在芯片设计方面,华为公司也新曝出了一个“双芯叠加”专利,这种方式甚至可以让14nm芯片经过优化后比肩7nm性能。根据华为曝出的专利来看,华为这种“双芯叠加”专利确实能够大大提升14nm芯片的性能。当然,如果说要比肩真正的7nm芯片,那可能还存在一定差距,就好比英特尔的14nm工艺...
7月27日,英特尔公布了公司有史以来最详细的制程工艺和封装技术路线图,展示了一系列底层技术创新。
作为全球第一光刻机供应商,荷兰ASML(阿斯麦)今天公布了2021年第二季度财报。
作为全球第一光刻机供应商,荷兰ASML(阿斯麦)今天公布了2021年第二季度财报。
做为全球第一大晶圆代工厂厂,台积电在先进工艺上遥遥领先其他对手,现在高通、联发科及紫光展锐都在抢着下单,三家公司旗下的5G芯片都要上6nm EUV工艺。
第二代EUV光刻机原本预计最快2023年问世,但最新传闻称NXE:5000系列跳票,而且一下子就跳票三年,要到2025-2026年才有可能问世了。
在新一代半导体工艺中,美国本土的厂商已经落后于三星、台积电,Intel最先进的工艺现在还是10nm。日前有消息称三星准备在美国建设5nm EUV芯片厂。
日前,IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。
提到芯片,就不得不说光刻机,因为光刻机是制造芯片的必要设备,没有光刻机,芯片制造就从无谈起。都知道,台积电是全球芯片制造技术最先进的厂商,拿下了全球超过50%的芯片订单,而台积电之所领先,很大一部分原因就是因为其安装了大量先进的EUV光刻机。据悉,EUV光刻机是全球顶尖技术的集合体,其零部件超过10万多个,像美国的光源技术、德国徕卡的镜片等等,虽然是ASML研发生产的,但90%的零部件都依赖进口。
8月21日消息,据台湾媒体报道,半导体行业光刻系统供应商ASML(阿斯麦)的EUV(极紫外光刻)技术培训中心昨日在台湾台南科学园区开张,就近服务第一大客户台积电。 ASML ASML的EUV技术培训
三星8月30日宣布,其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光(EUV)技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造,拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。
台积电最近举行了年度技术研讨会,在会上透露了大量关于未来芯片制造业务的信息。其中包括关于台积电先进工艺节点的新细节,比如 N5、N4、N3 和 N12e。
7月29日消息,据台湾媒体报道,台积电单位产品用电量去年上升17.9%,而该公司拟定的目标为降低11.5%。 台积电 台积电未能达到计划的提升能源使用效率的目标。 台媒称,以执行力著称的台积电管理团
在进入20nm节点之后,内存工业也面临着CPU工艺一样的制造难题,微缩越来越困难,制造工艺复杂,导致内存成本居高不下。如今7nm以下的处理器用上了EUV光刻机,内存很快也要跟进了,SK海力士计划在韩国
EUV光刻机是制造7nm以下节点先进工艺的必备工具,目前国内还没有EUV设备。作为国内最先进的晶圆代工厂,中芯国际董事长周子学日前表态,该公司已经量产和研发的工艺还不需要EUV光刻机。 光刻是半导体芯
荷兰ASML公司是全球唯一能生产EUV光刻机的公司,他们之前表态7nm以下工艺都需要EUV光刻机才行。现在中科院苏州纳米所的团队开发了一种新的激光光刻技术,不需要使用EUV技术就可以制备出5nm特征线
EUV光刻机是一项技术奇迹。 一台发生器每秒喷射出5万个微小的熔锡液滴,高功率激光对每个液滴进行两次爆破,第一次可以使锡成形,第二次是使锡蒸发成等离子体。 等离子体发出极紫外光辐射,这种辐射聚集成光束
作为半导体芯片生产过程中最重要的装备,光刻机一直牵动人心,制程工艺越先进就要离不开先进光刻机。ASML副总裁Anthony Yen日前表态,如果没有EUV光刻机,那么芯片厂商是造不出7nm以下工艺芯片
2020年因为全球经济的问题,本来电子行业会下滑,但是晶圆代工场合不降反升,台积电Q1季度营收大涨了30%,牢牢坐稳了全球晶圆代工一哥的位置。由于华为、苹果等公司的7nm及5nm工艺需求大,台积电目前
作为国内最先进的晶圆代工厂,中芯国际SMIC去年底已经量产了14nm工艺,Q1季度14nm工艺贡献了1.3%的营收,预计到明年将贡献10%的营收。 中芯国际14nm工艺一大重要进展就是成功为华为代工麒