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2010决胜年 ASML 主攻38纳米、EUV设备
全球最大半导体微显影设备业者ASML表示，目前客户订单增加相当多，但主是来自半导体业者制程微缩而非产能扩充的需求，半导体业者仍持续微缩半导体制程，摩尔定律预料将持续延续。以目前ASML最先进的浸润式微显影机种
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EUV: 一场输不起的赌局
2010年， ASML将有5台最先进的EUV设备整装发往全球的5家客户。业界传言，最新的NXE3100系统将发送给3家顶级存储器厂商和2家顶级逻辑厂商。EUV胜利的曙光正在向我们招手，虽然目前工程师们还在荷兰Veldhoven专为EUV新
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EUV蓄势待发 Carl Zeiss向ASML出货EUV光学系统
德国Carl Zeiss SMT AG已向半导体设备商ASML出货首台EUV光学系统。该公司已使EUV光学系统达到了生产要求。光学系统是EUV设备的核心模块，首台EUV设备预计将在2010年出货。几周前，美国公司Cymer完成了EUV光源的开发，
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半导体设备业的“合作”难题
在Semicon West期间的一场记者会上，两大半导体设备厂应材(Applied Materials)与TEL (Tokyo Electron Ltd)的高层正好在贵宾桌上分坐两端；这也许是巧合，但也可能不是──毕竟这两家公司向来是死对头，双方大有理由王
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ASML的上半年订单落空 预期下半年有望回复
按全球第一大光刻设备供应商ASML公司的预估，其Q1的销售额将从08年Q4的4.94亿欧元下降到1.84亿欧元，而去年同期为9.19亿欧元，下降达80％。 ASML预计Q2的销售额在2.1-2.3亿欧元间，因为受工艺制程的进一步缩小推动
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台积电28nm工艺仍将采用液浸ArF曝光 EUV将用于22nm以下工艺
台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。 该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始
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IMEC将在2010年上半年制预投产EUV光刻机
据EETimes报道，欧洲研发机构IMEC首席运营官Luc Van den Hove表示，IMEC将在2010年上半年制成预投产EUV（极紫外）光刻设备。 按照目前的进程，该设备将于2012年在IMEC的300mm生产线上投产。尽管对于EUV在商业制造中
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日本启动EUV光源开发项目
据半导体国际网站报道，日前一个关于极紫外（EUV）光刻光源开发的新联盟在日本启动，这是继EUV曝光技术开发完成后，日本极紫外光刻系统开发协会(ExtremeUltravioletLithographySystemDevelopmentAssociation，EUVA，
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2008年半导体行业十大预言
新年好！2008年刚刚开始呈现在电子行业面前，根据最新的行业数据，在空气中就已经弥漫着不确定性。对于2008年及其以后的整个半导体以及IC设备的展望，行业预测专家似乎具有不同的观点。为了帮助澄清市场中似是而非的
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22纳米后EUV光刻还是电子束光刻？市场看法存分歧
浸润式微显影双重曝光能进一步延伸摩尔定律的寿命至32纳米，不过，22纳米以下究竟哪种技术得以出头，争议不断。据了解，台积电目前正积极研发22纳米以下直写式多重电子束(MEBDW)方案，并已有具体成果，但积极推动深紫
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EUV时代已来临，ASML全力以赴
ASML公司EUV(Extreme ultraviolet)系统产品开发经理Hans Meiling透露，其公司采用EUV alpha演示工具印制出了亚40纳米光阻图像。 Meiling在提交给SPIE微光刻大会的一篇论文中汇报了EUV领域的进展，包括EUV掩膜、可工
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以色列邀和黄购国营固网
以 色 列 电 讯 部 长 Reuven Rivlin 本 周 一 曾 与 和 黄 ( 0013 ) 主 席 李 嘉 诚 共 晋 午 膳 ， 并 邀 请 和 黄 收 购 以 色 列 的 国 营 固 网 公 司 Bezeq 。 以 色 列 政 府 已 委 托 美 林 安 排 出
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