MOSFET
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英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
【2023年12月7日，德国慕尼黑讯】数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。
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Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器为隔离开关应用提供浮动电源
提供高电压与大电流，可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBT
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Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET
要求严苛的高电压汽车与工业应用理想解决方案
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TrendForce集邦咨询：预估2023年中国大陆成熟制程产能占比约29%，2027将扩大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询统计，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程(28nm及以上)及先进制程(16nm及以下)产能比重大约维持在7:3。中国大陆由于致力推动本土化生产等政策与补贴，扩产进度最为积极，预估中国大陆成熟制程产能占比将从今年的29%，成长至2027年的33%，其中以中芯国际(SMIC)、华虹集团(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)扩产最为积极。
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Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET
非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用
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美浦森半导体通过SGS可靠性检测 获AEC-Q101认证
深圳2023年9月21日 /美通社/ -- 近日，国际公认的测试、检验和认证机构SGS为深圳市美浦森半导体有限公司（以下简称：美浦森半导体）SLH60R041GTDA型号MOSFET产品颁发AEC-Q101认证证书。美浦森半导体应用总监庞方杰、品质工程经理胡烺、SGS中国半导体及...
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意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL-D 汽车安全关键应用
这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时，关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流瞬变事件。
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ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间
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英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
【2023年7月27日，德国慕尼黑讯】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（PLC）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和（混动）电动汽车车载充电器等应用。
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儒卓力携手威世在2023年慕尼黑上海电子展联合展示汽车解决方案
全球领先的电子元器件分销商儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)再次与威世科技携手参加于2023年7月11-13日在上海虹桥国家会展中心举办的慕尼黑上海电子展(electronica China)，展出多款最新汽车解決方案。
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采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC™沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。
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意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40%
2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
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采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。
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ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动
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使用集成MOSFET限制电流的简单方法
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如，在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样，在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。
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英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准
【2023年4月13日，德国慕尼黑讯】追求高效率的高功率应用持续向更高功率密度及成本最佳化发展，也为电动汽车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）宣布其高压MOSFET 适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。这项举措不仅进一步巩固了英飞凌将此标准封装设计和外型的TSC 封装推广至广泛新型设计的目标，也给OEM 厂商提供了更多的弹性与优势，帮助他们在市场中创造差异化的产品，并将功率密度提升至更高水准，以支持各种应用。
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Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。
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Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%
RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第五部分EPAD MOSFET 开关
EPAD MOSFET 在以适当的栅极电压开启时充当开关，其中在漏极和源极端子之间形成导电通道。源极端子作为输入，漏极端子作为输出。开关的导通电阻取决于由栅极电压控制的沟道导通电流。在这种情况下，如果使用增强型器件，则可以通过栅极端子上的正偏置电压打开开关，信号从源极传播到漏极端子。信号本质上可以是数字的或模拟的，只要用户考虑相对于开关通道导通电阻的输入和输出阻抗水平。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第四部分EPAD MOSFET 隔离和（二极管）钳位介绍
许多电路需要将其输入和输入阻抗与输出阻抗隔离，以便输出负载不会干扰输入信号。这有时可以通过使用晶体管缓冲器或运算放大器缓冲器来实现，每种缓冲器都存在许多设计权衡。例如，使用 ALD110800 零阈值 MOSFET，可以提供这种隔离，同时提供偏置到与输入电平范围相同的电压电平的电路输出。这是零阈值 MOSFET 的基本能力。输入和输出电平也可以偏置在固定电压附近，例如 0.0V。
田舍郎
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