MOSFET
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MOSFET失效机理是什么？MOSFET关断解读！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET失效机理和关断的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
2024年7月24日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
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IGBT在交流和直流电路中的应用
晶闸管是现代电子学中使用最多的元件，逻辑电路用于开关和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶体管类型，它们每个都有自己的优势和一些限制
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芯力特推出40/60/80/100V车规级MOSFET产品
随着新能源汽车市场的高速发展，现代汽车对舒适性和安全性的要求越来越高，汽车电子化的趋势明显。其中，小电机的数量增长显著，而对于小电机的驱动方式，传统的继电器驱动正在逐步被电子驱动方式所取代。电子驱动方式除了带有保护功能、使用更加灵活的特点外，对功率器件也提出了更高的效能要求。在此背景下，芯力特依托豪威集团强大的产品/工艺/设计以及供应链能力，陆续推出了一系列车规级MOSFET产品，适用于汽车车身控制、水泵油泵、车大灯、无线充电等应用场景。
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看大佬解析车规级N沟道功率MOSFET雪崩强度
今天，小编将在这篇文章中为大家带来车规级N沟道功率MOSFET雪崩强度的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对它具备清晰的认识，主要内容如下。
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什么是超导理论？超导理论详细分析！
本文中，小编将对超导理论予以介绍，如果你想对超导理论的详细情况有所认识，或者想要增进对超导理论的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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在设计LLC开关电源中的MOSFET出现故障如何进行避免
LLC谐振转换器作为一种高效率、低电磁干扰的电力转换器，在绿色能源、电动车充电和电网接口等领域具有广阔的应用前景。然而，在实际应用中，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为关键元件，其稳定性和可靠性对转换器的整体性能至关重要。本文将详细探讨如何避免LLC谐振转换器中的MOSFET出现故障，并提出一系列有效的预防措施。
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如何将 N 沟道 MOS 管用作高边开关
该电路可以让您控制开启栅极电流并保护整流器栅极免受高反向电压的损坏。该电路可以用变压器输出端的负电压进行驱动。
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MOSFET驱动器在各种电子电路中的应用
MOSFET驱动器是一种电子设备，用于控制金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关操作。它提供所需的电压和电流来驱动MOSFET，确保其能够快速、准确地切换。
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安森美加速碳化硅创新，助力推进电气化转型
推出最新一代 EliteSiC M3e MOSFET，显著提升高耗电应用的能效
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好的MOSFET驱动电路有哪些要求？常见MOSFET驱动电路设计速览！
MOSFET驱动电路设计将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOSFET驱动电路的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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功率MOSFET结构及参数解读！
在这篇文章中，小编将对功率MOSFET的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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如何设计MOSFET驱动电路电源？电源设计实例、技巧分享！
在这篇文章中，小编将为大家带来MOSFET驱动电路电源的设计。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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驱动电路如何设计？不会就看看这2个范例！
在这篇文章中，小编将为大家带来两款MOSFET驱动电路设计。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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功率MOSFET的正反向导通等效电路，你有设计思路吗？
本文中，小编将对功率MOSFET的正反向导通等效电路予以介绍，如果你想对功率MOSFET的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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含寄生参数的功率MOSFET等效电路设计，绝！
以下内容中，小编将对包含寄生参数的功率MOSFET等效电路的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对功率MOSFET等效电路的了解，和小编一起来看看吧。
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设计一款N沟道MOSFET驱动电路！超详细！！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来N沟道MOSFET驱动电路设计的有关报道
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IGBT硬并联存在哪些技术风险？你知道优化IGBT硬并联的技术方案吗？
在下述的内容中，小编将会对IGBT硬并联技术优化方案予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用
【2024年6月26日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。
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新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
【2024年6月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车(LEV)、电动二轮车、电动踏板车、电动摩托车，以及商用车和农用车(CAV)等其他交通应用。
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