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车企搭载积极，2022年车用SiC功率元件市场规模将突破10亿美元
Jul. 14, 2022 ---- 为进一步提升电动汽车动力性能，全球各大车企已将目光锁定在新一代SiC(碳化硅)功率元件，并陆续推出了多款搭载相应产品的高性能车型。据TrendForce集邦咨询研究，随着越来越多车企开始在电驱系统中导入SiC技术，预估2022年车用SiC功率元件市场规模将达到10.7亿美元，至2026年将攀升至39.4 亿美元。
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汽车应用中的宽带隙材料
电动汽车 (EV) 和混合动力电动汽车 (HEV) 正在寻找提高功率转换效率的解决方案。 长期以来，大多数电子功率器件都是基于硅的，硅是一种可以在加工过程中几乎不会产生任何缺陷的半导体。然而，硅的理论性能现在几乎已经完全实现，突出了这种材料的一些局限性，包括有限的电压阻断能力、有限的传热能力、有限的效率和不可忽略的传导损耗。与硅相比，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 等宽带隙 (WBG) 半导体具有更出色的性能：更高的效率和开关频率、更高的工作温度和更高的工作电压。
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电源设计说明：面向高性能应用的新型 SiC 和 GaN FET 器件分析
在本文中，我们分析了一些碳化硅和氮化镓 FET器件的静态和动态行为。公司正在将精力集中在这些类型的组件上，这些组件允许创建高效转换器和逆变器。
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从硅到 SiC 和 GaN MOSFET 技术的发展
本文追溯了电力电子的历史，可追溯到硅MOSFET仍用于驱动强大的电子负载时。让我们通过描述、应用和模拟重新发现硅的世界，了解电子世界是如何在短短几年内发生巨大变化的，因为新的 SiC 和 GaN MOSFET 的发现和开发。
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用于下一代电动汽车的 SiC MOSFET
电动和混合动力汽车的设计人员致力于提高能量转换效率，这些设备具有紧凑的封装和高热可靠性电力电子模块的组装，并降低了开关损耗。
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安森美丰富的SiC方案解决新一代UPS的设计挑战
随着云计算、超大规模数据中心、5G应用和大型设备的不断发展，市场对不间断电源 (UPS)的需求保持高位，且正在往小型化、高容量化、高效化发展，设计人员面临如何在性能、能效、尺寸、成本、控制难度之间权衡取舍的挑战，安森美(onsemi)基于新一代半导体材料碳化硅(SiC)的方案，有助于变革性地优化UPS设计。
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PCIM Europe欧洲电力电子系统及元器件展-碳化硅和氮化镓应用介绍
PCIM Europe德国纽伦堡电力电子系统及元器件展，创办于1979年，每年一届，至今已经有30多年的历史。该展是欧洲电力电子及其使用范畴、智能运动和电能质量最具影响力的博览会，也是全球最大的功率半导体展会。PCIM Europe以其高质量的专业观众，成为享誉电力电子行业的专业国际性展会。
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SiC 推动电源应用的创新
在过去的四十年里，由于采用了更好的设计和制造工艺，以及高质量材料的可用性，基于硅技术的功率器件取得了重大进展。然而，大多数商用功率器件现在正在接近硅提供的理论性能极限，特别是在它们阻挡高压的能力、在导通状态下提供低电压降以及它们在非常高的频率下开关的能力方面。
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PCIM Europe欧洲电力电子系统及元器件展-碳化硅部分
德国纽伦堡—2022年5月10日-12日,一年一度的PCIM Europe盛大开幕，PCIM Europe即欧洲电力电子系统及元器件展,是电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理领域最具影响力的博览会,也是全球最大的功率半导体展会,继连续两年举办线上展会后,于今年终于回归线下。
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贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET为各类电源应用提供更好的支持
2022年6月9日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC(现已被Qorvo®收购)的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。
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电源设计说明：线性方案中的 SiC MOSFET
SiC MOSFET 在开关状态下工作。然而，了解其在线性状态下的行为是有用的，这可能发生在驱动器发生故障的情况下，或者出于某些目的，当设计者编程时会发生这种情况。
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智能能源时代的 SiC
随着硅达到功率器件的理论性能限制，电力电子行业一直在向宽带隙材料(WBG) 过渡。基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓技术的 WBG 功率半导体器件提供的设计优势可提高应用性能，包括：低漏电流、显着降低的功率损耗、更高的功率密度、更高的工作频率以及耐受更高工作温度的能力. 使用比纯硅等效器件更小的器件尺寸，所有这些都是可能的。稳健性和更高的可靠性是其他重要属性，从而提高了设备的总预期寿命和运行稳定性。
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ATFX2022年第二季《交易者杂志》正式上线
（全球TMT2022年4月30日讯）近期，汇集2022年第二季度展望的ATFX《交易者杂志》正式上线，分析师团队从专业的视角为投资者提供内容详尽的深度行情解读。此次《交易者杂志》的全球分析团队更大强大。ATFX不但再次添加了两位中东和北非市场分析师Mohamed Nabawy和...
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安森美将在PCIM Europe 2022展示高能效方案
USB-C电源套件包(Power Bundle)、第7代1200 V IGBT和二极管以及首款TOLL封装的650 V 碳化硅(SiC) MOSFET器件简化高能效电源方案的设计
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罗姆集团旗下的SiCrystal成立25周年
全球知名半导体制造商罗姆集团旗下的 SiCrystal GmbH(以下简称“SiCrystal”)迎来了成立25周年纪念日。
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宽带隙 (WBG) 材料在电源应用的前景
宽带隙 (WBG) 材料逐渐在电源管理和其他应用的成本效益分析中幸存下来，电动汽车可能会推动采用成本高但性能更高的碳化硅，并按降序排列氮化镓器件。使用 WBG 半导体可产生超过 95% 的潜在效率，大大扩展范围。 功率转换器是利用可再生能源进行运输和工业应用的关键组件。为了促进功率转换器设计所需的进步，可以选择基于碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 的新型 WBG 半导体技术。
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SiC 和 GaN：两种半导体的故事
在过去的几十年中，碳化硅和氮化镓技术的进步一直以发展、行业接受度不断提高和有望实现数十亿美元收入为特征。第一个商用 SiC 器件于 2001 年以德国英飞凌的肖特基二极管的形式问世。随之而来的是快速发展，到 2026 年，工业部门现在有望超过 40 亿美元。 2010 年，当总部位于美国的 EPC 交付其超快速开关晶体管时，GaN 首次惊艳了整个行业。市场采用率尚未与 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能达到 10 亿美元。
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英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET，进一步降低应用损耗并提高可靠性
【2022年3月31日，德国慕尼黑讯】在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电池化成等。
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如何赢得一半以上的碳化硅MOSFET市场份额，并将其持续扩大？
ST获得了全球50%以上的SiC MOSFET市场份额；并且在宽禁带半导体领域进行了衬底技术收购、产能投资，拥有了全生产链条的掌控力。本文分享了ST在SiC领域获得成功的原因，如何保持领先的未来战略规划，以及对于整个宽禁带器件行业的前景解读。
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一文解读！抢占宽禁带半导体材料及应用的战略制高点！
2021年9月5日，由保定市人民政府和第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办的“2021白石山第三代半导体峰会”在保定市涞源成功召开。中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长、中国有色金属工业协会特邀副会长屠海令线上参加并致辞，指出发展第三代半导体要做好顶层设计，研发和生产并重。本文长联半导体为您介绍如何抢占宽禁带半导体材料及应用的战略制高点。
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