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罗姆与联合汽车电子签署SiC功率元器件长期供货协议
全球知名半导体厂商罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）于近日与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）签署了SiC功率元器件的长期供货协议。
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罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
应用于主机逆变器，有助于延长续航里程，提升性能
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对SiC MOSFET进行栅极应力测试
了解半导体器件的故障模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中要求的越来越严格的十亿分之一故障率。在本文中，我们将讨论对碳化硅 MOSFET 器件执行的栅极开关应力 (GSS) 测试。
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SiC功率器件生产规模效益扩大，英飞凌全球最大8英寸SiC晶圆厂正式进入生产营运
正在持续扩建的英飞凌居林工厂第三厂区已经获得了总价值约 50 亿欧元的设计订单，并且收到了来自新老客户约10亿欧元的预付款。值得一提的是，这些设计订单来自不同行业的客户，包括汽车行业的六家整车厂以及可再生能源和工业领域的客户。 随着居林工厂第三厂区的正式运营投产，英飞凌正在持续扩大其在SiC生产制造领域的规模优势，提升产能效益，同时将宽禁带功率器件带入到一个更为广阔且多元的应用版图，助力行业向更高效、更可持续的未来迈进。
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何谓碳化硅
近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以大功率低损耗为目的二极管和晶体管等分立(分立半导体)元器件备受瞩目。这是因为，为了应对全球共通的 “节能化”和“小型化”课题，需要高效率高性能的功率元器件。
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SiC功率元器件的开发背景和优点
SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体，对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件，具有优于Si半导体的低阻值，可以高速工作，高温工作，能够大幅度削减从电力传输到实际设备的各种功率转换过程中的能量损耗。
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碳化硅在电子领域中的应用
硅成为制造半导体产品的主要原材料，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但是，第一代半导体材料难以满足高功率及高频器件需求。
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碳化硅MOSFET在充电桩电源模块、光伏逆变器、光储一体机中的应用
SiC 具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能，使其有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等优点，可降低下游产品能耗、减少终端体积
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TrendForce集邦咨询：2023年SiC功率元件营收排名，ST以32.6%市占率稳居第一
Jun. 20, 2024 ---- 据TrendForce集邦咨询研究显示，2023年全球SiC功率元件产业在纯电动汽车应用的驱动下保持强劲成长，前五大SiC功率元件供应商约占整体营收91.9%，其中ST以32.6%市占率持续领先，onsemi则是由2022年的第四名上升至第二名。
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一文了解SiC MOS的应用
作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。
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如何设计SiC功率元器件中的浪涌抑制电路？
SiC功率元器件中浪涌抑制电路设计将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对它的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求
符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装
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ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”
小型封装内置第4代SiC MOSFET，实现业界超高功率密度，助力xEV逆变器实现小型化!
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英飞凌：稳居全球功率和汽车半导体之首， 首次拿下全球汽车微控制器NO.1
英飞凌位列2023全球半导体供应商第九，稳居全球功率和汽车半导体之首。2023年英飞凌汽车MCU销售额较上年增长近44%，约占全球市场的29%，首次拿下全球汽车MCU市场份额第1。
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Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
1200 V器件采用SMD-7封装，性能领先同类产品
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用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器
新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
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罗姆集团旗下的SiCrystal与意法半导体扩大SiC晶圆供应合同
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)和为各种电子设备提供半导体的全球著名半导体制造商意法半导体(以下简称“ST”)宣布，罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)将扩大目前已持续多年的150mm SiC晶圆长期供应合同。
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英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
【2024年3月14日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）。
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Microchip推出3.3 kV XIFM 即插即用mSiC™ 栅极驱动器 进一步扩展其mSiC 解决方案，加速高压SiC 电源模块采用
这款高度集成的 3.3 kV XIFM 即插即用数字栅极驱动器可与基于SiC的高压电源模块搭配使用，从而简化并加快系统集成
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Allegro MicroSystems推出高带宽电流传感器技术 帮助实现高性能电源转换
全新高功率密度传感器能够降低能量损耗，同时改进SiC和GaN技术的效率和可靠性
DianGongN
美思电子
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