MOSFET
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mosfet驱动电路原理
MOSFET，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件。它集输入级与输出级为一体，由P型和N型两种不同类型的高效沟道增强型功率二极管组成。
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英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域并推动节能减碳
【2024年1月25日，德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX /OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新应用中心。该创新应用中心全面投入运营之后，将为开发能够减少二氧化碳排放的高能效充电解决方案铺平道路，从而推动低碳化进程。
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利用低电平有效输出驱动高端MOSFET输入开关以实现系统电源循环
在无线收发器等应用中，系统一般处于偏远地区，通常由电池供电。由于鲜少有人能够前往现场进行干预，此类应用必须持续运行。系统持续无活动或挂起后，需要复位系统以恢复操作。为了实现系统复位，可以切断电源电压，断开系统电源，然后再次连接电源以重启系统。
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意法半导体碳化硅助力理想汽车加速进军高压纯电动车市场
2023年12月22日，中国北京-服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)，与设计、研发、制造和销售豪华智能电动车的中国新能源汽车龙头厂商理想汽车(纽约证券交易所代码: LI) 签署了一项碳化硅(SiC)长期供货协议。按照协议, 意法半导体将为理想汽车提供碳化硅MOSFET，支持理想汽车进军高压纯电动车市场的战略部署。
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英飞凌推出带有集成温度传感器的全新 CoolMOS S7T
【2023年12月19日，德国慕尼黑讯】为提高结温传感的精度，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出带有集成温度传感器的全新CoolMOS™ S7T产品系列。通过在系统中集成该系列半导体产品，可提升许多电子应用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS™ S7T具有出色的导通电阻和高精度嵌入式传感器，最适合用于提高固态继电器(SSR)应用的性能和可靠性。
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英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
【2023年12月7日，德国慕尼黑讯】数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。
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Littelfuse推出FDA117光隔离光伏驱动器为隔离开关应用提供浮动电源
提供高电压与大电流，可驱动不同行业的标准MOSFET/IGBT
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Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET
要求严苛的高电压汽车与工业应用理想解决方案
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TrendForce集邦咨询：预估2023年中国大陆成熟制程产能占比约29%，2027将扩大至33%
Oct. 18, 2023 ---- 据TrendForce集邦咨询统计，2023~2027年全球晶圆代工成熟制程(28nm及以上)及先进制程(16nm及以下)产能比重大约维持在7:3。中国大陆由于致力推动本土化生产等政策与补贴，扩产进度最为积极，预估中国大陆成熟制程产能占比将从今年的29%，成长至2027年的33%，其中以中芯国际(SMIC)、华虹集团(HuaHong Group)、合肥晶合集成(Nexchip)扩产最为积极。
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Littelfuse宣布推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET
非常适合工业、能源、电信和LED照明市场的电源应用
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美浦森半导体通过SGS可靠性检测 获AEC-Q101认证
深圳2023年9月21日 /美通社/ -- 近日，国际公认的测试、检验和认证机构SGS为深圳市美浦森半导体有限公司（以下简称：美浦森半导体）SLH60R041GTDA型号MOSFET产品颁发AEC-Q101认证证书。美浦森半导体应用总监庞方杰、品质工程经理胡烺、SGS中国半导体及...
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意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL-D 汽车安全关键应用
这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时，关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流瞬变事件。
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ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间
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英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
【2023年7月27日，德国慕尼黑讯】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（PLC）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和（混动）电动汽车车载充电器等应用。
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儒卓力携手威世在2023年慕尼黑上海电子展联合展示汽车解决方案
全球领先的电子元器件分销商儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)再次与威世科技携手参加于2023年7月11-13日在上海虹桥国家会展中心举办的慕尼黑上海电子展(electronica China)，展出多款最新汽车解決方案。
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采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC™沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。
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意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40%
2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
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采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。
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ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动
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使用集成MOSFET限制电流的简单方法
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如，在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样，在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。
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