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21ic新闻大爆炸：极紫外光刻2015年商用——目标10nm
1、极紫外光刻2015年商用：目标10nm全球最大的半导体制造设备供应商荷兰ASML今天重申，极紫外(EUV)光刻技术将在2015年如期投入商用，各大半导体厂商都在摩拳擦掌。ASML计划在今年底出货首批三台NXE:3300B光刻机，其中
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EUV光科技树将帮助芯片突破摩尔定律
据美国科技博客BusinessInsider报道，在近50年的科技发展中，技术变革的速度一直遵循着摩尔定律。一次又一次的质疑声中，英特尔坚定不移地延续着摩尔定律的魔力。摩尔定律是由英特尔联合创始人Gordon Moore提出，内容
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摩尔定律大限将至?英特尔一郑千金开发EUV
今日消息，在英特尔目前面临的威胁中，最大的威胁莫过于摩尔定律的失效。摩尔定律预测，芯片上集成的晶体管数量每2年翻一番。芯片上集成的晶体管越多，芯片处理能力就越强大，这是过去数十年来计算机处理能力越来越强
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英特尔芯片摩尔定律大限将至：一郑千金开发EUV
讯：10月31日消息，在英特尔目前面临的威胁中，最大的威胁莫过于摩尔定律的失效。摩尔定律预测，芯片上集成的晶体管数量每2年翻一番。芯片上集成的晶体管越多，芯片处理能力就越强大，这是过去数十年来计算机处
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延续半导体量产经济效益 EUV成10奈米制程发展关键
半导体的发展随着摩尔定律(Moore’s Law)演进，虽然是关关难过但还是关关过，其中在制程技术上，主要瓶颈在微影制程的要求不断提高，目前主流曝光技术是采用波长193奈米(nm)的浸润式曝光(Immersion)技术；然而，进入
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ASML提升新EUV机台技术生产效率
微影设备大厂ASML积极提升极紫外线(EUV)机台技术的生产效率，在2012年购并光源供应商Cymer后，大幅提升光源效率，从2009年至今光源效率分别为2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已达55瓦，每
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ASML新EUV机台
微影设备大厂ASML积极提升极紫外线(EUV)机台技术的生产效率，在2012年购并光源供应商Cymer后，大幅提升光源效率，从2009年至今光源效率分别为2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已达55瓦，每
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莫大康：缩小半导体工艺尺寸能走多远？
缩小半导体工艺尺寸能走多远?推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且
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莫大康：缩小半导体工艺尺寸能走多远？
推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且仍是英特尔挑起大樑。尽管摩
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莫大康：缩小半导体工艺尺寸能走多远？
缩小半导体工艺尺寸能走多远? 推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异
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ASML：量产型EUV机台2015年就位
极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x奈米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆
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ASML：量产型EUV机台2015年就位
极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x奈米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆
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ASML：量产型EUV机台2015年就位
极紫外光(EUV)微影技术将于2015年突破量产瓶颈。传统浸润式微影技术在半导体制程迈入1x奈米节点后将面临物理极限，遂使EUV成为产业明日之星。设备供应商艾司摩尔(ASML)已协同比利时微电子研究中心(IMEC)和重量级晶圆
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【EUV曝光技术】（一）最近1～2年内决定胜负
EUV曝光技术的开发变得越来越慢。最大原因在于EUV光源的输出功率提高不上去（图1）。处理速度（吞吐量）要达到量产时所需要的125枚/小时，需要将曝光装置入光口（中间聚光点）的EUV光输出功率提高至250W。而目前的输
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明导CEO：如何解决制程工艺带来的新挑战?
【导读】随着20nm SoC已进入开发阶段，14nm、10nm甚至7nm工艺均在逐步推进中。明导公司(Mentor Graphics)董事长兼首席执行官Walden C. Rhines为大家解析14nm级以后工艺所面临的挑战，明导公司在该方面有何作为? 摘
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半导体下半年 设备商按赞
微影设备大厂荷商艾司摩尔第2季财报符合市场预期，执行长PeterWennink表示，行动装置需求强劲，带动晶圆代工厂及存储器厂扩大投资，其中晶圆代工厂已着手准备20纳米以下先进制程产能，DRAM厂则扩大MobileDRAM的扩产，
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EUV微影尚未功成 设备业者仍在努力
在日前于美国旧金山举行的 Semicon West 半导体设备展上，仍在开发中的超紫外光(EUV)微影技术又一次成为讨论焦点；欧洲微电子研究机构IMEC总裁暨执行长Luc Van den Hove在一场座谈会中表示：「EUV仍然是半导体产业界
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台积电2017追上英特尔 不只是放狠话
台积电共同营运长蒋尚义昨（22）日表示，台积电由20纳米跨入16纳米制程微缩时间确定缩短1年，即2015年将提前量产3D晶体管架构的16纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程。为了满足客户需求，台积电已决定加快研发脚步，&
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台积电放话 2017追上英特尔
台积电共同营运长蒋尚义昨（22）日表示，台积电由20纳米跨入16纳米制程微缩时间确定缩短1年，即2015年将提前量产3D晶体管架构的16纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程。为了满足客户需求，台积电已决定加快研发脚步，「
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ASML一季度净利润9600万欧元
国际顶级半导体设备供应商ASML2013年第一季度净利润9600万欧元，同时宣布Peter Wennink从七月一日起担任CEO一季度净利润9600万欧元ASML第一季度的销售额约为8亿9千2百万欧元，净利润为9600万欧元。 预期2013年全年销
