MOSFET
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功率MOSFET结构及参数解读！
在这篇文章中，小编将对功率MOSFET的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。
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如何设计MOSFET驱动电路电源？电源设计实例、技巧分享！
在这篇文章中，小编将为大家带来MOSFET驱动电路电源的设计。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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驱动电路如何设计？不会就看看这2个范例！
在这篇文章中，小编将为大家带来两款MOSFET驱动电路设计。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。
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功率MOSFET的正反向导通等效电路，你有设计思路吗？
本文中，小编将对功率MOSFET的正反向导通等效电路予以介绍，如果你想对功率MOSFET的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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含寄生参数的功率MOSFET等效电路设计，绝！
以下内容中，小编将对包含寄生参数的功率MOSFET等效电路的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对功率MOSFET等效电路的了解，和小编一起来看看吧。
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设计一款N沟道MOSFET驱动电路！超详细！！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来N沟道MOSFET驱动电路设计的有关报道
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IGBT硬并联存在哪些技术风险？你知道优化IGBT硬并联的技术方案吗？
在下述的内容中，小编将会对IGBT硬并联技术优化方案予以报道，如果IGBT是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
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英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列，适用于高成本效益的先进电源应用
【2024年6月26日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600 V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7产品系列的后续产品。全新超结MOSFET实现了具有高成本效益的硅基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等广泛应用。
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新型OptiMOS 7 MOSFET改进汽车应用中的导通电阻、设计稳健性和开关效率
【2024年6月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40 V 产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80 V和100 V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。这些MOSFET针对各项标准和未来的48 V汽车应用进行了优化，包括电动助力转向、制动系统、新区域架构中的功率开关、电池管理、电子保险丝盒，以及各种12 V和48 V电气系统应用中的直流/直流和BLDC驱动器等。这些产品还适用于轻型电动汽车(LEV)、电动二轮车、电动踏板车、电动摩托车，以及商用车和农用车(CAV)等其他交通应用。
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一文了解SiC MOS的应用
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。
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MOSFET驱动电路设计不过如此，不信看设计实例
本文中，小编将对MOSFET驱动电路设计予以介绍，如果你想对它的详细情况有所认识，或者想要增进对它的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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MOSFET驱动电路设计，分立器件组成的MOSFET驱动电路分享！
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET驱动电路的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET驱动电路具备清晰的认识，主要内容如下。
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ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”
小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化!
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
1200 V器件采用SMD-7封装，性能领先同类产品
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
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全桥驱动芯片有哪些
DrMOS，全称Driver-MOSFET，是一种由Intel在2004年推出的高效节能技术。它通过将MOSFET和MOS驱动器集成到同一封装中，实现了尺寸和功效的优化。
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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80 V MOSFET OptiMOS™ 7
【2024年4月15日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高，和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。这款OptiMOS™ 7 80 V产品非常适合即将推出的 48 V板网应用。它专为满足高要求汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而打造，包括电动汽车的汽车直流-直流转换器、48 V电机控制（例如电动助力转向系统（EPS））、48 V电池开关以及电动两轮车和三轮车等。
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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装，为现代汽车应用提供更高效率
【2024年4月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向（EPS）、电子机械制动（EMB）、配电、无刷直流驱动器（BLDC）、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。
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门驱动器是什么
门驱动器，作为电力电子技术中的关键组件，是连接控制系统与功率半导体器件之间的重要桥梁。它的主要功能是将微控制器或控制电路发出的低电平控制信号转化为能够驱动大功率半导体器件(如绝缘栅双极型晶体管IGBT、金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、碳化硅MOSFET等)所需的大电流或高压信号，确保这些功率器件按照预定的开关时序准确无误地工作。
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2n7002导通电压是多少
在电子科技日新月异的今天，各类电子元器件的性能和参数成为了研究和应用的关键。其中，2N7002作为一种广泛应用的N沟道MOSFET，其导通电压是众多工程师和技术人员关注的焦点。那么，2N7002的导通电压究竟是多少?它又是如何影响电路性能的呢?本文将深入探索2N7002导通电压的科技奥秘，并解析其在实际应用中的表现。
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黔驴技穷
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