开关电源一般由脉冲宽度调制PWM控制IC和MOSFET构成,控制开关管时间比率维持稳定的输出电压。
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在导通特性方面,IGBT的导通损耗由器件导通时的压降造成,其参数为Vce(sat),随温度变化较小。而SiC MOSFET的导通特性表现得更像一个电阻输出特性,具有更小的导通损耗,特别是在电流较小的情况下2。
双管正激式开关电源是一种常见的电源拓扑结构,采用了两个功率开关管进行功率调节。在这篇文章中,我将详细解释双管正激式开关电源的原理、工作方式以及其应用领域。
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MOSFET,全称Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,即金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种电压控制型半导体器件。它由金属、氧化物(如SiO₂或SiN)及半导体三种材料制成,具有三个主要电极:源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为两种重要的半导体功率器件,在电力电子领域有着广泛的应用。它们各自具有独特的优缺点,以下是对两者优缺点的详细分析:
MOSFET的工作基于栅极电压对导电沟道的控制。当栅极电压达到一定值时,会在半导体中形成导电沟道,从而控制源极和漏极之间的电流流动。
MOSFET 开关损耗,真正的晶体管需要时间才能打开或关闭。因此,在导通和关断瞬变期间存在电压和电流重叠,从而产生交流开关损耗。
单/双封装比传统封装具有更优异的热性能
它们的反向掺杂分布是主要区别:p 通道 MOSFET 依靠空穴作为多数电荷载流子,产生空穴电流,而 n 通道器件利用电子,产生电子电流。由于电子的迁移率较高,约为空穴的两到三倍,因此在 p 通道器件中移动空穴比在 n 通道器件中移动电子更具挑战性。
在电力电子技术的快速发展中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键的功率半导体器件,广泛应用于电动/混合动力汽车、工业变频器、太阳能逆变器等领域。这些应用领域对设备的可靠性和性能要求极高,因此,现代IGBT/MOSFET栅极驱动器必须具备高效的隔离功能和强大的功率处理能力。本文将深入探讨现代IGBT/MOSFET栅极驱动器在提供隔离功能时的最大功率限制及其实现机制。
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