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22nm时代来临450mm硅片大势所趋
每年七月在美国加州举行的SemiconWest展览会是全球最大的半导体设备与材料展览会之一。由于展览会在七月举行，正好上半年已过，所以在会议期间许多高管会对产业的发展与前景发表看法。本文试图综合展览会与产业于上半
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光学光刻和EUV光刻中的掩膜与晶圆形貌效应
半导体制造中微型化的进展使得光刻掩膜和晶圆上的几何图形不断增加。准确模拟这些图形产生的衍射要求运用精确的电磁场（EMF）模拟方法。这些方法是在给定的几何形状、材料参数和入射场（照明）条件下，用合适的数值方
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22nm时代来临450mm硅片大势所趋
22nm时代来临450mm硅片大势所趋
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工艺进入22nm 半导体增长毫无悬念
每年七月在美国加州举行的Semicon West展览会是全球最大的半导体设备与材料展览会之一。本文试图综合展览会与产业于上半年的进展加以概括，讨论一些业界特别关注的课题。 每年七月在美国加州举行的Semicon West展
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IC：22nm时代来临450mm硅片大势所趋
每年七月在美国加州举行的SemiconWest展览会是全球最大的半导体设备与材料展览会之一。由于展览会在七月举行，正好上半年已过，所以在会议期间许多高管会对产业的发展与前景发表看法。本文试图综合展览会与产业于上半
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IC的22nm时代来临 450mm硅片大势所趋
半导体业增长没有悬念前两个季度半导体产业的变化向减弱方向发展，不过保持增长应该是没有悬念，增长多少需要视未来的市场需求而定。全球半导体业如戏剧般在改变，2010年是国际金融危机之后的首个高增长年，增幅达32
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IC：22nm时代来临 450mm硅片大势所趋(图)
特约撰稿 莫大康 每年七月在美国加州举行的Semicon West展览会是全球最大的半导体设备与材料展览会之一。由于展览会在七月举行，正好上半年已过，所以在会议期间许多高管会对产业的发展与前景发表看法。本文试图
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随笔：EUV光刻技术与协和式超音速客机的奇妙类比
与我们熟悉的摩尔定律类似，如果采样对比的时间长度足够短，那么几乎任何科技发展的速度都会呈现出一种对数级的线性增长。有些业内人士总是喜欢将其所在业界的发展历史趋势总结为与摩尔定律类似的形式，希望业界的未
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东芝450mm晶圆投产态度转趋保守
外界一直认为东芝(Toshiba)会从2011年第3季启动18吋晶圆开发计画，但这项计画很有可能延期。老早表明要全速进军18吋晶圆技术的三星电子(SamsungElectronics)，在整体业绩表现不佳的状况下，态度亦转为慎重。半导体晶
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东芝450mm晶圆投产态度转趋保守
外界一直认为东芝(Toshiba)会从2011年第3季启动18吋晶圆开发计画，但这项计画很有可能延期。老早表明要全速进军18吋晶圆技术的三星电子(SamsungElectronics)，在整体业绩表现不佳的状况下，态度亦转为慎重。 半导体晶
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东芝对18吋晶圆投产态度趋保守
外界一直认为东芝(Toshiba)会从2011年第3季启动18吋晶圆开发计划，但这项计划很有可能延期。之前表明要全速进军18吋晶圆技术的三星，在整体业绩表现不佳的状况下，态度亦转为慎重。半导体晶圆直径从2吋一路演进到现行
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东芝450mm晶圆投产态度转趋保守
外界一直认为东芝(Toshiba)会从2011年第3季启动18寸晶圆开发计划，但这项计划很有可能延期。老早表明要全速进军18寸晶圆技术的三星电子(SamsungElectronics)，在整体业绩表现不佳的状况下，态度亦转为慎重。 半导
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IMEC用EUV曝光装置成功曝光晶圆
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光装置NXE:3100进行曝光。该EUV曝光装置配备了日本牛尾电机的全资子公司德国XTREME technologies GmbH公司生产的LA-DPP(laser assisted discharge produced plas
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东芝18吋晶圆投产态度 转趋保守
外界一直认为东芝(Toshiba)会从2011年第3季启动18吋晶圆开发计画，但这项计画很有可能延期。老早表明要全速进军18吋晶圆技术的三星电子(SamsungElectronics)，在整体业绩表现不佳的状况下，态度亦转为慎重。半导体晶
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东芝18吋晶圆投产态度 转趋保守
苏恒安／综合外电 外界一直认为东芝(Toshiba)会从2011年第3季启动18吋晶圆开发计画，但这项计画很有可能延期。老早表明要全速进军18吋晶圆技术的三星电子(Samsung Electronics)，在整体业绩表现不佳的状况下，态度亦
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IMEC利用配备LA-DPP光源的EUV曝光装置成功曝光晶圆
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extremeultraviolet）曝光装置NXE:3100进行曝光。该EUV曝光装置配备了日本牛尾电机的全资子公司德国XTREMEtechnologiesGmbH公司生产的LA-DPP（laserassisteddischargeproducedplasma）
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Gigaphoton量产型 LPP式EUV光源明年年初将上市销售
光刻机光源厂商Gigaphoton公司近日宣称其研发的EUV用LPP光源的残骸消除技术可以去掉工质等离子化时产生的92%有害残骸，其研发的LPP光源使用了电磁场技术来降低残骸的数量，这样一来，这款光源产品将很快投入量产，并
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IMEC利用配备LA-DPP光源的EUV曝光装置成功曝光晶圆
IMEC宣布，成功利用ASML的EUV（extreme ultraviolet）曝光装置NXE:3100进行曝光。该EUV曝光装置配备了日本牛尾电机的全资子公司德国XTREME technologies GmbH公司生产的LA-DPP（laser assisted discharge produced p
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IMEC利用配备LA-DPP光源的EUV曝光装置曝光晶圆
比利时IMEC宣布，成功利用荷兰阿斯麦（ASML Holding N.V.）公司生产的试制及少量生产用（Pre-Production Tool：PPT）EUV（extreme ultraviolet）曝光装置“NXE:3100”在晶圆上进行了曝光。该EUV曝光装置配备了日本
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MIT科学家称已实现9nm电子束解析度
麻省理工学院(MIC)的研究人员表示，已经开发出一种技术，可望提升在晶片上写入图案的高速电子束微影解析度，甚至可达9nm，远低于原先所想像。MIT表示，电子束微影工具的最小特征尺寸已证实可以解决 25nm的制程跨越问
