MOSFET
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第三部分使用超低电源电压驱动
在 5V、3.3V 或更低电压下运行的低压系统通常需要具有 1V 或更低阈值或开启电压的有源 MOSFET 器件。对于模拟设计，该阈值电压直接影响工作信号电压范围。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第二部分EPAD MOSFET 关键性能特征
EPAD MOSFET 专为实现器件电气特性的出色匹配而设计。这些器件专为实现最小失调电压和差分热响应而构建。由于集成在同一块单片芯片上，它们还具有出色的温度系数跟踪特性。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第一部分EPAD MOSFET器件介绍
在电路设计中追求更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势，这给电气工程师带来了艰巨的挑战，因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来，工程师们一直将这些特性视为基本特性，并且可能阻碍了他们将可用电压范围最大化，否则会使新电路获得成功。
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ALD810030 精密MOSFET 为四个匹配的超级电容器进行自动平衡
一种新的精密 MOSFET 阵列——旨在平衡和调节额定电压更高的超级电容器——适用于广泛的应用，如执行器、远程信息处理、太阳能电池板、应急照明、安全设备、条形码扫描仪、高级计量箱和备用电池系统。
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SiC材料的进击路 从国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET的发布谈起
据东方卫视报道，我国首款基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET产品在上海正式发布。9月4日，一则 “我国将把大力发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”的消息引爆市场，引起第三代半导体概念股集体冲高涨停，场面十分壮观。不可置否，政策是最大的商机。2020年，新基建产业站在了风口上。在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基建主要领域中，第三代半导体承担着重要角色。
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SiC-MOSFET终端区对开关损耗的物理分析
尽管硅是电子产品中使用最广泛的半导体，但最近的研究表明它有一些局限性，特别是在大功率应用中。带隙是基于半导体的电路的相关因素，因为高带隙在高温、电压和频率下的操作方面具有优势。硅的带隙为 1.12 eV，而碳化硅的带隙值高 3 倍，为 3.2 eV，因此性能和效率更高，开关频率更高，总占位面积更小。
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通过使用具有顶部冷却功能的 SMD 封装来提高 DC-DC 转换器的性能
本文分析了表面贴装 (SMD) 封装中的硅 MOSFET在热性能方面与底部冷却封装相比在热性能方面的效率，从而降低了热阻和工作温度。它将展示如何降低结温有助于提高功率效率，因为主要硅 MOSFET 参数会因温度变化(如 RDS (on)和 Vth 电平)而发生更平滑的变化，以及降低总导通和开关损耗。
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具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的研究正在兴起。在 SB MOSFET 中，源极和漏极构成硅化物，而不是传统的杂质掺杂硅。SB MOSFET 的一个显着特征是一个特殊的二极管，如在 I d -V ds特性的三极管操作期间指数电流增加。当在逻辑电路中应用此类器件时，小偏置电压极不可能发生，就会发生这种情况。
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基础电路学习（3）-- MOSFET驱动电路小结
这几天准备测试DCDC电源的时候，发现没有负载，想着要不买一个看看，淘宝搜了一下，看到网上好多都是给电池放电，测试放电曲线用的，价格呢也不是很便宜。想起以前在ADI的官方教程电源大师课中有设计好的负载demo板，立即便下载下来准备打样，自己做一个动态负载切换的PCBA负载切换的原理很简单，主要通过PWM控制MOS管导通截止来使下图右侧的电阻R5短路和断路，其中TP2为DCDC输出电压。
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贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。
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ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高无线耳机和可穿戴设备等小而薄设备的效率和运行安全性！
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Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
全面优化12V热插拔和软启动应用中控制浪涌电流的RDS(on)和SOA
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安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
顶部冷却简化设计并降低成本，实现小巧紧凑的电源方案
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电机驱动设计：集成驱动器与栅极驱动器的区别
在设计电机控制电路时，确定如何提供驱动电机所需的大电流至关重要。设计人员必须选择是使用具有内部功率器件的单片集成电路 (IC)，还是使用栅极驱动器 IC 和分立的外部功率 MOSFET。
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最新的 dc/dc 控制器与 NexFET 功率 MOSFET 的组合可以提高电源效率
全球能源价格的上涨以及与电子产品相关的运营费用的增加正在成为设备和/或消费品采购决策的重要组成部分。因此，研发工程师一直在寻找降低产品功耗的方法。过去，这主要适用于电池供电的应用，因为效率会严重影响设备的运行时间。然而，这种趋势近年来已经扩大到包括许多离线供电的消费品。
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对比功率器件IGBT 真的比 MOSFET 好吗？
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变电子装置中电压和频率，及直流交流转换等。只要在拥有电流电压及相位转换的电路系统中，都会用到功率零组件。
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最新行业新闻，英飞凌推出 LITIX Power,Diodes Inc. 发布 PowerDI8080-5器件
英飞凌推出 LITIX Power 双通道 DC/DC 控制器，无需额外的微控制器即可驱动 LED 前照灯。 Infineon Technologies AG通过双通道独立 DC/DC 控制器扩展了其LITIX Power 系列。该公司声称新的 TLD6098-2ES是第一款无需额外微控制器即可驱动全 LED 前照灯的产品。该控制器还可以操作四种标准 LED 前灯 功能：远光灯 (HB)、近光灯 (LB)、日间行车灯 (DRL) 和转向灯 (TURN)。LITIX Power 产品还可用作外部 LED 照明中动画的电压源。
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选择功率 MOSFET 的简单指南
鉴于现在可用的 MOSFET 可供选择的范围很广，并且分配给主板电源的空间越来越小，使用可靠、一致的方法来选择正确的 MOSFET 变得越来越重要。这种方法可以加快开发周期，同时优化特定应用的设计。
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如何在我们的项目中选择合适的 MOSFET 器件
随着为个人计算机 (PC) 应用中的核心 DC-DC 转换器开发的同步降压转换器的开关频率向 1MHz-2MHz 范围移动，MOSFET 损耗变得更高。由于大多数 CPU 需要更高的电流和更低的电压，这一事实变得更加复杂。当我们添加其他控制损耗机制的参数(如电源输入电压和栅极驱动电压)时，我们需要处理更复杂的现象。但这还不是全部，我们还有可能导致损耗显着恶化并因此降低功率转换效率 (ξ) 的次要影响。
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电源系统设计优化秘技：单片驱动器+MOSFET(DrMOS)
现阶段，多核架构使微处理器在水平尺度上变得更密集、更快速，令这些器件所需功率急剧增加，直接导致向微处理器供电的稳压器模块(VRM)的升级需求：一是稳压器的功率密度（单位体积的功率）升级，为了在有限空间中满足系统的高功率要求，必须大幅提高功率密度；另一是功率转换效率提升，高效率可降低功率损耗并改善热管理。
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