明年AMD将会推出7nm工艺的Navi显卡,官方也已经表态了,而Navi下一代也规划了,会使用第二代的7nm EUV工艺,架构上也不再延续现在的GCN,现在AMD Linux社区员工爆料称Navi的继任者代号是Arcturus大角星,是牧夫座中最亮的一颗星。
曾是电子工程师的市场研究机构Bernstein分析师Mark Li表示,英特尔不会在短时间内导入EUV,该公司仍在克服量产10纳米制程的困难,因此其7纳米制程还得上好几年,何时会用上EUV更是个大问题。
微电子产业特种化学品和材料解决方案厂商英特格 (Entegris) 宣布,新一代的光罩盒已获得半导体生产设备商艾司摩尔 (ASML) 的认证,可用于极紫外光 (EUV) 微影技术的芯片大量生产上,用以保护在制造过程中光罩的完整。
虽然2018年包括台积电、三星、格罗方德都要导入7纳米制程技术。其中,三星为了追赶台积电,还在首代的7纳米(LPP)制程中导入EUV技术。不过,台积电也非省油的灯,除了积极布局7纳米制程技术之外,2018年初也已经宣布在南科启动5纳米建厂计划,正式投入5纳米制程的研发。因此,三星为了能缩减与台积电的差距,5日正式宣布携手知识产权大厂安谋(ARM),双方协议将进一步优化7纳米及5纳米制程芯片。
EUV光刻目前被三星、台积电、Intel等用于7nm工艺节点上,制造的普遍是AP(应用处理器)。三星曾表示,7nm LPP工艺将在今年下半年量产,明年上半年推出首款可商用的逻辑芯片。
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题,在EUV光刻工艺上,他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的,直到1α及1β工艺上都也不会用到它。
三星是第一家量产18nm工艺,也就是第一个进入1X nm节点的,遥遥领先其他公司,美光现在也开始向1X nm工艺转进,下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了,今年下半年问世,1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段,1α及1β工艺则是在不同研发阶段。
随着工艺节点来到单纳米尺寸,研究人员开始将缺陷归因于为小细节;举例来说,一次EUV曝光中的光子数量,会影响化学放大光阻剂(chemically amplified resists),而其他种类的光阻剂性能也会因为所嵌入的金属分子定向(orientation)而有所变化。
据多家媒体证实,长江存储从荷兰阿斯麦(ASML)公司订购的一台光刻机已抵达武汉。这台光刻机价值价值7200万美元,约合人民币4.6亿元。另据媒体报道,中芯国际在中兴事件之后也向该公司下单了一台光刻机,这台名为EUV(极紫外线)光刻机更是身价不菲,价值1.2亿美元,交货日期尚不确定。
近日消息,长江存储从荷兰阿斯麦(ASML)公司订购的一台光刻机(非EUV光刻机)已抵达武汉。这台光刻机价值高达7200万美元,约合人民币4.6亿元。此外,中芯国际中芯国际也向阿斯麦下单了一台价值高达1.2亿美元的EUV(极
据知情人士透露,中国最大的晶圆代工厂中芯国际已经订购了一台EUV设备,在中美两国贸易紧张的情况下,此举旨在缩小与市场领先者的技术差距,确保关键设备的供应。EUV是当前半导体产业中最先进也最昂贵的芯片制造设备。
今日台积电发布了截止3月31日的2018财年第一季度财报。台积电第一季度合并营收为2480.79亿元(新台币,下同)(约合84.58亿美元),较上年同期的2339.14亿元增长6.1%;净利润为897.85亿元(约合30.61亿美元),较上年同期的876.29亿元增长2.5%。折算为12英寸晶圆的晶圆出货量为26800片,同比增长8.4%。
《巴伦》报导,芯片设备供应商艾司摩尔ASML的表现可能要比大多数人想像的要好,瑞士信贷分析师Farhan Ahmad即认为,艾司摩尔的产品是芯片制造商台积电与竞争对手三星电子争夺霸主地位的关键要素,估计可以在鹬蚌相争中,渔翁得利。
近日消息,据外媒报道,三星已经完成了7nm新工艺的研发,而且比预期进度提早了半年,这为三星与台积电争抢高通骁龙855代工订单奠定了基础。自从16/14nm节点开始,三星和台积电的工艺之争愈发激烈,都不断砸下巨资加速
全球芯片代工龙头台积电举行年度供应链管理论坛,共有超过600个来自全球的合作伙伴参加。台积电共同执行长刘德音在论坛宣示大投资计划,由于看好人工智能(AI)及5G的庞大市场,台积电5纳米新厂Fab 18将于明年动土兴建,2019年上半年进入风险试产,3纳米新厂的投资金额更超过200亿美元(约合人民币1323.6亿元)。
半导体制造中微型化的进展使得光刻掩膜和晶圆上的几何图形不断增加。准确模拟这些图形产生的衍射要求运用精确的电磁场(EMF)模拟方法。这些方法是在给定的几何形状、材料参数和入射场(照明)条件下,用合适的数值方法解麦克斯韦方程组。
PChome整机频道资讯报道近日,台积电通过公告称他们现已将3nm工艺芯片的研发选址定在台湾南科台南园区,不过台积电官方并没有公布该投资计划的详情,台湾经济部门预计,台积电这次投资3nm工艺的规模至少为5千亿新台币,同时业界还有分析认为,3nm芯片的节点将大量采用EUV光刻技术,新技术+新研发场地,台积电这次的总投资额或将高达200亿美元,这也将成为台湾科技史上投资规模最大的计划。
近日,TRUMPF公司CTO及股东Peter Leibinger在谈到令人着迷的激光创新时重点提及极紫外光刻,也就是我们常说的EUV。他认为,EUV令人着迷的原因是其极富挑战性及对世界的重要影响。
据今日公布的一项调查显示,芯片行业的高管们越来越乐观地认为,该行业将采用极端的紫外线光刻技术和多波束掩模。新系统将有助于推动先进设备的发展,而这一时代正变得越来越复杂和昂贵。
随着三星 10 纳米制程借高通骁龙 835 处理器的亮相,以及由台积电 10 纳米制程所生产的联发科 Helio X30 处理器,在魅族 Pro 7 系列手机首发,之后还有海思的麒麟 970 及苹果 A11 处理器的加持下,手机处理器的 10 纳米制程时代可说是正式展开。而对于下一代的 7 纳米制程,当前来看,应该仍是三星与台积电两大龙头的天下。由于在 7 纳米制程中,极其依赖的极紫外光( EUV) 设备,中国厂商在短期间内仍无法购买到。这对于正积极建构自身半导体生产能量的中国来说,将可能在 7 纳米这个