日前,UnitedSiC推出业界最小导通电阻RDS(on)6mΩ的750V第四代碳化硅场效应管,并一口气推出9款全新的UJ4C/SC器件。
作为一家开发SiC技术的领先厂商,英飞凌认识到需要更新基于硅器件模型而制定的现有可靠性测试标准,以保证碳化硅器件达到足够高可靠性水平。英飞凌的方法侧重于碳化硅可靠性的三个特定领域。
新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性
关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2021年9月6日,模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布,双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系,此前双方已经合作近三年时间。
全球知名半导体制造商罗姆将于2021年9月9日~11日参加在深圳国际会展中心举办的PCIM Asia 2021深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会。
交易加速安森美推动创新,以创造智能电源和感知技术及构建可持续未来的使命,拓展安森美的碳化硅实力并确保客户供应,以满足可持续生态系统的快速增长,包括电动车(EV)、电动车充电和能源基础设施,加强安森美对颠覆性、高增长技术进行重大投资的承诺。
2021年8月23日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Qorvo® QPD0011高电子迁移率晶体管 (HEMT)。
DPT1000A功率器件动态参数测试系统由泰克科技领先研发,一经推出就受到广大科研和企业用户的强烈关注。
2021年8月19日,美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– 全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc.与意法半导体STMicroelectronics宣布扩大现有的多年长期碳化硅(SiC)晶圆供应协议。
目前,整个市场的晶圆代工产能严重不足。在这种情况下,海威华芯在世强硬创电商平台上线六英寸(兼容4英寸)化合物半导体晶圆代工服务。
近日,英飞凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT 单管产品组合,具有650 V阻断电压。
业界首款图腾柱PFC控制器以高性价比提供高性能
600V 12A二极管可替代汽车应用中的SiC元件
有助于大幅削减工厂的安装成本,并为工业设备提供更小型、更高可靠性及更节能的解决方案
SiC 基器件支持下一代数据中心,设计满足快速演进的存储环境的需求
全面的宽禁带器件组合实现高性能充电方案
中国,2021年5月20日 – 服务多重电子应用领域的全球半导体领导者意法半导体发布了第24版可持续发展报告,详细介绍了2020年取得的成绩。
— CISSOID高温芯片和模块技术亦将大力推动电动汽车动力总成的深度整合 —
面向新一代功率转换器的ADI隔离式栅极驱动器、电源控制器和处理器