光源对于光刻机的重要性不言而喻,没有光源的匹配,一切图形成像都无从谈起。从1986年开始,Cymer正式进入半导体产业,目前已有超过3500套光源安装在世界各地的光刻设备上。Cymer所占的市场份额已近70%,俨然已成为世
光源对于光刻机的重要性不言而喻,没有光源的匹配,一切图形成像都无从谈起。从1986年开始,Cymer正式进入半导体产业,目前已有超过3500套光源安装在世界各地的光刻设备上。Cymer所占的市场份额已近70%,俨然已成为世
深紫外光(EUV)技术是次世代微影技术之一,其他还还包括无光罩多重电子束、浸润式微影多重曝光技术等,EUV技术主要的开发商是设备大厂爱司摩尔(ASML),当半导体制程技术走入20奈米或是10奈米以下,现有的浸润式曝光(I
半导体曝光装置光源知名厂商美国西盟公司(Cymer)12月1日公布了EUV(超紫外线)曝光光源的开发状况和该公司新近涉足的有机EL(电致发光)显示器用低温多晶硅TFT退火光源的概况。 西盟的EUV曝光光源目前有4台已经
东芝在荷兰阿斯麦(ASML)公司于2010年11月18日在东京举行的“ASML/BrionComputationalLithographySeminar2010”会议上,展望了引进EUV(超紫外线)曝光技术进行量产的前景。东芝统管光刻技术开发的东木达彦表示“即
东芝在荷兰阿斯麦(ASML)公司于2010年11月18日在东京举行的“ASML/Brion Computational Lithography Seminar 2010”会议上,展望了引进EUV(超紫外线)曝光技术进行量产的前景。东芝统管光刻技术开发的东木达
本周举行的ARM技术大会上,IBM半导体研究与发展中心副总裁Gary Patton做了一场内容丰富、信息量很大的主题演讲。演讲题为“20纳米及未来的半导体技术创新”。Patton谈到了光刻、材料和未来设备的现状。下面
本周举行的ARM技术大会上,IBM半导体研究与发展中心副总裁Gary Patton做了一场内容丰富、信息量很大的主题演讲。演讲题为“20纳米及未来的半导体技术创新”。Patton谈到了光刻、材料和未来设备的现状。下面
面向超越22nm工艺的最尖端半导体而正在研发的新技术——采用13.5nm这一超短波长的新一代曝光技术EUV(extreme ultraviolet)即将展露锋芒。由于EUV曝光技术实现了半导体的极小线宽,因而被称为“终极的
面向超越22nm工艺的最尖端半导体而正在研发的新技术——采用13.5nm这一超短波长的新一代曝光技术EUV(extreme ultraviolet)即将展露锋芒。由于EUV曝光技术实现了半导体的极小线宽,因而被称为“终极的曝光技术”。另
目前次世代微影技术发展仍尚未有主流出现,而身为深紫外光 (EUV)阵营主要推手之一的比利时微电子研究中心(IMEC)总裁Luc Van den hove指出,EUV技术最快于2014年可望进入量产,而应用存储器制程又将早于逻辑制程,他也
目前次世代微影技术发展仍尚未有主流出现,而身为深紫外光(EUV)阵营主要推手之一的比利时微电子研究中心(IMEC)总裁Luc Van den hove指出,EUV技术最快于2014年可望进入量产,而应用内存制程又将早于逻辑制程,他也指
美国应用材料(AMAT)发布了掩模检查设备“Aera3”。支持22nm工艺,检测灵敏度较该公司原机型“Aera2”提高50%,同时还配备了可支持ArF液浸及EUV(extreme ultraviolet)两种光刻技术的功能。 作为面向ArF液浸的
据已从AMD经剥离的GLOBALFOUNDRIES公司称,晶圆烘焙技术即将遇到瓶颈——但是他们已经为此做好了准备。该公司还表示,他们对待芯片材料最近进展的方法要优于Intel,并且将被后者的竞争对手台积电所使用。 近日,G
随着半导体产业走向40奈米以下先进制程,产业上下游皆竞相投入先进制程研发,包括台积电、联电、全球晶圆(Global Foundries)皆大手笔添购设备,更加速跨入20奈米级、10奈米级的制程研发,半导体设备业者包括艾斯摩尔
随著三星电子(SamsungElectronics)、全球晶圆(GlobalFoundries)积极强化晶圆代工业务,台积电面对竞争对手挖墙角压力,近期积极招募各方好手,除举办各类竞赛挖掘研发人员,亦采取预聘(advancedoffer)方式,抢大专院
随著三星电子(Samsung Electronics)、全球晶圆(Global Foundries)积极强化晶圆代工业务,台积电面对竞争对手挖墙角压力,近期积极招募各方好手,除举办各类竞赛挖掘研发人员,亦采取预聘 (advanced offer)方式,抢大
据南韩电子时报报导,三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等南韩内存厂最快可于2012年着手量产10奈米制程Flash及20奈米制程DRAM等次世代内存。据相关业者表示,三星和海力士率先向荷商艾司摩尔(ASML)订购研
未来半导体制造将越来越困难已是不争的事实。巴克莱的CJMuse认为如DRAM制造商正处于关键的成品率挑战阶段,在4x,3x节点时发现了许多问题。目前尽管EUV光刻己经基本就绪(或者还没有),是黄金时刻,然后在芯片制造中其
继晶圆代工大厂台积电宣布跨入深紫外光(EUV)微影技术后,全球晶圆(Global Foundries)也在美国时间14日于SEMICON West展会中宣布,投入EUV微影技术,预计于2012年下半将机台导入位于美国纽约的12寸晶圆厂(Fab 8),将于