MOSFET
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一文了解SiC MOS的应用
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。
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MOSFET驱动电路设计不过如此，不信看设计实例
本文中，小编将对MOSFET驱动电路设计予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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MOSFET驱动电路设计，分立器件组成的MOSFET驱动电路分享！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET驱动电路的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET驱动电路具备清晰的认识，主要内容如下。
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ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”
小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化!
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
1200 V器件采用SMD-7封装，性能领先同类产品
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
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全桥驱动芯片有哪些
DrMOS，全称Driver-MOSFET，是一种由Intel在2004年推出的高效节能技术。它通过将MOSFET和MOS驱动器集成到同一封装中，实现了尺寸和功效的优化。
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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
【2024年4月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装，为现代汽车应用提供更高效率
【2024年4月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向（EPS）、电子机械制动（EMB）、配电、无刷直流驱动器（BLDC）、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。
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门驱动器是什么
门驱动器，作为电力电子技术中的关键组件，是连接控制系统与功率半导体器件之间的重要桥梁。它的主要功能是将微控制器或控制电路发出的低电平控制信号转化为能够驱动大功率半导体器件(如绝缘栅双极型晶体管IGBT、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、碳化硅MOSFET等)所需的大电流或高压信号，确保这些功率器件按照预定的开关时序准确无误地工作。
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2n7002导通电压是多少
在电子科技日新月异的今天，各类电子元器件的性能和参数成为了研究和应用的关键。其中，2N7002作为一种广泛应用的N沟道MOSFET，其导通电压是众多工程师和技术人员关注的焦点。那么，2N7002的导通电压究竟是多少?它又是如何影响电路性能的呢?本文将深入探索2N7002导通电压的科技奥秘，并解析其在实际应用中的表现。
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mosfet是什么电子元件
MOSFET是一种场效应晶体管(FET)，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
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意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效
2024 年 3 月 28 日，中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。
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英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准
【2024年3月20日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。
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英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。
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英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
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开关电源维修方法步骤
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。
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Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列
专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。
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意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣
STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性
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