MOSFET
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什么是超导理论？超导理论详细分析！
本文中，小编将对超导理论予以介绍，如果你想对超导理论的详细情况有所认识，或者想要增进对超导理论的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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在设计LLC开关电源中的MOSFET出现故障如何进行避免
LLC谐振转换器作为一种高效率、低电磁干扰的电力转换器，在绿色能源、电动车充电和电网接口等领域具有广阔的应用前景。然而，在实际应用中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为关键元件，其稳定性和可靠性对转换器的整体性能至关重要。本文将详细探讨如何避免LLC谐振转换器中的MOSFET出现故障，并提出一系列有效的预防措施。
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如何将 N 沟道 MOS 管用作高边开关
该电路可以让您控制开启栅极电流并保护整流器栅极免受高反向电压的损坏。该电路可以用变压器输出端的负电压进行驱动。
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MOSFET驱动器在各种电子电路中的应用
MOSFET驱动器是一种电子设备，用于控制金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关操作。它提供所需的电压和电流来驱动MOSFET，确保其能够快速、准确地切换。
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安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，显著提升高耗电应用的能效
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好的MOSFET驱动电路有哪些要求？常见MOSFET驱动电路设计速览！
MOSFET驱动电路设计将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOSFET驱动电路的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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功率MOSFET结构及参数解读！
在这篇文章中，小编将对功率MOSFET的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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如何设计MOSFET驱动电路电源？电源设计实例、技巧分享！
在这篇文章中，小编将为大家带来MOSFET驱动电路电源的设计。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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驱动电路如何设计？不会就看看这2个范例！
在这篇文章中，小编将为大家带来两款MOSFET驱动电路设计。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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功率MOSFET的正反向导通等效电路，你有设计思路吗？
本文中，小编将对功率MOSFET的正反向导通等效电路予以介绍，如果你想对功率MOSFET的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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含寄生参数的功率MOSFET等效电路设计，绝！
以下内容中，小编将对包含寄生参数的功率MOSFET等效电路的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对功率MOSFET等效电路的了解，和小编一起来看看吧。
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设计一款N沟道MOSFET驱动电路！超详细！！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来N沟道MOSFET驱动电路设计的有关报道
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IGBT硬并联存在哪些技术风险？你知道优化IGBT硬并联的技术方案吗？
在下述的内容中，小编将会对IGBT硬并联技术优化方案予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用
【2024年6月26日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。
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新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
【2024年6月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车(LEV)、电动二轮车、电动踏板车、电动摩托车，以及商用车和农用车(CAV)等其他交通应用。
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一文了解SiC MOS的应用
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。
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MOSFET驱动电路设计不过如此，不信看设计实例
本文中，小编将对MOSFET驱动电路设计予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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MOSFET驱动电路设计，分立器件组成的MOSFET驱动电路分享！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET驱动电路的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET驱动电路具备清晰的认识，主要内容如下。
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ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”
小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化!
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
1200 V器件采用SMD-7封装，性能领先同类产品
田舍郎
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