它们的反向掺杂分布是主要区别:p 通道 MOSFET 依靠空穴作为多数电荷载流子,产生空穴电流,而 n 通道器件利用电子,产生电子电流。由于电子的迁移率较高,约为空穴的两到三倍,因此在 p 通道器件中移动空穴比在 n 通道器件中移动电子更具挑战性。
在电力电子技术的快速发展中,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键的功率半导体器件,广泛应用于电动/混合动力汽车、工业变频器、太阳能逆变器等领域。这些应用领域对设备的可靠性和性能要求极高,因此,现代IGBT/MOSFET栅极驱动器必须具备高效的隔离功能和强大的功率处理能力。本文将深入探讨现代IGBT/MOSFET栅极驱动器在提供隔离功能时的最大功率限制及其实现机制。
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了解半导体器件的故障模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键,这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行,并满足汽车和其他电源转换应用中要求的越来越严格的十亿分之一故障率。在本文中,我们将讨论对碳化硅 MOSFET 器件执行的栅极开关应力 (GSS) 测试。
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针对开关应用中的低RDSon、低尖峰和高效率进行了优化
符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101,有助于车载应用的高效运行和小型化
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2024年7月24日 – 专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术,开启了电力系统和能量转换的新篇章,适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
晶闸管是现代电子学中使用最多的元件,逻辑电路用于开关和放大。BJT和MOSFET是最常用的晶体管类型,它们每个都有自己的优势和一些限制
随着新能源汽车市场的高速发展,现代汽车对舒适性和安全性的要求越来越高,汽车电子化的趋势明显。其中,小电机的数量增长显著,而对于小电机的驱动方式,传统的继电器驱动正在逐步被电子驱动方式所取代。电子驱动方式除了带有保护功能、使用更加灵活的特点外,对功率器件也提出了更高的效能要求。在此背景下,芯力特依托豪威集团强大的产品/工艺/设计以及供应链能力,陆续推出了一系列车规级MOSFET产品,适用于汽车车身控制、水泵油泵、车大灯、无线充电等应用场景。
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