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开关电源设计：玩转SiC MOSFET我有特别的技巧（在线研讨会）
【ROHM在线研讨会】 将于5月28日重磅开启！ 以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体 具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能 材料方面 高品质 4 英寸衬底全面商业化 6 英寸衬底的商业化也在持续推进 产业方面 国际企业纷纷加强
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人工智能通过什么方式加强人类能力
根据调研机构Gartner公司的调查，到2021年，全球各地的组织将通过人工智能创造将近3万亿美元的商业价值。 有些人表示，人工智能技术有朝一日可能完全取代工作场所中的人类。至少在可预见
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从电动汽车续航痛点到安全挑战 SiC功率元器件的作用逐渐在显现
动力电池是新能源汽车的核心能量源。为保障电池高效、可靠、安全运行，需要通过电池管理系统（BMS）对动力电池进行实时监控、故障诊断、SOC 估算、短路保护等，并通过 CAN 总线与车辆集成控制器进
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氮化镓应用升温 快充下探至100元大关
在5G、电动车、电源装置等应用的推动下，第三代半导体材料氮化镓(GaN)产业需求已逐渐升温。 由于对设计、制造业者来说，资金、良率、成本、技术等环节皆为投入GaN领域的考验，因此早期多由欧美IDM业者
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SiC酷在哪里？如何做最酷的SiC？
硅是半导体产业的代表元素，作为最基础的器件原料，硅的性能已经接近了其物理极限。近年来随着电动汽车、5G的新应用的普及，对于功率器件的性能提出了更高的要求。例如GaN、砷化镓和SiC（碳化硅）等新材料半导体器件已经成为了行业内备受关注的产品。
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PI公司宣布旗下适用于SiC MOSFET的SCALE-iDriver现已通过AEC-Q100汽车级认证
美国加利福尼亚州圣何塞，2020年3月17日 – 深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布，其适合碳化硅(SiC) MOSFET的高效率单通道门极驱动器SIC118xKQ SCALE-iDriver™现已通过AEC-Q100汽车级
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三安集成为宽禁带电力半导体产业发布全新升级生产平台
为最前沿的电力电力技术提供更广泛更全面的代工服务
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世强再添SiC顶尖品牌UnitedSiC，提供可直接替代Si器件的SiC FET免费样品
据消息称，美国专业功率半导体制造商UnitedSiC与拥有50万工程师用户的世强元件电商合作。
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韩国三星,现代,LG等SiC供应商，世强再添第三代半导体功率器件品牌美浦森，提供免费样品
世强元件电商再添第三代半导体功率器件品牌，授权代理全球SiC MOSFET顶尖制造商美浦森（Maplesemi）。
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实现SiC器件与高速电机、电控系统的全方位优化、匹配，追求最佳效率、功率密度及可靠性，满足工业和新能源汽车应用的更高需求
CISSOID与华中科技大学电气与电子工程学院达成深度战略合作协议，双方将共同开展相关前沿技术的研究开发
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电路中的碳化硅
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解决方案中的应用正在汽车和工业市场中加速发展。制作碳化硅(SiC)晶圆比制作硅晶圆要复杂得多，并且随着对SiC器件需求的增加，制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不确定SiC晶圆的来源。
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SiC MOSFET在汽车和电源中的应用
科学技术的不断发展推动者电子元器件的不断革新，传统硅基MOSFET技术日趋成熟，正在接近性能的理论极限。宽带隙半导体的电、热和机械特性更好，能够提高MOSFET的性能，是一项关注度很高的替代技术。商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。
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ROHM的SiC功率元器件被应用于UAES的电动汽车车载充电器
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商
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安森美推出宽禁带器件：900V和1200V SiC MOSFET
新的SiC MOSFET器件实现更好的性能、更高的能效和能在严苛条件下工作
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CISSOID三相SiC MOSFET智能功率模块问市
这个全新的可扩展平台同时优化了功率开关的电气、机械和散热设计及其临界控制，对于电动汽车（EV）整车厂和愿意快速采用基于碳化硅的逆变器以实现更高效、更简洁电机驱动的电动机制造商而言，该平台可以帮助他们加快产品上市时间。
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CISSOID强劲可靠的栅极驱动器为 Wolfspeed的快速开关碳化硅（SiC）功率模块提供支持
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布，为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器，以支持其XM3碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。
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新型IGBT诞生，made in China
当前，碳化硅基功率器件面临着严峻的挑战，现有的碳化硅基肖特基二极管，MOSFET等器件并不能有效地满足实际应用需要，对IGBT器件的需求日益迫切，必须突破碳化硅基IGBT研究中的瓶颈问题，增加器件耐压强度
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除了业界最小RDSon之外，与硅器件相同的驱动特性才是United SiC FET的杀手锏
采用Si基MOSFET和SiC基的JFET，采用共源共栅的方式将其烧结在一起，是United SiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压，从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的业界最低Rds(on)将SiC器件的性能提升到了新的高度，面对电动汽车和5G等全新应用需求，United SiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。
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为什么超低阻抗SiC FET受欢迎？
与包括SiC MOSFET、硅MOSFET和GaN HEMT在内的其他可用功率晶体管相比，常开型SiC JFET的单位芯片面积具有更低的导通阻抗。如图1a所示，当低压MOSFET堆叠在JFET上时，为了实现图1b的共源共栅架构，就形成了低阻抗常关断型开关
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UnitedSiC新款SiC FET
新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布将推出四种新型SiC FET――UF3SC。据介绍，该产品的RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车（EV）逆变器、高功率DC/DC转换器
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