在制程工艺上,Intel从2015年到现在一直在魔改14nm工艺,10nm工艺说是今年6月份量产了,但在时间进度上确实要比台积电等公司落后了,AMD今年都出7nm的CPU和显卡了。今年5月份的投资会议
眼下,台积电和三星都在全力冲刺5nm工艺,这将是7nm之后的又一个重要节点,全面应用EUV极紫外光刻技术,提升效果会非常明显,所以都受到了高度重视。现在,三星的5nm取得了重要进展,来自EDA(电子自
日本出台对韩限制出口政策引发韩国企业跳脚,《媒体》更进一步指出,由日本独占市场的光罩基底(Mask Blank)可能成为下一个牺牲品,外界担忧,三星电子EUV工程(极紫外光)可能因此受冲击。据《韩联
台积电首席财务官何丽梅日前表示,台积电5纳米制造工艺预计将于2020年上半年实现量产,这意味着苹果公司的下一代A系列处理器将率先采用5纳米制造工艺。
台湾南部科学工业园区的最北端,正轰轰隆隆赶工中的是台积电最新的18厂,将成为世界第一条真正将EUV大规模投入实战的产线。
在7nm工艺上,三星没有争取到多少客户,而且三星选择直接进入EUV时代,进度也不如台积电,自家的Exynos 9820处理器都没赶上7nm EUV工艺,好在今年6月份三星真的能够量产7nm EUV工艺
5月27日消息,据国外媒体报道,在芯片工艺方面,台积电近几年都走在行业前列,在去年率先量产7nm工艺之后,其更先进的7nm EUV工艺也已开始量产。
晶圆代工龙头厂台积电14日董事会决议,为升级并扩充先进制程产能,加上欲转换部分逻辑制程产能为特殊制程产能,通过资本预算约1217.82亿元新台币(单位下同)。
当前用于苹果A12、骁龙855、麒麟980的7nm工艺是台积电的第一代,而技术更先进、集成EUV光刻技术的第二代7nm也终于尘埃落定。最新报道称,台积电将在今年第二季度末开始7nm EUV量产,其中麒麟985先行。
据businesskorea报道,三星电子将于今年6月开始大规模生产7纳米(nm)极紫外(EUV)芯片。
在当前全球晶圆制造的先进制程领域中,只剩下台积电、三星以及英特尔可以一较高下。三星虽然早在 2018 年 10 月份就已经宣布量产 7 纳米 EUV 制程,但实际情况并非如此。因为,就连三星自己的 Exynos 9820 处理器都没用上 7 纳米 EUV 制程,这是因为三星的 7 纳米工厂过去一直都没完成。直到日前,三星提交的报告显示,他们投资 13 亿美元的华城生产线已经完成建设工作,三星的 7 纳米 EUV 制程现在才算真正进入量产。
ASML今天宣布,已同意收购位于荷兰代尔夫特的高科技公司Mapper的知识产权资产。此外,ASML还打算为Mapper在研发和产品组装方面的员工提供合适的职位。
IBM亦结束了与过去CPU制造合作伙伴格罗方德(GlobalFoundries)共同开发7奈米制程的技术, IBM所授予Globalfroundies制造协议,包括晶圆厂等,都将于本月划上句点。
近日,新思科技与中国科学院微电子研究所强强联手,正式组建“EUV光刻仿真联合实验室”并举行揭牌仪式。双方联合宣布将在北京合作共建国际一流、国内领先的联合实验室,共同合作开发基于EUV的光刻仿真及应用,致力提高中国EUV研发能力并共同培养该领域尖端人才。该联合实验室得到了北京市科学技术委员会国际科技合作专项的支持。
来自外媒的消息报道说,预计到2018年底,台积电用7nm工艺完成流片的芯片设计将超过50款,而到2019年底会有100多款芯片采用其7nm和增强版7nm EUV极紫外光刻技术。
随着三星宣布7nm EUV工艺的量产,2018年EUV光刻工艺终于商业化了,这是EUV工艺研发三十年来的一个里程碑。不过EUV工艺要想大规模量产还有很多技术挑战,目前的光源功率以及晶圆产能输出还没有达
虽然本周三星宣布7nm LPP量产,且还导入了EUV光刻技术,但事实是,基于台积电7nm打造的苹果A12芯片、华为麒麟980等都已经商用,三星7nm的成品仍旧是个未知数,保守来说,或许要等到明年的新E
根据韩国媒体的报导,不论是处理器还是存储器,现在的半导体生产几乎都离不开光刻机。至于采不采用最先进的EUV极紫外光光科技术目前主要是看厂商的需求及成本。相较来说,以逻辑芯片的处理器产品来看,因为在制程节点推进到7纳米制程之后,对EUV技术的需求就明显而直接。而且越往下的先进制程,未来也就越仰赖EUV技术。
日媒称,日前获悉,中国新兴半导体存储器企业合肥长鑫计划从半导体制造设备厂商荷兰阿斯麦(ASML)引进最尖端设备。报道称,中国由于与美国的贸易战和高科技摩擦日趋激烈,越来越难以从美国引进技术。为了发展属于产业创新关键的半导体,将转向采购欧洲设备以寻找出路。
在工艺技术方面,台积电宣布以N7+工艺节点投片客户芯片,该工艺节点采用可处理4层光罩的EUV。而其N5 EUV则可提高到处理多达14层光罩,并将在明年4月准备好进行风险试产。透过EUV技术可望减少先进设计所需的光罩数,从而降低成本。