MOSFET
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意法半导体推出热切换理想二极管控制器，适用于ASIL-D 汽车安全关键应用
这款理想二极管控制器驱动一个外部 MOSFET开关管，替代过去在输入反向保护和输出电压保持电路中常用的肖特基二极管。MOSFET上的电压降比肖特基二极管的正向电压降低，因此，正常工作期间的耗散功率也低于二极管。当电源失效、掉电或输入短路等故障导致反向电压事件时，关断 MOSFET功率管可以阻止相关的反向电流瞬变事件。
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ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以5.0mm×6.0mm和3.3mm×3.3mm尺寸实现业界超低导通电阻
非常适用于通信基站和工业设备等的风扇电机，有助于设备进一步降低功耗和节省空间
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英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用
【2023年7月27日，德国慕尼黑讯】在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（PLC）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和（混动）电动汽车车载充电器等应用。
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儒卓力携手威世在2023年慕尼黑上海电子展联合展示汽车解决方案
全球领先的电子元器件分销商儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH)再次与威世科技携手参加于2023年7月11-13日在上海虹桥国家会展中心举办的慕尼黑上海电子展(electronica China)，展出多款最新汽车解決方案。
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采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC™沟槽式MOSFET推动电动出行的发展
【2023 年 7 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。
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意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管，优值系数提高 40%
2023 年 5 月 24 日，中国—— 意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
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采用增强互连封装技术的1200 V SiC MOSFET单管设计高能效焊机
近年来，为了更好地实现自然资源可持续利用，需要更多节能产品，因此，关于焊机能效的强制性规定应运而生。经改进的碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200 V采用基于.XT扩散焊技术的TO-247封装，其非常规封装和热设计方法通过改良设计提高了能效和功率密度。
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ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
新推出40V～150V耐压的共13款产品，非常适用于工业设备电源和各种电机驱动
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使用集成MOSFET限制电流的简单方法
电子电路中的电流通常必须受到限制。例如，在USB端口中，必须防止电流过大，以便为电路提供可靠的保护。同样，在充电宝中，必须防止电池放电。放电电流过高会导致电池的压降太大和下游设备的供电电压不足。
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英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准
【2023年4月13日，德国慕尼黑讯】追求高效率的高功率应用持续向更高功率密度及成本最佳化发展，也为电动汽车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）宣布其高压MOSFET 适用的 QDPAK 和 DDPAK 顶部冷却 (TSC) 封装已成功注册为 JEDEC 标准。这项举措不仅进一步巩固了英飞凌将此标准封装设计和外型的TSC 封装推广至广泛新型设计的目标，也给OEM 厂商提供了更多的弹性与优势，帮助他们在市场中创造差异化的产品，并将功率密度提升至更高水准，以支持各种应用。
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Diodes 公司推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
【2023 年 4 月 13 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。
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Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET(ASFET)，管脚尺寸缩小60%
RDS(on)额外降低40%，功率密度提高58倍，适合电信和热插拔计算应用
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第五部分EPAD MOSFET 开关
EPAD MOSFET 在以适当的栅极电压开启时充当开关，其中在漏极和源极端子之间形成导电通道。源极端子作为输入，漏极端子作为输出。开关的导通电阻取决于由栅极电压控制的沟道导通电流。在这种情况下，如果使用增强型器件，则可以通过栅极端子上的正偏置电压打开开关，信号从源极传播到漏极端子。信号本质上可以是数字的或模拟的，只要用户考虑相对于开关通道导通电阻的输入和输出阻抗水平。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第四部分EPAD MOSFET 隔离和（二极管）钳位介绍
许多电路需要将其输入和输入阻抗与输出阻抗隔离，以便输出负载不会干扰输入信号。这有时可以通过使用晶体管缓冲器或运算放大器缓冲器来实现，每种缓冲器都存在许多设计权衡。例如，使用 ALD110800 零阈值 MOSFET，可以提供这种隔离，同时提供偏置到与输入电平范围相同的电压电平的电路输出。这是零阈值 MOSFET 的基本能力。输入和输出电平也可以偏置在固定电压附近，例如 0.0V。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第三部分使用超低电源电压驱动
在 5V、3.3V 或更低电压下运行的低压系统通常需要具有 1V 或更低阈值或开启电压的有源 MOSFET 器件。对于模拟设计，该阈值电压直接影响工作信号电压范围。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第二部分EPAD MOSFET 关键性能特征
EPAD MOSFET 专为实现器件电气特性的出色匹配而设计。这些器件专为实现最小失调电压和差分热响应而构建。由于集成在同一块单片芯片上，它们还具有出色的温度系数跟踪特性。
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使用超低电压 MOSFET 阵列进行设计，第一部分EPAD MOSFET器件介绍
在电路设计中追求更低的工作电压和更低的功耗水平是一种趋势，这给电气工程师带来了艰巨的挑战，因为他们遇到了基本半导体器件特性对他们施加的限制。长期以来，工程师们一直将这些特性视为基本特性，并且可能阻碍了他们将可用电压范围最大化，否则会使新电路获得成功。
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ALD810030 精密MOSFET 为四个匹配的超级电容器进行自动平衡
一种新的精密 MOSFET 阵列——旨在平衡和调节额定电压更高的超级电容器——适用于广泛的应用，如执行器、远程信息处理、太阳能电池板、应急照明、安全设备、条形码扫描仪、高级计量箱和备用电池系统。
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SiC材料的进击路 从国产工规级碳化硅(SiC)MOSFET的发布谈起
据东方卫视报道，我国首款基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET产品在上海正式发布。9月4日，一则 “我国将把大力发展第三代半导体产业写入‘十四五’规划”的消息引爆市场，引起第三代半导体概念股集体冲高涨停，场面十分壮观。不可置否，政策是最大的商机。2020年，新基建产业站在了风口上。在以5G、物联网、工业互联网等为代表的新基建主要领域中，第三代半导体承担着重要角色。
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SiC-MOSFET终端区对开关损耗的物理分析
尽管硅是电子产品中使用最广泛的半导体，但最近的研究表明它有一些局限性，特别是在大功率应用中。带隙是基于半导体的电路的相关因素，因为高带隙在高温、电压和频率下的操作方面具有优势。硅的带隙为 1.12 eV，而碳化硅的带隙值高 3 倍，为 3.2 eV，因此性能和效率更高，开关频率更高，总占位面积更小。
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