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半导体工艺微细化遇阻
半导体工艺技术在不断进步。先行厂商已开始量产22/20nm工艺产品，而且还在开发旨在2～3年后量产的15nm技术。不过，虽然技术在不断进步，但很多工艺技术人员都拥有闭塞感。因为工艺技术革新的关键——微细化让人担心。
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成本大挑战 台积电期上下游携手合作
王怡苹／新竹 台积电研究发展资深副总蒋尚义于2011年高科技产业论坛中，发表先进半导体产业发展趋势，蒋尚义分析，目前半导体技术创新遇到的挑战在于微影技术、电晶体堆叠方式的革命以及随技术演进而攀升的成本问题，
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携手TEL ASML催生EUV微影量产系统
艾司摩尔(ASML)宣布与东京威力科创(TEL)签署合作协议，以加快极紫外光微影(EUV Lithography)设备商用进展。根据协议，东京威力科创将提供最新的EUV涂布机(Coater)和显影机(Developer)给艾司摩尔，并共同研究提高EUV微
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EUV光刻下垫层材料研究进展
EUV光刻是hp22以下器件制造最有前途的候选技术之一。但它有些难点需要克服，特别是要开发高功率EUV光源、制造多层掩膜与检测以及开发均衡性良好的光刻胶，因为分辨率-线宽粗糙度-灵敏度(RLS)的权衡最重要。EUV用光刻
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20奈米制程声声催 EUV光罩/晶圆检测发展赶进度
在先进制程迈入20奈米之际，半导体设备商正积极透过策略结盟方式发展EUV光罩缺陷检测系统，以加速实现EUV技术应用于20奈米节点的目标；另一方面，拥有更高晶圆缺陷检测精准度与吞吐量的电子束晶圆缺陷检视设备，需求
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应材新光罩蚀刻系统 解决16奈米以下EUV部分瓶颈
连于慧／台北 日前台积电研发资深副总蒋尚义才呼吁设备厂要多加把劲，为先进制程技术的机台设备研发加把劲，全球半导体设备大厂也都努力推新设备应战。应用材料(Applied Materials)日前表示，将针对16奈米及以下制程
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日本EUV光刻系统企业联合体计划在全球范围建立客户合作关系
由日本芯片制造商和设备制造商组成的EUV光刻系统企业联合体近来积极在全球范围建立客户合作关系，最新加入的海外公司包括英特尔、三星、海力士和台积电等。日本EUV光刻系统企业联合体成立于今年一月，主要成员包括芯
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台积电：14nm节点延期，都怪设备商不给力
在Semicon Taiwan半导体设备展上，晶圆代工大厂台积电(TSMC)的高层指出，要赶上 14奈米节点芯片在2015年的量产时程，时间已经不多了，但设备业者却动作太慢。台积电认为，要让 14奈米芯片达到成本效益，需要采用下一
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台积电：14nm节点延期，都怪设备商不给力
在Semicon Taiwan半导体设备展上，晶圆代工大厂台积电(TSMC)的高层指出，要赶上 14奈米节点芯片在2015年的量产时程，时间已经不多了，但设备业者却动作太慢。台积电认为，要让 14奈米芯片达到成本效益，需要采用下一
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14奈米量产迫在眉睫 台积电：设备商动作太慢
在SemiconTaiwan半导体设备展上，晶圆代工大厂台积电(TSMC)的高层指出，要赶上14奈米节点晶片在2015年的量产时程，时间已经不多了，但设备业者却动作太慢。台积电认为，要让14奈米晶片达到成本效益，需要采用下一代微
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14奈米量产迫在眉睫 台积电：设备商动作太慢
在Semicon Taiwan半导体设备展上，晶圆代工大厂台积电(TSMC)的高层指出，要赶上 14奈米节点晶片在2015年的量产时程，时间已经不多了，但设备业者却动作太慢。台积电认为，要让 14奈米晶片达到成本效益，需要采用下一
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“巧妇难为无米之炊”，半导体设备落后延宕14nm工艺
台积电研发高管在Semicon台湾国际半导体展的一次演讲中表示，留给台积电决定如何在2015年投产14nm芯片的时间越来越短，而资本设备厂商却没能跟上进度。 台积电认为公司需要转向下一代光刻技术和450mm晶圆才能让14
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台积电：28纳米产能满载
台积电仍信心喊话，除了第4季营运可望好转，台积电研发资深副总经理蒋尚义昨（7）日出席台湾半导体展（SEMICON Taiwan）指出，28纳米能拿到的订单都拿到了，明年需求非常好，现在产能全数满载。 此外，台积电20纳
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台积电28nm订单全到位 20nm明年9月量产
面对市场传出经济成长放缓、恐使库存调整拉长，台积电(2330-TW)(TSM-US)深具信心地指出，库存调整与去化应该一个季度就可以解决，台积电研发资深副总经理蒋尚义并透露，目前观察到明年的市场需求稳健，台积电28奈米订
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台积电透露将于近期开始试用EUV微影设备
晶圆代工大厂台积电(TSMC)透露，该公司将在两周内首度启用深紫外光(EUV)微影设备；此举意味着台积电已经开始为下一代的晶片生产，进一步评估三种微影竞争技术，好为生产下一代晶片做准备。 「我们是唯一公开透露已经
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台积电28纳米 明年初放量
台积电研发副总经理林本坚昨（6）日参加台湾半导体展（SEMICONTaiwan）展前记者会时指出，台积电28纳米今年底小量生产，明年初预估量会放大，仍采用多重曝影（multipatterning）的浸润式（immersion）微影技术。台积
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台积电28纳米 明年初放量
台积电研发副总经理林本坚昨（6）日参加台湾半导体展（SEMICON Taiwan）展前记者会时指出，台积电28纳米今年底小量生产，明年初预估量会放大，仍采用多重曝影（multi patterning）的浸润式（immersion）微影技术。台
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日本工业新闻称尔必达计划兴建下一代芯片生产工厂
日本媒体日刊工业新闻29日报导，因半导体制程技术将于数年后来到10nm等级(10-19nm)水平，加上现有工厂内可供设置设备的空间已不多，故日本DRAM龙头厂尔必达(Elpida)计划于广岛工厂内兴建乙栋新厂房，该栋新厂房并将导
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插旗EUV版图 KLA/SEMATECH缔结盟约
为实现零缺陷的极紫外光(EUV)光罩，光罩缺陷检测系统不可或缺。有鉴于EUV前景可期，科磊(KLA-Tencor)正试图透过与SEMATECH策略结盟发展光罩缺陷检测系统，以加速EUV技术成熟，并藉此卡位EUV市场先机。 科磊行销长
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下一代光刻技术延迟 NAND成长或趋缓
在日前的一场闪存高峰会中，SanDisk公司的技术长Yoram Cedar指出，下一代光刻技术的延迟，将导致NAND闪存的成长趋缓。市场原先对闪存的展望都相当乐观，但Cedar表示，由于超紫外光(EUV)光刻技术的延迟，闪存的成长可
