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车规级SiC供应商桑德斯，填补国内1200V 25mΩ SiC MOS空白
2021年12月9日，桑德斯微电子器件(南京)有限公司与世强硬创平台达成协议，授权世强代理旗下碳化硅(SiC)、二级管等产品代理。
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通过SiC技术电机逆变器实现电动汽车行驶里程拓展的承诺
目前有两大因素影响着车辆运输和半导体技术的未来。行业正在拥抱令人振奋的新方法，即以清洁的电力驱动我们的汽车，同时重新设计支撑电动汽车(EV)子系统的半导体材料，以最大程度地提高功效比，进而增加电动汽车的行驶里程。
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环旭电子预计2022量产电动车用逆变器使用的IGBT与SiC电源模块
搭配电动车市场的快速成长，近年环旭电子(上海证券交易所股票代码: 601231)开始布局切入功率半导体国际大厂的电源模块的组装生产与测试，近期获得相当多欧美与日系客户青睐，预计在2022正式量产电动车用逆变器(Inverter)使用的IGBT与SiC电源模块。
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即刻报名 | 直播啦！先进汽车电子方案大荟萃
点击蓝字 关注我们随着汽车功能电子化、自动驾驶、先进驾驶辅助系统(ADAS)的快速进展，汽车的发展可谓一日千里，正在改变个人交通的界限。如何使汽车更轻、续航更远、实现更高级别的自动驾驶并提升先进安全?安森美(onsemi)的智能电源和智能感知技术和方案提供“相辅相成”的力量和最先...
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第三代半导体潮起，我国GaN射频市场迎何机遇？
第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
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派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线
自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场份额。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。
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意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器采用窄型 SO-8 封装可节省空间
点击“意法半导体PDSA"，关注我们！中国，2021年10月19日意法半导体的 STGAP2SiCSN 是为控制碳化硅MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体SO-8封装，具有稳健的性能和精确的PWM控制。SiC功率技术被广泛用于提高功率转换效率，SiC驱动器ST...
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列，继续扩充宽禁带半导体产品
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件
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罗姆获选为UAES的SiC功率解决方案优先型供应商
全球知名半导体制造商罗姆（ROHM Co., Ltd.，以下简称“罗姆”）获选为中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，以下简称“UAES”）的SiC功率解决方案优先型供应商。
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使用新的电机驱动器替换老化的光耦合器栅极驱动器
电动机用于电梯、食品加工设备、工厂自动化、机器人、起重机……不胜枚举。交流感应电机在此类应用中很常见，并且总是使用功率级中用于驱动它们的绝缘栅双极晶体管 (IGBT)。典型的总线电压为 200 V DC至 1,000 V DC。IGBT 进行电子换向以实现交流感应电机所需的正弦电流。
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650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比，国产器件重载时温度更低
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。
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Wolfspeed 与致瞻科技采用SiC技术提升燃料电池汽车性能
2021年10月19日，美国北卡罗来纳州达勒姆市与中国上海市讯 — 全球碳化硅（SiC）技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布与致瞻科技（上海）有限公司的成功合作。致瞻科技（上海）有限公司是宽禁带器件应用和先进电能转换系统的创新者，该公司燃料电池汽车全碳化硅控制器采用了Wolfspeed® 1200V SiC MOSFET。
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意法半导体的稳健的隔离式 SiC 栅极驱动器采用窄型 SO-8 封装可节省空间
中国，2021 年 10 月 19 日——意法半导体的 STGAP2SiCSN是为控制碳化硅 MOSFET而优化的单通道栅极驱动器，采用节省空间的窄体 SO-8 封装，具有稳健的性能和精确的 PWM 控制。
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首款国产1700V SiC MOSFET获“低碳能效奖“，可提升电源效率4%！
P3M173K0K3是派恩杰半导体有限公司针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on), 使其广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。
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通用汽车与 Wolfspeed 达成战略供应商协议，在通用汽车未来电动汽车计划中采用 SiC
该协议标志着通用汽车开始做出转变，将在其电动汽车电力电子中采用 SiC 提供安全、长期的供货 SiC 赋能电动汽车更长续航里程
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车载 GaN FET 可实现 HEVEV 的高频和稳健性设计
为了解决消费者对电动汽车 (EV) 普及的里程、充电时间和价格等问题，世界各地的汽车制造商都在增加电池容量而不增加尺寸、重量或组件成本。我正在寻找一种加快速度的方法充电。
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UnitedSiC推出9款新品：6mΩ导通电阻750V SiC暂无敌手
日前，UnitedSiC推出业界最小导通电阻RDS（on）6mΩ的750V第四代碳化硅场效应管，并一口气推出9款全新的UJ4C/SC器件。
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SiC 器件专有的可靠性保证途径及其重要性
作为一家开发SiC技术的领先厂商，英飞凌认识到需要更新基于硅器件模型而制定的现有可靠性测试标准，以保证碳化硅器件达到足够高可靠性水平。英飞凌的方法侧重于碳化硅可靠性的三个特定领域。
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UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET
新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性
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仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
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