-
ASMLQ2业绩创新高6套EUV设备将交货
ASML日前宣布，其2010年Q2净销售达到1,069million欧元，净收入为239million欧元，Q2的净订单价值1,179million欧元，包括了48套新系统及11套二手系统。各项数据均较2010年Q1有所提高。ASML总裁兼CEOEricMeurice认为，
-
2015年15nm GF将用EUV光刻技术造芯片
在最近的SemiCon West产业会议上， Global Foundries公司对外宣布，将会在15nm制程时开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。Global Foundries公司高级副总裁Greg Bartlett表示，在纽约Fab 8工厂建成之后的2012
-
Global Foundries宣布2015年将在15nm制程节点正式启用EUV光刻技术
在最近召开的SemiCon West产业会议上， Global Foundries 公司宣布他们将在15nm制程节点开始启用EUV极紫外光刻技术制造半导体芯片。 Global Foundries 公司负责制程技术研发的高级副总裁Greg Bartlett还表示，公司将
-
ASML Q2业绩创新高 6套EUV设备将交货
ASML日前宣布，其2010年Q2净销售达到1,069 million欧元，净收入为239 million 欧元，Q2的净订单价值1,179 million 欧元，包括了48套新系统及11套二手系统。各项数据均较2010年Q1有所提高。ASML总裁兼CEO Eric Meuric
-
台积电拼20奈米 战斗机台明年到位
随着IC组件微缩、制程进入28奈米以下，半导体业者若能掌握微影技术主控权，就等于卡位先进制程领导地位，台积电未来研发重点放在28奈米以下，尤其为力拼20奈米制程，全力备妥战斗武器，台积电研究发展资深副总经理蒋
-
对EUV曝光充满期待——东芝在SEMI Forum上发表演讲
新一代半导体曝光工艺将如何发展？在SEMI日本主办的“SEMI Forum Japan 2010”（5月31日～6月1日，大阪国际会议中心）上，器件厂商和曝光装置厂商先后发表演讲，从中便可窥探出EUV（Extreme Ultraviolet）曝光在半导
-
光刻技术路在何方？
光刻技术正处在十字路口并可能是在向错误的方向发展。光刻是支撑摩尔定律所阐明的IC工艺不断缩微的关键生产技术。当前的技术仍然可行，而且其寿命已远远超出了所有人的预期，所以将在不久的将来失去动力。其后继技术
-
东芝成功形成半间距14nm的图案，以EUV双重图形制作工艺实现
东芝成功形成了14nm半间距（HP，Half Pitch）图案的照片在“Photomask Japan 2010”（4月13日～15日在太平洋横滨会展中心举行）的海报展上公开。系采用现有的EUV装置，以双重图形制作工艺试制而成。 东芝的相关人
-
是用EUV光刻技术制造的，瑞士企业展出hp 35nm的纳米压印模具
瑞士Eulitha AG强调“用EUV（extreme ultraviolet）光刻技术制造”的纳米压印用模具，在“nano tech 2010（国际纳米科技综合展，2月17～19日）”上展出。在2mm×0.5mm的转印区内形成了最小17nm的网点、最小半间距（h
-
英特尔认为浸入式光刻能延伸到11纳米
英特尔的先进光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特尔希望EUV或者无掩模电子束光刻能作为193纳米浸入式光刻在11纳米的后补者,并声称11纳米可能发生在2015年。Borodovsky表示193nm浸入式光刻技术可能延伸到分别在201
-
Intel欲将193nm沉浸式光刻技术延用至11nm制程节点
在本月21日举办的LithoVision2010大会上，Intel公司公布了其未来几年的光刻技术发展计划，按这份惊人的计划显示，Intel计划将 193nm波长沉浸式光刻技术延用至11nm制程节点，这表明他们再次后延了其极紫外光刻(EUV)技
-
台积 攻22奈米添利多
台积电（2330）昨（22）日宣布，将取得艾司摩尔（ASML）超紫外光 (Extreme Ultra-violet，EUV)微影设备，将使得台积在22奈米以下的最先进制程领先全球。 台积电目前40奈米拥有90%以上高市占率，今 将举行一年一度
-
台积电跨入EUV微影技术领域
台积电（2330）与微影设备大厂荷商艾司摩尔（ASML）昨（22）日共同宣布，台积电将取得ASML的TWINSCAN NXE：3100极紫外光（Extreme Ultra-Violet，EUV）微影设备。这是台积电在布局多重电子束的无光罩（maskless）、双
-
分析：450mm，EUV，TSV都将延迟
现在不用再期待了，根据IC insights公司的数据，看起来两个两个正在显现的重要的IC制造技术都将延迟，包括450mm晶圆和远紫外（EUV）光刻技术。 根据分析，450mm晶圆厂量产可能要比预期的时间晚两年，要等到2015年或2
-
450mm晶圆，EUV光刻、TSV三项投入应用将推迟至2015-2016年
半导体技术市场权威分析公司ICInsights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm技术以及极紫外光刻技术（EUV）投入实用的时间点将再度后延。据ICInsights预计，基于450mm技术的芯片厂需要到2015-2016年左右才有望
-
三项半导体新技术投入使用的时间将后延至2015-2016年
半导体技术市场权威分析公司IC Insights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm技术以及极紫外光刻技术(EUV)投入实用的时间点将再度后延。据IC Insights预计，基于450mm技术的芯片厂需要到2015-2016年左右才有望
-
450mm晶圆,EUV光刻、TSV三项投入应用将推迟至2015-2016年
半导体技术市场权威分析公司IC Insights近日发布的报告显示，按照他们的估计，450mm技术以及极紫外光刻技术（EUV）投入实用的时间点将再度后延。据IC Insights预计，基于450mm技术的芯片厂需要到2015-2016年左右才有
-
KLA公开EUV掩模检查装置战略
在美国KLA-Tencor于12月3日主办的“第17届YMS研讨会”上，KLA-Tencor Japan公开了有关EUV掩模检查的战略。 在本届研讨会上，KLA-Tencor Japan的长冈根据KLA-Tencor在10月于捷克布拉格举行的“2009 International
-
中国32nm技术脚步渐近
32nm离我们还有多远？技术难点该如何突破？材料与设备要扮演何种角色？10月28日于北京举办的先进半导体技术研讨会即围绕“32nm技术发展与挑战”这一主题进行了探讨。32nm节点挑战无限“45nm已进入量产，32nm甚至更小
快意恩仇
huihua001
yzdxzhangbo
zyx818102
dqly5
gaofei207
jinwandalaohu
lixiang69
fangmailbox
太阳系的天体
qmei2008
asklaibao
szhr998
neomissing
EasierDX
martian618
probigfat
liubeihua
Matthew2018
walk_bird
