(EUV)微影技术进行生产。但英特尔微
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Intel：EUV技术的发展可能赶不上我们部署10nm制程技术的脚步
在最近召开的SPIE高级光刻技术会议上，记者了解到了更多有关Intel与EUV光刻技术方面的新动向，据了解，Intel将EUV光刻技术应用到大批 量生产的时间点将会迟于Intel推出14nm制程产品的时间点，而且按现在的发展趋势来
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Intel：EUV技术的发展可能赶不上我们部署10nm制程技术的脚步
在最近召开的SPIE高级光刻技术会议上，记者了解到了更多有关Intel与EUV光刻技术方面的新动向，据了解，Intel将EUV光刻技术应用到大批量生产的时间点将会迟于Intel推出14nm制程产品的时间点，而且按现在的发展趋势来看
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Intel：EUV技术的发展可能赶不上我们部署10nm制程技术的脚步
在最近召开的SPIE高级光刻技术会议上，记者了解到了更多有关Intel与EUV光刻技术方面的新动向，据了解，Intel将EUV光刻技术应用到大批 量生产的时间点将会迟于Intel推出14nm制程产品的时间点，而且按现在的发展趋势来
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巴克莱分析师：紧随TSV/EUV技术 450mm大潮2018年将至
不久前台积电公司公布自己转向450mm技术后，巴克莱公司分析师 CJ Muse最近发表了其对450mm技术未来走向的新预测，他认为450mm技术的大潮将在2018年以前来临，不过在此之前各大芯片制造厂商会先完成其它 几项重要的技
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半导体厂商高层在“世界半导体峰会”发布战略演讲
“世界半导体峰会@东京2011～半导体产业，成长宣言～”(2011年1月24日于日经大厅召开，《日经电子》主办)隆重举行，各大半导体厂商高层分别就各自的发展战略等发表了演讲。瑞萨电子代表董事社长赤尾泰以&l
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瑞萨及TSMC高层在“世界半导体峰会”发表战略演讲
“世界半导体峰会＠东京2011～半导体产业，成长宣言～”（2011年1月24日于日经大厅召开，《日经电子》主办）隆重举行，各大半导体厂商高层分别就各自的发展战略等发表了演讲。 瑞萨电子代表董事社长赤尾泰以“面
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Micron总裁谈3D EUV与450mm晶圆
不久之前Micron公司表现为技术有些滞后，然而最近以来此家存储器制造商开始追赶上来，似乎在NAND方面己经超过它的竞争对手。Micron公司正在进行25nmNAND生产线的量产准备工作,计划近期将完成。在DRAM方面,它们正进行
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Micron总裁谈3D EUV与450mm晶圆
不久之前Micron公司表现为技术有些滞后，然而最近以来此家存储器制造商开始追赶上来，似乎在NAND方面己经超过它的竞争对手。Micron公司正在进行25nm NAND生产线的量产准备工作,计划近期将完成。在DRAM方面,它们正进行
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光罩、光阻问题大 EUV机台量产路途遥
微影设备大厂艾司摩尔(ASML)首台深紫外光(EUV)机台已正式送到客户端进行装机，日前，ASML也用EUV机台试产出首片27奈米半间距(half pitch)的芯片。不过，目前EUV除成本高昂外，光罩检测与光阻为目前EUV进入量产的两大
