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安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor)，发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变...
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安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
优异的开关和更高的可靠性在各种挑战性应用中提高功率密度
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Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管，提升高频应用能效
器件额定电流4 A~40 A，采用MPS结构设计，降低开关损耗和温变影响
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罗姆阿波罗筑后工厂的环保型新厂房竣工，为SiC功率元器件生产增能!
全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)为了增强SiC功率元器件的产能，在ROHM Apollo Co.，Ltd.(总部位于日本福冈县)筑后工厂投建了新厂房。
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科锐推出新型SiC功率模块产品系列，为电动汽车快速充电和太阳能市场提供业界领先的效率
新型Wolfspeed WolfPACK™模块系列助力高增长的中功率技术的快速量产
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这家公司如何看待2020年的四大关键词：疫情、并购、缺货、SiC
提到半导体公司，能够最先想到的是哪个公司？或许是Intel、三星、海力士、美光这些企业。而提到电源、传感器、模拟器件这些领域，就不得不提到安森美半导体（ONsemi）这家企业了。
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这家公司如何看待2020年的四大关键词：疫情、并购、缺货、SiC
这家企业正在以惊人速度发展，成为半导体新兴的领袖之一。那么这家企业在去年一年如何应对行业各种突发事件，未来又将如何发展？21ic中国电子网受邀参加安森美半导体线上交流会，共话公司战略及发展情况。
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什么是SiC光伏并网逆变器？你知道吗？
人类社会的进步离不开社会上各行各业的努力，各种各样的电子产品的更新换代离不开我们的设计者的努力，其实很多人并不会去了解电子产品的组成，比如SiC光伏并网逆变器。
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英飞凌推出CoolSiC™ CIPOS™ Maxi，全球首款采用转模封装的1200 V碳化硅IPM
英飞凌科技股份公司推出了采用转模封装的1200 V碳化硅(SiC)集成功率模块(IPM)，并在今年大规模推出了SiC解决方案。
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UAES与罗姆成立“SiC技术联合实验室”并举行启动仪式
联合汽车电子有限公司与全球知名半导体制造商罗姆在中国上海的UAES总部成立了“SiC技术联合实验室”，并于2020年10月举行了启动仪式。
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联合碳化硅基于第四代先进技术推出新型SiC FET器件
业界首批750V器件为高增长电源应用设定性能基准
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SiC取代Si器件的道路上，最大的挑战已被攻克
作为第三代半导体，SiC凭借着多方面更优异的性能正在向更多应用领域扩展，但不容回避，成本、易用性方面，传统的SiC器件在某些方面仍然稍逊于硅器件，这也让碳化硅器件取代硅器件的发展之路面临挑战。
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SiC助力功率半导体器件的应用结温升高，将大大改变电力系统的设计格局
Yole Development 的市场调查报告表明，自硅功率半导体器件诞生以来，应用的需求一直推动着结温升高，目前已达到150℃。
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兼具SiC MOSFET与二极管之长的相臂SiCMOSFET模块
在生活中，你可能接触过各种各样的电子产品，那么你可能并不知道它的一些组成部分，比如它可能含有的相臂SiCMOSFET模块，那么接下来让小编带领大家一起学习相臂SiCMOSFET模块。
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值得学习的全SiC功率模块详细解析
在科学技术飞速发展的今天，人们的生活越来越离不开电子产品，而电子元器件的多样性也促进了电子产品的发展，比如全SiC功率模块，那么你知道什么是全SiC功率模块吗?
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智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅(SiC)的电动汽车
当前，新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应，SiC器件的一系列特性，如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能，使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展，同时推动SiC器件的价格持续下降。
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Microchip 推出汽车用700/1200V 碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管
新产品通过汽车电子委员会(AEC)-Q101认证，旨在帮助电动汽车实现最高水平的可靠性和耐用性
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联合碳化硅 扩大肖特基二极管产品组合
新产品在碳化硅(SiC)浪涌电流稳健性方面树立新的基准
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碳化硅功率器件特性，你应该有所了解？
今天我们来聊了聊有关碳化硅作为高压低损耗的功率半导体器件材料的潜力
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紧盯四大领域，看SiC市场新贵的新玩法
作为新材料的SiC与传统硅材料相比，从物理特性来看，电子迁移率相差不大，但其介电击穿场强、电子饱和速度、能带隙和热导率分别是硅材料的10倍、2倍、3倍和3倍。
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