MOSFET
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mosfet是什么电子元件
MOSFET是一种场效应晶体管(FET)，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。
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意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效
2024 年 3 月 28 日，中国– STPOWER MDmesh DM9 AG系列的车规600V/650V超结 MOSFET为车载充电机(OBC)和采用软硬件开关拓扑的DC/DC转换器应用带来卓越的能效和鲁棒性。
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英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准
【2024年3月20日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产品系列为客户提供更高的功率密度、效率和系统可靠性，树立了新的行业标准。
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英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。
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英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V，在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度
【2024年3月13日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5.4 mm。该半导体器件得益于其较低的开关损耗，适用于太阳能（如组串逆变器）以及储能系统和电动汽车充电应用。
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开关电源维修方法步骤
开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
【2024年3月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。
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Nexperia在APEC 2024上发布拓宽分立式FET解决方案系列
专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。
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意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣
STGAP系列隔离栅极驱动器具有稳健性能、简化设计、节省空间和高可靠性的特性
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mosfet驱动电路原理
MOSFET，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。它集输入级与输出级为一体，由P型和N型两种不同类型的高效沟道增强型功率二极管组成。
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英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域并推动节能减碳
【2024年1月25日，德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX /OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新应用中心。该创新应用中心全面投入运营之后，将为开发能够减少二氧化碳排放的高能效充电解决方案铺平道路，从而推动低碳化进程。
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利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环
在无线收发器等应用中，系统一般处于偏远地区，通常由电池供电。由于鲜少有人能够前往现场进行干预，此类应用必须持续运行。系统持续无活动或挂起后，需要复位系统以恢复操作。为了实现系统复位，可以切断电源电压，断开系统电源，然后再次连接电源以重启系统。
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意法半导体碳化硅助力理想汽车加速进军高压纯电动车市场
2023年12月22日，中国北京-服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)，与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车(纽约证券交易所代码: LI) 签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
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英飞凌推出带有集成温度传感器的全新 CoolMOS S7T
【2023年12月19日，德国慕尼黑讯】为提高结温传感的精度，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出带有集成温度传感器的全新CoolMOS™ S7T产品系列。通过在系统中集成该系列半导体产品，可提升许多电子应用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS™ S7T具有出色的导通电阻和高精度嵌入式传感器，最适合用于提高固态继电器(SSR)应用的性能和可靠性。
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英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
【2023年12月7日，德国慕尼黑讯】数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。
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Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器为隔离开关应用提供浮动电源
提供高电压与大电流，可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBT
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Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET
要求严苛的高电压汽车与工业应用理想解决方案
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TrendForce集邦咨询：预估2023年中国大陆成熟制程产能占比约29%，2027将扩大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询统计，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程(28nm及以上)及先进制程(16nm及以下)产能比重大约维持在7:3。中国大陆由于致力推动本土化生产等政策与补贴，扩产进度最为积极，预估中国大陆成熟制程产能占比将从今年的29%，成长至2027年的33%，其中以中芯国际(SMIC)、华虹集团(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)扩产最为积极。
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Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET
非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用
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美浦森半导体通过SGS可靠性检测 获AEC-Q101认证
深圳2023年9月21日 /美通社/ -- 近日，国际公认的测试、检验和认证机构SGS为深圳市美浦森半导体有限公司（以下简称：美浦森半导体）SLH60R041GTDA型号MOSFET产品颁发AEC-Q101认证证书。美浦森半导体应用总监庞方杰、品质工程经理胡烺、SGS中国半导体及...
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