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7nm EUV工艺强力 AMD Zen3架构处理器L3缓存或翻倍到64MB
AMD今年推出了7nm Zen2架构，目前除了APU及笔记本版之外，已经在桌面版、服务器版全面升级了。下一代是Zen3架构，会使用7nm EUV工艺，目前架构设计已经完成。 与现在的Zen2架构相比，
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国家半导体大基金二期募资2041亿 国产EUV光刻机有望解决？
据报道，第二期国家集成电路产业投资基金—;—;也就是大基金，已经在10月22日注册成立，注册资本高达2041.5亿元，比第一期的1387.2亿元高出一半多，最快11月份开始投资，这次投资重点是半导体装
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这两个半导体材料在半导体逆风的大环境下逆生长
进入19年，各个半导体行业受到半导体产业逆风影响，2019 年半导体前段制程材料需求普遍下滑，占比超过 3 成的硅晶圆影响颇为严重，虽然硅晶圆在长约价格上变动不大，但现货
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这两种半导体材料逆势成长
半导体产业在2019年迎来衰退态势，冲击全球半导体设备产值表现，预估将较2018年衰退不小的幅度。
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ASML公司Q3季度营收27.9亿欧元 EUV光刻机订单23台
半导体芯片生产可以说是制造业的皇冠，而光刻机就是皇冠上的明珠，EUV光刻机则是明珠之光，其设计之复杂远超一般工业设备。 目前EUV光刻机只有荷兰ASML公司能够生产，Q3季度他们交付了7台EUV光刻机
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三星发力EUV工艺 向ASML订购15台EUV光刻机 价值181亿
台积电今天宣布将全年的资本开支从110亿美元提升到140-150亿美元，增长了40%左右，希望进一步提升7nm及5nm产能。 在这个领域，唯一能跟台积电竞争的就是三星了，但是三星的问题在于进展较慢，现
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台积电7nm+大量供货：近40年终于实现EUV光刻
台积电今天宣布，N7+ 7nm+工艺已经大批量供应给客户，这是该公司乃至全产业首个商用EUV极紫外光刻技术的工艺。 EUV光刻采用波长为10-14nm的极紫外光作为光源，可使曝光波长直接降到13.5n
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Intel 7nm EUV提速：8月已开始订购材料及设备
Intel 10nm处理器已经量产发售，明年预计会在市场上井喷，推出桌面CPU等产品。 消息称，Intel已从今年8月份开始订购用于7nm EUV工艺节点的材料和设备，步伐有所加快。这里的材料和设备具
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这就是麒麟990真身：7nm+ EUV工艺融合103亿晶体管
为今日正式发布了最新一代旗舰移动芯片麒麟990系列，包括麒麟990、麒麟990 5G两个版本，其中麒麟990 5G是全球首款旗舰级5G SoC芯片、业界最小的5G手机芯片方案，它们将在华为Mate 3
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5G和AI驱动存储能给移动存储带来什么
2019年全球半导体市况表现不佳，增速大幅下滑，成为当前业界最为关注的话题之一。而本轮下行周期的成因很大程度上又与存储器市场有关。对此，美光科技高级副总裁兼移动产品事业部总经理拉杰·塔鲁里接受了记者的采访，探讨存储器市场与技术发展趋势。拉杰·塔鲁里认为，虽然短期之内存储器仍然处于弱市行情，但长期来看，人们对存储需求将会持续增加，特别是2020年5G通信市场的爆发将带动智能手机摆脱颓势，进而拉升移动存储需求。
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三星否认7nm EUV良率报道 韩专家：爆料媒体别有用心
前不久有传闻称三星7nm EUV工艺良率不行，导致客户的5G芯片全部报废，此事闹得沸沸扬扬，还上了微博热搜，随后三星官方发表声明否认相关爆料，表示内容与事实完全不符。 三星方面表示，三星Foundry
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EUV光刻机将如何发展？
AI、5G应用推动芯片微缩化，要实现5nm、3nm等先进制程，意味着需要更新颖的技术支援以进行加工制造，半导体设备商遂陆续推出新一代方案。AI、5G应用推动晶片微缩化，要实现5nm、3nm等先进制程，
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三星官方回应“7nm EUV良率”：内容与事实完全不符
近日，有媒体报道称，三星发生良率事故导致高通5G芯片全部报废，针对此事，高通和三星双双否认，称此传闻为谣言。 三星电子刚刚发表声明，表示针对近期部分媒体关于“三星电子7nm EUV良率”的相关报道，
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三星Exynos 9825安兔兔跑分： 首款7nm EUV工艺
三星Note10系列如期而至，作为三星下半年的重磅旗舰，这一代的三星Note10系列整体风格变得更加硬朗，方方正正的造型，给机身的内部结构设计提供了便利。 除此之外，三星最新芯片Exy
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三星公布全球首颗 7nm EUV 芯片——Exynos 9825
【 图片来源：三星 所有者：三星 】记者消息，2019 年 8 月 7 日，三星官方发布了全球首颗 7nm EUV（Extreme Ultraviolet Lithography，极紫外光刻） 芯片
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首次加入EUV极紫外光刻！台积电二代7nm+工艺已量产
台积电官方宣布，已经开始批量生产7nm N7+工艺，这是台积电第一次、也是行业第一次量产EUV极紫外光刻技术，意义非凡，也领先Intel、三星一大步。 台积电表示，7nm+ EVU工艺的良品率已经提高
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台积电三星争霸 EUV技术成决胜关键
半导体代工企业间的竞争越演越烈，台积电与三星电子也争先恐后地加强开发速度，EUV（极紫外线）技术将成为决胜关键。 据韩媒报道， 三星电子和台积电接连购买10台以上的EUV设备。该设备由荷兰ASML独
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三星称不会人为限制内存产能 计划再建7nm EUV工厂
尽管日本方面上周末推出了第二波禁韩令，预计多达857种重要材料对韩国出口都会受到管制影响，此举可能会影响韩国公司的半导体生产，不过三星似乎并没有因此停止在半导体领域扩展。 在闪存、内存等存储芯片领域，
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三星：不会减产存储器，将额外打造7纳米EUV生产线
虽然日本限制关键科技原料出口至韩国，对业界投下震撼弹，但三星电子(Samsung Electronics Co.)表明，目前并无减产DRAM等存储器芯片的打算，还说日本出口限制令的冲击难以估算，只能尽量把伤害降到最低。
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台积电将推出7nm和5nm增强版制造工艺
外媒报道称，台积电已经悄然推出了 7nm 深紫外(N7 / DUV)和 5nm 极紫外(N5 / EUV)制造工艺的性能增强版本。该公司的 N7P 和 N5P 技术，专为那些需要运行更快、消耗更少电量的客户而设计。尽管 N7P 与 N7 的设计规则相同，但新工艺优化了前端(FEOL)和中端(MOL)制程，可在同等功率下将性能提升 7%、或在同频下降低 10% 的功耗。
