为可再生能源提供动力以创造更美好的明天,因此,不仅是 GaN 和 SiC 等宽带隙半导体,还有围绕电力电子、智能电网、微电网、宏观电网、人工智能的多种技术,都将支持这种扩展。我们作为技术社区和工程师的责任是采取行动做某事,所以我们每个人都应该迈出第一步。因此,我们不仅对个人负责,而且对组织负责。那么阻碍零碳和低碳能源更广泛部署的关键技术瓶颈是什么?你认为生产太阳能电池板等的所谓稀有材料的竞争?
道路运输的电气化对于实现欧盟的脱碳和气候变化目标至关重要。对碳化硅衬底的需求经历了巨大的增长,法国绝缘体上硅 (SOI) 晶圆供应商 Soitec 开发了 SmartSiC 技术,以加速 SiC 在电动汽车中的采用。
在今天的汽车市场,SiC已经成为最具活力的技术之一,设计导入机会很多,其渗透率正在快速增长。那么,在EV/HEV系统中,SiC的最大应用场景在哪里?BEV被认为是汽车电气化的终极目标,因此意味着可持续的商机。而且其中的牵引逆变器、蓄电池和电动机是体现不同主机厂车辆技术性能的三个关键区别因素。
电动汽车技术是汽车行业的未来,电池和快速充电系统的不断快速发展。在不牺牲充电时间的情况下,研发工作正在进行中,以确保电池的尺寸更小,并且在充电时间内的功耗最小。
上海2022年12月15日 /美通社/ -- 2022年12月14日-15日,英飞凌科技(中国)有限公司成功在线举办了以“数字智能、低碳未来” 为主题的OktoberTech™英飞凌生态创新峰会。OktoberTech™是英飞凌主办的全球性年度创新峰会,旨在展示前瞻性技术,推动低...
尽管硅是电子产品中使用最广泛的半导体,但最近的研究表明它有一些局限性,特别是在大功率应用中。带隙是基于半导体的电路的相关因素,因为高带隙在高温、电压和频率下的操作方面具有优势。硅的带隙为 1.12 eV,而碳化硅的带隙值高 3 倍,为 3.2 eV,因此性能和效率更高,开关频率更高,总占位面积更小。
经过全网数千次的工程师投票和21ic编辑紧张的审评,2022年度第二十届Top10 Power电源产品奖结果已经出炉!
据业内消息,因SiC半导体需求增加,近日博格华纳向半导体制造商Wolfspeed投资5亿美元确保SiC产能。
“过去两年,确实因为疫情关系遇到了挑战,但是安森美也是抓住了很大的机遇,尽最大可能助力客户取得成功。”安森美总裁兼首席执行官(CEO) Hassane El-Khoury在媒体会如是总结到。
UnitedSiC(现为 Qorvo)发布了其下一代 1200-V SiC FET 系列,声称其导通电阻具有行业领先的品质因数。新型 UF4C/SC 系列 1200-V 第 4 代 SiC FET 针对电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC/DC 太阳能逆变器以及焊机、不间断电源中的主流 800-V 总线架构用品和感应加热应用。
KYOCERA AVX和VisIC Technologies扩大合作,开展下一代电动汽车应用GaN技术开发 耐斯兹敖那、以色列和萨尔茨堡和奥地利2022年10月27日 /美通社/ -- 结合KYOCERA AVX在分立和模块封装方面...
汽车应用氮化镓(GaN)解决方案公司VisIC Technologies LTD宣布: Dieter Liesabeths将加入公司,担任产品高级副总裁。在过去的10年里,他在Wolfspeed GmbH担任高级总监,并建立了汽车部门。(能动Nengdong)...
(全球TMT2022年10月12日讯)作为汽车应用氮化镓(GaN)解决方案的全球领导者,VisIC Technologies LTD公司宣布: Dieter Liesabeths将加入公司,担任产品高级副总裁。Dieter在半导体行业拥有超过30年的丰富经验,他的加入将推动氮化...
以色列耐斯兹敖那2022年10月12日 /美通社/ -- 作为汽车应用氮化镓(GaN)解决方案的全球领导者,VisIC Technologies LTD公司很高兴地宣布: Dieter Liesabeths将加入公司,担任产...
据业内消息,ST昨日宣布将在意大利投资落地一个整合式SiC衬底制造厂,用来满足客户对汽车及工业SiC组件与日俱增的需求,同时协助其向电气化迈进并达到更高效率。据悉这座工厂预计2年后开始投产,建成后将成为欧洲第一座6寸大型SiC衬底生产基地。
据业内消息,近日安森美在捷克共和国的SiC工厂的扩建落成,捷克的工业和贸易部科长、兹林州州长以及市长等政府官员出席了剪彩仪式,安森美表示工厂将在未来两年内将SiC晶圆产能提高16倍以满足急剧增长的微芯片需求。
据业内消息,近日中国移动公布了之前非骨架式带状光缆集中采集的中标信息,其中长飞、中天、亨通、烽火、富通等十家厂商入围;中国台湾鸿海科技集团下的竹科6英寸厂已经生产出SiC电子元件,目前正在进行车规认证,预计2023年会排产。
据业内消息,近日位于上海临港的天岳SiC半导体材料项目已经成功封顶,6英寸SiC导电衬底生产目前已经进行小批量交付;注册资本一千万,由宁德时代和宁德新能源科技有限公司等间接共同持股的中科邦普循环科技创新有限公司成立。
据业内消息,Wolfspeed近日表示将投资数十亿美金在美国北卡罗来纳州查塔姆县建造采用领先前沿技术的SiC材料制造工厂,此工厂预计将提升现有SiC产能十倍,用于支持Wolfspeed未来长期的战略增长,建成后将成为世界上最大的SiC工厂,也会进一步加快SiC半导体在未来世界终端市场应用。
开关、电阻器和MOSFET的并联连接的目的是划分所涉及的功率并创建可以承受更大功率的设备。它们可以并联以增加输出电流的容量。因为它们不受热影响不稳定性,并联连接通常比其他更过时的组件更简单,更不重要。碳化硅MOSFET也可以与其他同类器件并联使用。多个单元之间的简单并联在正常条件下工作良好,但在与温度、电流和工作频率相关的异常事件中,操作条件可能变得至关重要。因此,必须采取一定的预防措施来创建防故障电路,以便它们能够充分利用功率器件并联所提供的优势。